電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 2025年10月27日，瀾起科技正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。據(jù)瀾起科技介紹，RCD04芯片是高性能服務器及數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的核心組件，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達7200MT/s，較上一代產(chǎn)品提升超過12.5%。

在電源管理方面，RCD04芯片通過優(yōu)化電源分配和動態(tài)調(diào)整電壓，實現(xiàn)了在更高傳輸速率下的功耗優(yōu)化。這不僅降低了數(shù)據(jù)中心的運營成本，還提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時，先進的信號處理技術(shù)確保了信號在高速傳輸過程中的完整性和準確性，為大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的穩(wěn)定運行提供了堅實保障。

RCD04芯片符合JEDEC DDR5RCD04標準，采用雙通道內(nèi)存架構(gòu)和1.1V VDD電壓，支持雙通道1:2命令/地址/控制信號輸入的寄存緩沖，內(nèi)部集成PLL時鐘驅(qū)動模塊，每通道輸出5對差分時鐘信號。這些特性使得RCD04芯片能夠輕松應對新一代服務器平臺對內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求，為人工智能、機器學習等高要求工作負載提供了強大的內(nèi)存支持。

在RCD04芯片之前，瀾起科技已經(jīng)成功量產(chǎn)了DDR5第二子代和第三子代RCD芯片，為內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)迭代奠定了堅實基礎(chǔ)。

瀾起科技推出的DDR5第二子代RCD芯片（RCD02），最高支持5600MT/s速率，符合JEDEC DDR5RCD02標準。該芯片采用雙通道內(nèi)存架構(gòu)和1.1V VDD電壓，為數(shù)據(jù)密集型應用提供了更高容量、更低功耗的內(nèi)存解決方案。RCD02芯片的成功量產(chǎn)，標志著瀾起科技在DDR5內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力得到了初步驗證。

緊接著，瀾起科技又成功推出了DDR5第三子代RCD芯片（RCD03），最高支持6400MT/s速率，符合最新的JEDEC DDR5RCD03標準。RCD03芯片在RCD02的基礎(chǔ)上，進一步提升了內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度和穩(wěn)定性，滿足了新一代服務器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。這一技術(shù)突破，不僅鞏固了瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為后續(xù)RCD04芯片的研發(fā)奠定了堅實基礎(chǔ)。

瀾起科技表示，2025年上半年公司業(yè)績大幅增長，主要受益于AI產(chǎn)業(yè)趨勢，行業(yè)需求旺盛，公司的DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長，且第二子代和第三子代RCD芯片出貨占比增加，推動公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入大幅增長。

瀾起科技自2004年成立以來，一直致力于為云計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案。公司表示，未來將持續(xù)深化與全球服務器及內(nèi)存模組廠商的合作，全力推動基于 DDR5 第四子代技術(shù)的產(chǎn)品快速落地商用。