11月19日至21日，2025英特爾技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會在重慶悅來國際會議中心隆重舉行。憶聯(lián)作為英特爾數(shù)據(jù)中心與人工智能事業(yè)部(DCAI)中國區(qū)首家國產(chǎn)SSD戰(zhàn)略合作伙伴深度參與本次盛會。這也是憶聯(lián)連續(xù)第二年受邀參與這一具有全球影響力的技術(shù)盛會，標(biāo)志著雙方合作已實(shí)現(xiàn)從產(chǎn)品適配、技術(shù)共研到生態(tài)共建的全面跨越。

大會期間，憶聯(lián)與英特爾、新華三、英維克聯(lián)合發(fā)布了雙路冷板式全域液冷服務(wù)器，并受邀在“IPDC硬件基礎(chǔ)架構(gòu)與生態(tài)論壇”與“現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心液冷技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)論壇”兩大平臺發(fā)表深度演講，充分展現(xiàn)了其在數(shù)據(jù)中心存儲領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

液冷協(xié)同突破

重塑數(shù)據(jù)中心能效標(biāo)桿

在英特爾技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會上，憶聯(lián)與英特爾、新華三、英維克共同推出基于英特爾至強(qiáng)6900系列性能核處理器的雙路冷板式全域液冷服務(wù)器。該創(chuàng)新方案實(shí)現(xiàn)了對關(guān)鍵熱源的高比例液冷覆蓋，在提升可靠性與能效的同時，顯著降低能耗與運(yùn)維成本，為數(shù)據(jù)中心散熱與能效樹立全新標(biāo)桿。方案深度融合了憶聯(lián)UH812a液冷SSD，該產(chǎn)品作為構(gòu)建高效液冷系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，進(jìn)一步強(qiáng)化了整體散熱能力與能效表現(xiàn)。

憶聯(lián)總經(jīng)理寇朋韜表示：“憶聯(lián)SSD是雙路冷板式全域液冷服務(wù)器的核心組件，這一應(yīng)用是憶聯(lián)應(yīng)對AI算力規(guī)?；魬?zhàn)的重要里程碑。我們將與合作伙伴深化創(chuàng)新，以高性能存儲方案驅(qū)動數(shù)據(jù)中心的能效革新，賦能其綠色高效發(fā)展?！?/p>

當(dāng)前，典型24盤位服務(wù)器的存儲子系統(tǒng)功耗已突破600W。如此集中的熱密度，使傳統(tǒng)風(fēng)冷方案面臨散熱極限。散熱問題已成為制約存儲性能持續(xù)釋放與數(shù)據(jù)中心PUE進(jìn)一步優(yōu)化的核心瓶頸。例如，企業(yè)級介質(zhì)的工作溫度上限是70℃，超越上限則會對數(shù)據(jù)可靠性造成影響。

面對這一系統(tǒng)級挑戰(zhàn)，憶聯(lián)的高性能存儲解決方案實(shí)現(xiàn)了從芯片到系統(tǒng)的全鏈路優(yōu)化——圍繞控制器芯片、熱管理算法、存儲部件板級設(shè)計(jì)、外殼結(jié)構(gòu)以及系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)適配五大層級進(jìn)行協(xié)同創(chuàng)新，在能效與散熱兩個維度實(shí)現(xiàn)同步突破。這一設(shè)計(jì)確保存儲設(shè)備在持續(xù)滿載工況下，依然能夠維持穩(wěn)定的高性能輸出與極致的低時延表現(xiàn)，有效避免因過熱導(dǎo)致的性能波動與可靠性風(fēng)險。

共建AI存儲生態(tài)

加速全場景存儲效能躍遷

在IPDC硬件基礎(chǔ)架構(gòu)與生態(tài)論壇閉門會議中，憶聯(lián)以“解鎖AI技術(shù)挑戰(zhàn)，憶聯(lián)SSD為智能時代打造極致存儲引擎”為主題，系統(tǒng)闡述了與英特爾在AI存儲領(lǐng)域的協(xié)同戰(zhàn)略。

隨著全球AI算力需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長，存儲系統(tǒng)已從后臺支撐角色演進(jìn)為決定AI效率的核心環(huán)節(jié)。憶聯(lián)積極應(yīng)對AI海量數(shù)據(jù)對低延遲的嚴(yán)苛需求，以及PCIe 5.0/6.0時代下帶寬與能效的雙重挑戰(zhàn)，持續(xù)推進(jìn)下一代存儲架構(gòu)的研發(fā)與落地。

憶聯(lián)冷板式液冷SSD通過優(yōu)化硬盤結(jié)構(gòu)與散熱設(shè)計(jì)，大幅提升了盤片與冷板的接觸效率，從而實(shí)現(xiàn)更高效的熱傳導(dǎo)。這不僅顯著降低了數(shù)據(jù)中心能耗，也為可持續(xù)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的硬件級支撐。

憶聯(lián)企業(yè)級M.2啟動盤，具備極速傳輸、高效節(jié)能、形態(tài)緊湊等優(yōu)勢，從而大幅縮短系統(tǒng)啟動時間，為提升數(shù)據(jù)中心運(yùn)維效率與服務(wù)響應(yīng)能力提供關(guān)鍵支撐。

憶聯(lián)高性能存儲方案，是基于英特爾至強(qiáng)6處理器平臺與憶聯(lián)UH812a SSD的全閃高性能存儲最佳實(shí)踐。通過內(nèi)核與SPDK雙路徑優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)卓越I/O表現(xiàn)，為高性能場景提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)存儲底座。

展望未來，憶聯(lián)與英特爾將持續(xù)深化在下一代存儲創(chuàng)新與全棧液冷等前沿領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作。為應(yīng)對AI訓(xùn)練、推理加速等場景的持續(xù)演進(jìn)，雙方將通過緊密的軟硬協(xié)同與系統(tǒng)級優(yōu)化，共同推動存儲基礎(chǔ)設(shè)施向更高效、可靠與可持續(xù)的方向邁進(jìn)，為千行百業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型注入新動能。