1、Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達(dá)35/45納秒的訪問速度，結(jié)合無限次讀寫與20年數(shù)據(jù)保存能力，成為替代傳統(tǒng)SRAM與NOR Flash的理想選擇。

2、Everspin存儲器MRAM產(chǎn)品核心優(yōu)勢
①SRAM兼容與高速訪問：完全兼容SRAM的時(shí)序接口，讀寫速度高達(dá)35/45納秒，確保系統(tǒng)無需重構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)性能躍升
②無限次讀寫與數(shù)據(jù)永固：Everspin存儲器MRAM具備無限耐久性，徹底消除因頻繁寫入導(dǎo)致的磨損問題。數(shù)據(jù)可非易失性地可靠保存超過20年
③智能數(shù)據(jù)保護(hù)：內(nèi)置低壓抑制電路，在斷電或電壓異常時(shí)自動(dòng)寫保護(hù)，防止數(shù)據(jù)損壞，確保關(guān)鍵信息的萬無一失

3、Everspin存儲器MRAM產(chǎn)品典型型號詳解：MR256DL08B
Everspin存儲器MRAMMR256DL08B是一款256Kb容量的8位并行接口MRAM，其雙電源設(shè)計(jì)為現(xiàn)代低功耗系統(tǒng)提供了卓越的靈活性。
①容量：256Kb
②接口：8位并行
③讀寫速度：45納秒
④電源：VDD額定范圍2.7V-3.6V；VDDQ支持1.65V-3.6V
⑤數(shù)據(jù)保存：大于20年
⑥耐久性：無限

4、其并行接口MRAM非常適合要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景，例如：
①工業(yè)自動(dòng)化與控制系統(tǒng)
②數(shù)據(jù)中心服務(wù)器與緩存
③網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
④交通系統(tǒng)與航空航天
⑤需要頻繁、快速寫入數(shù)據(jù)的嵌入式系統(tǒng)

5、為何選擇Everspin MRAM？
作為全球MRAM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者與供應(yīng)商，Everspin的產(chǎn)品以其卓越的品質(zhì)和可靠性備受信賴。英尚微作為的一級代理商，可提供Everspin全線產(chǎn)品，能夠?yàn)榭蛻籼峁倪x型到設(shè)計(jì)的全方位服務(wù)。

審核編輯 黃宇