縱向深入：多系列精準(zhǔn)布局

芯天下針對(duì)不同場(chǎng)景需求，精準(zhǔn)設(shè)計(jì)并推出多樣化的NAND產(chǎn)品系列：

SPI NAND 系列

XT26G08DWSIGA / 26G08DWSIGA： 容量：8Gbit 工作電壓：2.7~3.6V 溫度范圍：-40°C 至 +85°C 封裝：WSON8 (8x6mm) 特性：支持Quad I/O高速數(shù)據(jù)接口，適用于空間受限的智能穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及便攜式電子設(shè)備。 產(chǎn)品狀態(tài)：量產(chǎn)（CS），穩(wěn)定供應(yīng)。

Parallel NAND 系列

XT27Q04A8BFIGA： 容量：4Gbit 工作電壓：1.7~1.9V 溫度范圍：-40°C 至 +85°C 封裝：BGA67 (8x6.5x0.89mm) ECC要求：8bit ECC糾錯(cuò) 特性：采用P-SLC NAND技術(shù)，提供更高的讀寫速度、更長(zhǎng)的使用壽命，適用于工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)應(yīng)用。 產(chǎn)品狀態(tài)：量產(chǎn)（CS），高可靠性。

XT27Q02A8BFIGA： 容量：2Gbit 工作電壓：1.7~1.9V 溫度范圍：-40°C 至 +85°C 封裝：BGA67 (8x6.5x0.89mm) ECC要求：8bit ECC糾錯(cuò) 特性：P-SLC技術(shù)，高性能穩(wěn)定性，適合嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制設(shè)備。

SD NAND 系列

NAND MCP 系列

63M4G8E6MM-CBBIA： 存儲(chǔ)容量：4G NAND (8bit ECC, x8) + 4G LPDDR4X (x16) 工作電壓：1.8V (NAND)/1.1V (LPDDR4X)/0.6V (接口) 溫度范圍：-40°C 至 +85°C 封裝：BGA149 (8x9.5x0.8mm) 特性：集成高速存儲(chǔ)和低功耗LPDDR4X內(nèi)存，專為移動(dòng)通信設(shè)備、智能終端設(shè)計(jì)，提升整體性能和功耗表現(xiàn)。 產(chǎn)品狀態(tài)：工程樣品（ES），適合前期開發(fā)及驗(yàn)證。

橫向布局：靈活封裝全場(chǎng)景適配

芯天下在產(chǎn)品封裝設(shè)計(jì)上提供多種選擇，以滿足不同客戶對(duì)尺寸、性能和應(yīng)用環(huán)境的需求：

WSON8 封裝：體積小巧（8x6mm），適用于智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子設(shè)備，節(jié)省空間并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。BGA67 封裝：小尺寸（8x6.5x0.89mm），高密度引腳布局，特別適合空間受限且需要高性能的工業(yè)控制設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)。BGA149 封裝：高集成度（8x9.5x0.8mm），適用于高性能移動(dòng)設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦等，提供優(yōu)異的存儲(chǔ)與處理能力。

綜合優(yōu)勢(shì)：性能可靠，供貨穩(wěn)定

寬泛的工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C，確保產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。靈活的電壓支持：多種電壓選項(xiàng)（1.7~3.6V），匹配不同電源環(huán)境需求。強(qiáng)大的ECC糾錯(cuò)能力：高達(dá)8bit ECC，保障數(shù)據(jù)完整性與長(zhǎng)壽命。穩(wěn)定的供應(yīng)鏈管理：清晰的量產(chǎn)（CS）和工程樣品（ES）狀態(tài)劃分，保證從樣品到大批量生產(chǎn)的順暢供應(yīng)。

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審核編輯 黃宇