STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG 324標準， 采用ACEPACK SMIT低電感封裝。SH63N65DM6AG功率MOSFET具有極低開關能量、低熱阻以及3.4kV rms /min隔離等級。該功率MOSFET具有dice-on直接接合銅 (DBC) 基板，有助于封裝提供 低熱阻以及隔離式頂部散熱焊盤。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高設計靈活性的封裝，可通過不同組合的內(nèi)部電源開關實現(xiàn)多種配置，包括相臂、升壓和單開關。該功率MOSFET非常適合用于開關應用。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 符合AQG 324標準
• 半橋電源模塊
• 650V阻斷電壓
• 快速恢復體二極管
• 開關能量極低
• 低電感封裝
• 直接結合銅（DBC）襯底上的小塊
• 低熱阻
• 隔離額定值為3.4kV rms /最小值

電路圖

ACEPACK SMIT封裝概要

SH63N65DM6AG功率MOSFET技術解析：半橋拓撲的高效解決方案?

?1. 產(chǎn)品概述?

SH63N65DM6AG是意法半導體推出的汽車級N溝道功率MOSFET，采用先進的MDmesh DM6技術，集成兩個MOSFET構成半橋結構。其核心特性包括：

• ?650V阻斷電壓?，適配高壓應用環(huán)境
• ?典型導通電阻56mΩ?（最大值64mΩ），顯著降低導通損耗
• ?53A連續(xù)漏極電流?（25℃條件下）
• ?ACEPACK SMIT表貼封裝?，兼具緊湊性與高散熱性能

該器件通過AQG 324認證，滿足汽車電子對可靠性的嚴苛要求，特別適用于需要高效率功率轉(zhuǎn)換的開關應用場景。

?2. 核心技術特性?

?2.1 電氣性能優(yōu)勢?

• ?低開關損耗?：快速恢復體二極管與優(yōu)化的開關特性降低動態(tài)損耗
• ?低封裝電感?：提升高頻開關性能
• ?直焊銅基板?：優(yōu)化導熱路徑，結殼熱阻僅0.29℃/W
• ?高隔離耐壓?：引腳與散熱板間承受3.4kVrms交流電壓（50/60Hz）

?2.2 半橋拓撲集成?

器件內(nèi)部集成兩個MOSFET形成半橋，支持：

• ?相位腿配置?：適用于電機驅(qū)動
• ?升壓拓撲?：用于DC-DC轉(zhuǎn)換器
• ?單開關模式?：通過內(nèi)部功率開關靈活組合實現(xiàn)

?3. 關鍵參數(shù)詳解?

?3.1 靜態(tài)參數(shù)?

?3.2 動態(tài)特性?

• ?輸入電容Ciss?：3344pF（典型值）
• ?總柵極電荷Qg?：80nC（典型值）
• ?開關時間?（阻性負載）：
  • 開啟延遲時間td(on)：28ns
  • 上升時間tr：8ns
  • 關斷延遲時間td(off)：68ns
  • 下降時間tf：8ns

?3.3 體二極管特性?

• ?正向?qū)妷篤SD?：1.55V（ISD=46A）
• ?反向恢復時間trr?：162ns（TJ=25℃）/355ns（TJ=150℃）
• ?反向恢復電荷Qrr?：0.95μC（25℃）/4.8μC（150℃）

?4. 封裝與散熱設計?

?4.1 ACEPACK SMIT封裝優(yōu)勢?

• ?尺寸緊湊?：20×22mm基板面積，厚度7mm
• ?表貼設計?：簡化PCB組裝工藝
• ?頂部散熱焊盤?：通過DBC襯底實現(xiàn)高效散熱

?4.2 熱管理特性?

• ?峰值功耗?：424W（TC=25℃）
• ?安全工作區(qū)?：支持1μs至10ms脈寬的單脈沖操作
• ?瞬態(tài)熱阻抗?：支持高頻脈沖工作模式

?5. 應用場景推薦?

?5.1 汽車電子系統(tǒng)?

• 電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
• 發(fā)動機控制單元
• 48V混動系統(tǒng)DC-DC轉(zhuǎn)換器

?5.2 工業(yè)應用?

• 工業(yè)電機驅(qū)動器
• 大功率開關電源
• 光伏逆變器

?6. 設計注意事項?

1. ?柵極驅(qū)動?：推薦使用4.7Ω柵極電阻，確保開關特性穩(wěn)定
2. ?PCB布局?：參考數(shù)據(jù)手冊推薦焊盤圖案，確保散熱和電氣性能
3. ?熱設計?：結合RthJC=0.29℃/W進行散熱計算，保證結溫不超過150℃
4. ?隔離設計?：注意3.4kVrms的隔離要求，確保系統(tǒng)安全