在微電子行業(yè)混久了的人，很少有不知道IGBT的。

圖示為IGBT模塊MG15P12P2：15A 1200V 7單元
IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對于電子技術(shù)程序員來說，想必已經(jīng)耳熟能詳。然而對于工作需要用到IGBT、但從未專業(yè)學習過IGBT的人來說，IGBT到底是什么、它為什么叫IGBT、它的核心關(guān)鍵詞是什么、要怎么理解它等一系列問題并無法一次性在某個地方獲取到，都需要查閱大量的資料，學習大量的基礎(chǔ)才能有個初步的了解。

為了讓更多的人在更少的時間內(nèi)掌握IGBT，我將在這不定時更新自己所總結(jié)的知識，盡量嘗試用最通俗易懂的語言解釋其內(nèi)部的原理，希望能夠幫助對IGBT一頭霧水的小白們。
順帶提一句，剛開始接觸到IGBT的時候，我是這樣子的↓

對于純小白來說，了解一件東西最好的方式就是從名稱入手，抽絲剝繭，逐步了解。所以我們先從IGBT的全稱說起：絕緣柵雙極性晶體管，英文全稱為Insulated GateBipolar Transistor。晶體管是一種固體半導體器件，在這里可以理解為一種利用電信號（電流/電壓）控制開關(guān)斷的開關(guān)器件，不同于機械開關(guān)，它的開關(guān)速度非常快。

此名稱核心關(guān)鍵詞在“柵極”和“雙極性”上?！皷艠O”意味著IGBT是個電壓控制型器件，這是相比于電流型控制器件而言。簡單來說，電壓型控制器件主要是通過控制端電壓來控制器件的開通與關(guān)斷，而電流型控制器件的開關(guān)斷則主要被控制端電流的大小控制。電流控制型器件的共同特點是導通損耗小，所需驅(qū)動功率小，但是驅(qū)動電路復雜，工作頻率較低，如晶閘管、GTR等。而電壓控制型器件的共同特點在于輸入阻抗高、所需驅(qū)動功率小、驅(qū)動電路簡單、工作頻率高，如IGBT、MOSFET等。
此外，壓控器件在整體功耗方面也要低于流控器件。因此，根據(jù)具體工況條件及應(yīng)用要求，不同晶體管會被應(yīng)用在不同領(lǐng)域中。IGBT一般可應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域（變頻器、UPS電源、EPS電源）、新能源發(fā)電領(lǐng)域（風能發(fā)電、太陽能發(fā)電）、新能源汽車領(lǐng)域（充電樁、電動控制、車載空調(diào)）等。

圖示為：揚杰MG150HF12TLC1 150A 1200V 半橋IGBT模塊

“雙極性”是相較于“單極性”而言。兩者最主要的區(qū)別在于器件工作時，移動的電荷載流子是電子還是空穴，亦或是二者都有。

若只有一種載流子參與導電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結(jié)型晶體管）、IGBT等。兩者相對比，雙極性晶體管由于同時有電子和空穴參與導電，所以其關(guān)斷速度相比單極性晶體管來說更慢。
具體原因我們以今天的主角IGBT為例，通過分析IGBT在關(guān)斷過程中載流子的移動和分布來解釋以上這點。當IGBT正常工作時，p-base表面會形成導通溝道，電子從發(fā)射極經(jīng)n型漂移區(qū)流向集電極，而空穴將不斷地從集電極注入到n型漂移區(qū)。此時IGBT的外部表現(xiàn)為：存在負載電流，IGBT處于導通狀態(tài)。由于該區(qū)域?qū)挾容^寬，部分空穴會在此處與電子進行復合，其余空穴則擴散至p-base/n漂移區(qū)結(jié)（圖中J1結(jié)），最終由發(fā)射極收集。

熟悉了IGBT處于導通狀態(tài)時內(nèi)部載流子的運動，我們再來看關(guān)斷過程，IGBT的關(guān)斷過程可以視為兩個階段。在第一階段中，由于溝道反型層消失，所以負載電流會快速下降。在第二階段中，集電極-發(fā)射極電壓VCE逐漸增加，IGBT漂移區(qū)逐漸耗盡，漂移區(qū)中的剩余空穴載流子漂移至J1結(jié)，最終由發(fā)射極抽取。
當耗盡區(qū)不再擴展時，剩余空穴將通過與剩余電子復合消失，這個復合消失的過程就會造成IGBT的拖尾電流。而單極性元器件由于只是一種載流子導電，并不存在拖尾電流，因此關(guān)斷速度會更快。此外，由于電子和空穴的復合過程所需時間長短與載流子本身壽命有關(guān)，所以IGBT器件的關(guān)斷速度也受載流子壽命影響。
以上就是小編分享對IGBT元器件的部分內(nèi)容，希望能對剛剛接觸到IGBT的小伙伴們有幫助。


審核編輯 黃宇