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晶眾光電InAs/GaSb II型超晶格SESAM技術(shù)獲得國際認可

晶眾光電 ? 來源:晶眾光電 ? 2025-09-11 15:06 ? 次閱讀
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近日,來自中國的晶眾光電科技有限公司(以下簡稱“晶眾”)自主研發(fā)的InAs/GaSb II型超晶格SESAM技術(shù),在國際頂尖光學(xué)期刊《Optics Letters》上再次獲得關(guān)注,這一成就標志著中國在高端光電技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。

《Optics Letters》是光學(xué)領(lǐng)域內(nèi)極具影響力的國際期刊,它為全球科學(xué)家提供了一個展示最前沿研究成果的平臺?!睎|方之鏡,世界心跳“,晶眾的SESAM技術(shù),正是在這樣的國際舞臺上得到了認可。

SESAM(Semiconductor Saturable Absorber Mirror,半導(dǎo)體可飽和吸收鏡)被譽為超快激光器的“節(jié)拍器”,它被視為一種革命性的技術(shù),用于超快鎖模激光器。

這項技術(shù)是近年來晶眾聯(lián)合上海交大等科研機構(gòu),由晶眾研發(fā)團隊在謝國強教授的帶領(lǐng)下自主研發(fā)的世界首款高穩(wěn)定性3-5微米關(guān)鍵鎖模組件。謝教授及其團隊此前也曾在該國際期刊上發(fā)表過《Semiconductor saturable absorber mirror in the3-5 um mid-infrared region》相關(guān)文章,介紹了該SESAM技術(shù)具有里程碑意義的影響。

成都電子科技大學(xué)的研究團隊則在近期《Optics Letters》發(fā)表的文章中,詳細描述了晶眾SESAM在3.05至3.65微米波長范圍內(nèi)的可調(diào)諧皮秒脈沖產(chǎn)生能力。文章中特別提到,通過旋轉(zhuǎn)RDG,可以實現(xiàn)波長的調(diào)節(jié)。Crystrong, China(中國晶眾)提供的SESAM是一種商用的InAs/GaSb II型超晶格基設(shè)備,與文獻中使用的設(shè)備幾乎相同。

具有寬帶寬的II類超晶格設(shè)計,無晶格失配、損傷閾值較傳統(tǒng)SESAM高10倍、等離子體注入帶來超快吸引恢復(fù)(約1.4ps)、600nm的調(diào)諧帶寬、超過75dB的信噪比……一系列亮眼的表現(xiàn),不僅展示了晶眾SESAM技術(shù)已達到世界一流水平,也為中紅外超快相干光源及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展提供了強有力的技術(shù)支持。

晶眾SESAM的這一突破,使得在3-5微米中紅外區(qū)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定鎖模運行成為可能,這對于光譜分析、醫(yī)療診斷、工業(yè)加工、精細計量和生物成像等多個領(lǐng)域都具有突破意義。

晶眾SESAM技術(shù)的國際認可,標志著中國為高端光電技術(shù)領(lǐng)域做出了重大貢獻。隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,晶眾SESAM有望在全球范圍內(nèi)推動相關(guān)激光硬科技的發(fā)展和創(chuàng)新,為全球科技發(fā)展貢獻中國智慧和中國方案。

注:以上報道基于晶眾SESAM技術(shù)在《Optics Letters》上的實際發(fā)表內(nèi)容,以及相關(guān)科研機構(gòu)的應(yīng)用案例。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:晶眾引領(lǐng)SESAM技術(shù)潮流:世界光電業(yè)的「中國芯」

文章出處:【微信號:晶眾光電,微信公眾號:晶眾光電】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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