該13位至26位寄存器緩沖器設(shè)計(jì)用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS復(fù)位（RESET）輸入外，所有輸入均為SSTL_2。所有輸出均為邊沿控制LVCMOS電路，針對(duì)未端接的DIMM負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化。

SN74SSTVF16859使用差分時(shí)鐘（CLK和CLK）工作。數(shù)據(jù)在CLK變高和CLK變?yōu)榈碗娖降慕徊纥c(diǎn)處注冊(cè)。
*附件：sn74sstvf16859.pdf

該器件支持低功耗待機(jī)作。當(dāng)RESET為低電平時(shí)，差分輸入接收器被禁用，未驅(qū)動(dòng)（浮動(dòng)）數(shù)據(jù)、時(shí)鐘和基準(zhǔn)電壓（V 裁判 ）輸入。此外，當(dāng)RESET為低電平時(shí)，所有寄存器都被復(fù)位，所有輸出都強(qiáng)制為低電平。LVCMOS RESET輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

為確保在提供穩(wěn)定時(shí)鐘之前從寄存器獲得定義的輸出，RESET在上電期間必須保持低電平狀態(tài)。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus? 系列成員
• 工作電壓為 2.3 V 至 2.7 V，適用于 PC1600、PC2100 和 PC2700
• 工作電壓范圍為 2.5 V 至 2.7 V，適用于 PC3200（QFN 封裝）
• 引腳排列和功能與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)SSTV16859兼容
• 在 PC2700 DIMM 應(yīng)用中，比 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)SSTV16859快 600 ps（同時(shí)切換）
• 1 對(duì) 2 輸出，支持堆疊式 DDR DIMM
• 輸出邊沿控制電路可最大限度地降低未端接線路中的開(kāi)關(guān)噪聲
• 輸出符合SSTL_2 I 類(lèi)規(guī)格
• 支持SSTL_2數(shù)據(jù)輸入
• 差分時(shí)鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持 RESET 輸入上的 LVCMOS 開(kāi)關(guān)電平
• RESET輸入禁用差分輸入接收器，復(fù)位所有寄存器，并強(qiáng)制所有輸出為低電平
• 引腳排列優(yōu)化了 DIMM PCB 布局
• 閂鎖性能超過(guò) 100mA，符合 JESD 78，II 類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)
• ESD保護(hù)超過(guò)JESD22
  • 2000-V 人體模型 （A114-A）
  • 200V 機(jī)器型號(hào) （A115-A）
  • 1000V 充電設(shè)備型號(hào) （C101）

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?高性能緩沖?：支持2.3V-2.7V（PC1600/2100/2700）和2.5V-2.7V（PC3200）供電
• ?兼容性?：引腳和功能兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SSTV16859，性能提升600ps（PC2700應(yīng)用）
• ?輸出設(shè)計(jì)?：1-to-2輸出拓?fù)渲С侄询BDDR DIMM，邊緣控制電路降低無(wú)端接線路噪聲
• ?接口標(biāo)準(zhǔn)?：輸入符合SSTL_2規(guī)范，RESET支持LVCMOS電平
• ?可靠性?：閂鎖性能>100mA（JESD 78 Class II），ESD防護(hù)達(dá)2000V HBM

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?電氣特性?：
  • 輸出高電平1.95V（典型值@8mA）
  • 靜態(tài)電流10μA（最大），動(dòng)態(tài)功耗19μA/MHz
  • 輸入電容3.5pF（典型值）
• ?時(shí)序性能?：
  • 最高時(shí)鐘頻率500MHz
  • 傳播延遲1.1ns（QFN封裝）
  • 建立/保持時(shí)間0.65ns（快斜率）

?3. 封裝與訂購(gòu)?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • 56引腳QFN（RGQ）：2mm×2mm，熱阻22°C/W
  • 64引腳TSSOP（DGG）：熱阻55°C/W
• ?型號(hào)標(biāo)識(shí)?：
  • SN74SSTVF16859GR（TSSOP帶卷）
  • SN74SSTVF16859SR（QFN錫鉛鍍層）

?4. 功能控制?

• ?復(fù)位機(jī)制?：
  • RESET低電平時(shí)禁用差分接收器，強(qiáng)制輸出低電平
  • 上電期間需保持RESET低電平
• ?時(shí)鐘要求?：
  • 差分時(shí)鐘輸入（CLK/CLK）
  • 最小脈沖寬度1ns

?5. 應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?PCB布局?：優(yōu)化DIMM布局，中心焊盤(pán)必須接地（QFN封裝）
• ?電源設(shè)計(jì)?：需配置VREF（VDDQ/2）參考電壓
• ?信號(hào)完整性?：建議輸入信號(hào)斜率≥1V/ns，輸出壓擺率1-4V/ns