Microchip Technology EV65N25A評估板基于Microchip的PD70288理想二極管橋 (IDB) 開發(fā)。PD70288器件是第三代IEEE? 802.3bt兼容以太網(wǎng)供電 (POE) 用電設(shè)備 (PD) 系列的一部分。PD70288是一款雙有源電橋，帶內(nèi)部MOSFET，總路徑電阻為140mΩ（典型值），采用38引腳、8mm x 8mm QFN封裝。Microchip EV65N25A演示單個簽名供電設(shè)備 (SSPD) 應用。該板使用PD70210AILQ PD前端設(shè)備支持2/4對上的檢測、分類和供電相位。連接到4對PoE輸入時，該板支持高達90W輸出功率。連接到2對PoE輸入時，輸出電流應限制在1.5A。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Microchip Technology EV65N25A 評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• PD70288 IEEE 802.3bt 95W理想二極管橋
• 輸入RJ45連接器（電源+數(shù)據(jù)）
• 用于數(shù)據(jù)的輸出RJ45連接器
• IDB輸出連接器
• POE PD輸出連接器
• 綠色狀態(tài)指示LED
• 墻式適配器連接
• 隔離變壓器，用于將數(shù)據(jù)發(fā)送到PD應用，以實現(xiàn)完整的PD評估
• 浪涌合規(guī)性，高達2kV共模，符合IEC61000-4-5:2014標準
• 工作溫度范圍：0 °C至+40 °C
• 符合 RoHS 標準

框圖

測試設(shè)置

?基于PD70288理想二極管橋評估板的技術(shù)解析與應用指南?

?一、評估板核心架構(gòu)解析?

?1. PD70288芯片特性?

• ?雙主動橋設(shè)計?：集成內(nèi)部MOSFET，總路徑電阻典型值140mΩ，支持IEEE 802.3bt標準（90W PoE供電）
• ?封裝與兼容性?：38引腳8mm×8mm QFN封裝，支持單簽名供電設(shè)備（SSPD）應用場景

?2. 評估板功能模塊?

• ?輸入接口?：RJ45連接器（P1）支持2/4對PoE輸入，最大輸出功率90W（4對）或1.5A限流（2對）
• ?輸出配置?：通過跳線J1/J2切換輸出至P4（IDB獨立測試）或P5（完整PD應用）
• ?保護機制?：內(nèi)置過溫警告（OTW）信號，觸發(fā)時主動斷開負載并需重啟PSE恢復

?二、關(guān)鍵電路設(shè)計要點?

?1. 電源路徑管理?

• ?延遲電路?：滿足IEEE802.3標準要求的80ms浪涌延遲，采用MOSFET實現(xiàn)
• ?隔離設(shè)計?：可選光耦（U4）隔離OTW信號，支持外部電路聯(lián)動保護

?2. 測試與診斷接口?

• ?測試點布局?：
  • IN1A/IN1B、IN2A/IN2B：監(jiān)測IDB輸入電壓
  • IDB_VPP/VPN_IN：測量IDB輸出電壓
  • 浪涌驗證電容：360μF/100V（±20%）容值限制

?三、典型應用場景與配置步驟?

?1. 快速啟動流程?

1. ?跳線設(shè)置?：短接J1.2-J1.3、J2.2-J2.3連接PD70210A前端電路（默認）
2. ?負載連接?：根據(jù)需求選擇P4（獨立測試）或P5（完整PD評估）
3. ?電源輸入?：通過P1（PoE）或P3（墻式適配器42-57V）供電
4. ?數(shù)據(jù)測試?：P2接口連接PD主機驗證以太網(wǎng)通斷

?2. 性能優(yōu)化建議?

• ?散熱管理?：工作溫度范圍0°C~40°C，需避免封閉環(huán)境長時間滿負荷運行
• ?安全警示?：禁止超過1.5A負載電流（2對PoE輸入）

?四、設(shè)計參考與擴展應用?

• ?BOM選型?：關(guān)鍵器件如PD70288（QFN-38）、PD70210A（DFN-16）需嚴格按手冊規(guī)格采購
• ?布局建議?：4層PCB設(shè)計，內(nèi)層1/2為電源與地平面，參考圖7-1至7-5的層疊結(jié)構(gòu)
• ?定制開發(fā)?：通過J3跳線禁用內(nèi)部MOSFET，可對比傳統(tǒng)二極管橋的功率損耗差異

?附錄：核心參數(shù)速查?

（注：本文內(nèi)容均基于Microchip EV65N25A評估板用戶手冊DS50003732A版本整理）