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?DRV8411A 雙H橋電機驅(qū)動器技術(shù)手冊總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-13 11:24 ? 次閱讀
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DRV8411A 是一款雙 H 橋電機驅(qū)動器,可驅(qū)動一個或兩個直流有刷電機、一個步進電機、螺線管或其他感性負載。三重電荷泵允許該器件在低至 1.65V 的電壓下工作,以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器,并允許 100% 占空比工作。輸入和輸出可以并聯(lián),以驅(qū)動大電流有刷直流電機,RDS(on)的一半。

該器件實現(xiàn)電流檢測和調(diào)節(jié)。內(nèi)部電流鏡在IPROPI引腳上輸出電流檢測信息,無需大功率分流電阻,從而節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。IPROPI 輸出允許微控制器檢測電機失速或負載條件的變化。使用 VREF 引腳,器件可以在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機電流,而無需微控制器的交互。
*附件:drv8411a.pdf

低功耗睡眠模式通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護功能包括欠壓、過流和過熱。

該DRV8411A是器件系列的一部分,該器件系列提供引腳對引腳、可擴展的RDS(ON)選項,以最小的設(shè)計更改支持各種負載。有關(guān)此系列中設(shè)備的信息,請參閱。在 ti.com 上查看我們完整的有刷電機驅(qū)動器產(chǎn)品組合。

特性

  • 雙H橋電機驅(qū)動器,可驅(qū)動-
    • 一個雙極步進電機
    • 一個或兩個有刷直流電機
    • 電磁閥和其他感性負載
  • 低導(dǎo)通電阻:HS + LS = 400mΩ(典型值,25°C)
  • 寬電源電壓范圍
    • 1.65 至 11V
  • 引腳對引腳兼容 -
  • 高輸出電流能力:4A 峰值
  • PWM控制接口
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
  • 集成電流調(diào)節(jié)
  • 用于失速檢測的IPROPI電流檢測輸出
  • 低功耗睡眠模式
    • ≤ VVM = 5V、TJ = 25°C 時為 40nA
  • 小封裝和占地面積
    • 16 引腳 HTSSOP,帶 PowerPAD,5.0?×4.4mm
    • 16引腳WQFN,帶PowerPAD,3.0?×3.0mm
  • 集成保護功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 自動重試過流保護 (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (TSD)
    • 故障指示引腳 (nFAULT)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號?:DRV8411A,支持雙H橋驅(qū)動,可驅(qū)動1個雙極步進電機、1-2個有刷直流電機或感性負載(如電磁閥)。
  • ?版本?:SLVSGI9B(2022年10月發(fā)布,2024年7月修訂)。
  • ?核心特性?:
    • ?寬電壓范圍?:1.65V至11V工作電壓。
    • ?低導(dǎo)通電阻?:高邊+低邊合計400mΩ(典型值,25°C)。
    • ?高輸出電流?:峰值4A(連續(xù)電流需考慮散熱)。
    • ?集成電流調(diào)節(jié)?:通過IPROPI引腳輸出比例電流信號,無需外置檢流電阻。
    • ?靈活控制接口?:支持PWM控制,兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
    • ?低功耗模式?:睡眠模式下靜態(tài)電流低至40nA(典型值)。
    • ?保護功能?:欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、熱關(guān)斷(TSD)。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?導(dǎo)通電阻?:高邊/低邊各200mΩ(典型值,25°C)。
  • ?PWM頻率?:最高100kHz,支持死區(qū)時間自動插入。
  • ?電流檢測增益?:IPROPI輸出電流與負載電流比例約為200μA/A(典型值)。

?3. 功能亮點?

  • ?電流檢測與調(diào)節(jié)?:
    • 通過AIPROPI/BIPROPI引腳輸出比例電流,支持外部ADC測量。
    • 可配置的ITRIP電流限制功能,基于VREF電壓和外部電阻設(shè)置。
  • ?控制模式?:
    • ?驅(qū)動模式?:支持正向、反向、制動(慢衰減)和滑行(快衰減)。
    • ?并聯(lián)模式?:雙H橋并聯(lián)驅(qū)動單個電機,降低總RDS(ON)。
  • ?保護機制?:
    • ? 過流保護(OCP) ?:自動重試機制,閾值4A(典型值)。
    • ? 熱關(guān)斷(TSD) ?:閾值153°C(典型值),遲滯18°C。

?4. 典型應(yīng)用?

  • ?場景?:
  • ?設(shè)計要點?:
    • 需外接0.1μF VM去耦電容和10μF以上大容量電容。
    • 布局時需優(yōu)化散熱(HTSSOP封裝熱阻45.1°C/W)。

?5. 封裝與型號對比?

  • ?封裝選項?:
    • HTSSOP(16引腳):5.0×4.4mm,帶PowerPAD?。
    • WQFN(16引腳):3.0×3.0mm,超小尺寸。
  • ?兼容型號?:與DRV8833、DRV8847等引腳兼容,RDS(ON)可擴展。

?6. 設(shè)計注意事項?

  • ?熱管理?:需計算導(dǎo)通損耗(P=I2RDS(ON))和開關(guān)損耗。
  • ?EMI控制?:支持可配置壓擺率(SR)優(yōu)化。
  • ?電流檢測電阻?:根據(jù)ITRIP需求選擇RIPROPI(例:1A限流需16.5kΩ電阻)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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