2025年11月7-10日，中國電源界的年度盛會——中國電源學(xué)會年會（簡稱：CPSSC 2025）于深圳國際會展中心隆重召開。

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納微芯球2.0震撼登場，全新三大核心展區(qū)——AI數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)與能源基建和工業(yè)與高性能計算精彩亮相。

多款由GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術(shù)打造的全新demo閃亮登場，為現(xiàn)場觀眾描繪了全電氣化的未來藍(lán)圖。

納微經(jīng)驗豐富的行業(yè)專家們帶來了三場精彩工業(yè)報告，匯報了納微在關(guān)鍵行業(yè)最新進(jìn)展。超高干貨含量贏來陣陣掌聲。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過30年的經(jīng)驗積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、感測與保護(hù)功能高度集成，實現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。