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光電探測器PMT、APD、CCD、CMos、ICCD、EMCCD

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2025-09-16 07:58 ? 次閱讀
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PMT和APD都屬于點探測器,只能探測光子信息,可以通過掃描方式測光譜。CCD和CMOS屬于線陣或者面探測器,可以成像。ICCD和EMCCD屬于不同類型的CCD。

一、PMT

PMT:光電倍增管,屬于靈敏度極高,響應(yīng)速度非常快的單點光探測器。

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主要是由光電發(fā)射陰極(光陰極)和聚焦電極、電子倍增極及電子收集極(陽極)等組成。

核心原理就是:通過把入射的光子轉(zhuǎn)化成電子,在電子倍增電場作用下進(jìn)行倍增放大,放大后的電子通過陽極收集后輸出。通過AD轉(zhuǎn)換器,信號可以通過示波器直接顯示。

典型的光電倍增管按入射光接收方式可分為端窗式和側(cè)窗式兩種類型。

目前市面上常見的就是濱松的PMT,性價比高。

主要應(yīng)用:光子計數(shù)、弱光探測、化學(xué)發(fā)光、生物發(fā)光、極低能量射線探測、分光光度計、色度計 生化分析儀等設(shè)備中。

特點:雖然PMT靈敏度高,成本低,但是相比CCD,其測光譜時需要一個點一個點的去掃譜,時間過長,采譜速度慢,受強光影響大,使用時需要注意保護(hù)管子,加壓時也需要注意,維護(hù)麻煩一些。

二、APD

雪崩光電二極管

核心原理:光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后,射入的光被P-N結(jié)吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產(chǎn)生“雪崩”現(xiàn)象,這樣光電流會成倍增加,達(dá)到雪崩倍增狀態(tài)。

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和PMT的差異是放大信號信號的原理不太一樣。APD因為其具備單光子探測能力,所以常被用于光子計數(shù)器應(yīng)用。和高速計數(shù)卡結(jié)合可以實現(xiàn)弱信號的光子計數(shù)探測能力。而且APD相比PMT便宜一些,而且具有全固態(tài)結(jié)構(gòu),量子效率也高,也被廣泛使用。

三、CCD

CCD 電荷耦合器件,原理不說了,百科寫的很詳細(xì)

目前主要是科研級相機用的多的還是CCD探測器,主要是信噪比好,靈敏度比CMOS更好一些,一些極弱光信號的成像和光譜分析,常見的還是CCD。

CCD芯片的種類有:全幀芯片,隔行轉(zhuǎn)移,幀轉(zhuǎn)移等。

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其中科研相機全幀芯片和幀轉(zhuǎn)移芯片用的多,全幀芯片全靶面曝光,芯片在光照下始終曝光,需要快門阻擋每一幀,否則容易有拖尾現(xiàn)象。而幀轉(zhuǎn)移芯片的優(yōu)勢是,利用像素間傳輸快的特點,在上一幀電荷轉(zhuǎn)移出芯片的同時可以采集下一幀圖像,可以不加快門工作。

四、CMOS

原理:CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),

互補金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

主要需要和CCD區(qū)分開

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由于上面所說的結(jié)構(gòu),CCD的電路更改就更方便。而由于CMOS的過分集成,電路更改就不方便。特點:CMOS功耗小,噪聲大,靈敏度差,但是速度快,同時成本也要比CCD便宜很多。

目前科研領(lǐng)域,弱光探測還是CCD為主。高速成像主要是CMOS.

近幾年,sCMOS科研級CMOS異軍突起,采用了背照式CMOS芯片,提高量子效率,比傳統(tǒng)CMOS響應(yīng)更好一些,主要適合中間檔需求,信號稍微比日常弱一些,用科研級CCD覺得價格高,或者覺得CCD幀速低。用普通的CMOS又無法獲得很好的實驗效果, 這些情況下都可以考慮sCMOS.

五、ICCD

稱為像增強型探測器

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核心原理:ICCD利用像增強器,光子入射后經(jīng)過光陰級轉(zhuǎn)換成電子,電子通過微通道板MCP時,被在MCP外部的高壓電場作用下,電子不斷撞擊進(jìn)行倍增放大,放大后的電子信號經(jīng)過光纖錐打到熒光屏上,重新轉(zhuǎn)換成光子,光子再通過CCD芯片進(jìn)行成像,從而實現(xiàn)信號的放大。

在EMCCD出現(xiàn)之前,都用ICCD來實現(xiàn)極弱光成像探測。同時ICCD可以控制曝光門控,實現(xiàn)ns甚至ps量級的曝光。

六、EMCCD

EMCCD,電子倍增型CCD,是一種全新的微弱光信號增強探測技術(shù),

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核心原理:EMCCD與普通的CCD探測器的主要區(qū)別在于其讀出(轉(zhuǎn)移)寄存器后又接續(xù)有一串“增益寄存器”,電子傳輸?shù)皆鲆婕拇嫫髦?,寄存器中產(chǎn)生的電場其強度足以使電子在轉(zhuǎn)移過程中產(chǎn)生“撞擊離子化”效應(yīng),產(chǎn)生了新的電子,即所謂的倍增;每次轉(zhuǎn)移的倍增倍率非常小,多大約只有×1.01~×1.015倍,但是當(dāng)如此過程重復(fù)相當(dāng)多次,信號就會實現(xiàn)可觀的增益—可達(dá)1000倍以上,從而實現(xiàn)信號的放大。

EMCCD具備單光子探測靈敏度,廣泛用于天文領(lǐng)域,生命科學(xué)領(lǐng)域,單分子成像,熒光成像等方面。

ICCD和EMCCD主要的差異:

1,ICCD的峰值量子效率不會超過50%;EMCCD采用ccd芯片,背照式峰值量子效率可高達(dá)90%以上。

2,ICCD的微通道板和熒光屏?xí)档涂臻g分辨率;EMCCD空間分辨率只取決于像素大小,比ICCD分辨率高,適合于生命科學(xué)領(lǐng)域

3,ICCD的像增強器畢竟嬌弱,強光容易損傷像增強管,需要注意保護(hù)。EMCCD沒有這么嚴(yán)格的要求,盡量避免飽和即可。

4,ICCD像增強器和EMCCD都可以用于軍事方面,都受進(jìn)出口管制。

5,ICCD具有納秒級的門寬實現(xiàn)高時間分辨,可以做瞬態(tài)壽命測試;EMCCD只能實現(xiàn)毫秒級時間分辨。

審核編輯 黃宇

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