該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢

美國加利福尼亞州圣何塞，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向800VDC供電和兆瓦級機(jī)架的轉(zhuǎn)型。

新白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實際應(yīng)用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，單個1250V PowiGaN開關(guān)可提供更高的功率密度和效率。

該白皮書還重點介紹了Power Integrations的InnoMux?2-EP IC，它是適用于800VDC數(shù)據(jù)中心輔助電源的獨特解決方案。InnoMux-2器件內(nèi)集成的1700V PowiGaN開關(guān)支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無風(fēng)扇的800VDC架構(gòu)中可為12V系統(tǒng)提供超過90.3%的效率。

Power Integrations產(chǎn)品開發(fā)副總裁Roland Saint-Pierre表示：“隨著人工智能對電力需求的不斷增長，采用800VDC輸入方案可簡化機(jī)架設(shè)計、提高空間利用效率并減少銅材用量。隨著機(jī)架電力需求的不斷攀升，我們認(rèn)為1250V和1700V PowiGaN器件是主電源和輔助電源的理想選擇，它們能夠滿足800VDC數(shù)據(jù)中心所需的效率、可靠性和功率密度要求?！?br />
Power Integrations作為已實現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開關(guān)的重點供應(yīng)商，于2018年推出首款GaN IC，目前已有超過1.75億個GaN開關(guān)應(yīng)用于各類終端產(chǎn)品，涵蓋快速充電器、數(shù)據(jù)中心及電動汽車等領(lǐng)域。

如需詳細(xì)了解有關(guān)Power Integrations面向AI數(shù)據(jù)中心的PowiGaN技術(shù)，并獲取題為《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用》的白皮書，請訪問https://www.power.com/ai-data-center。