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威兆半導體推出的VSE002N03MS-G是一款面向 30V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術實現(xiàn)極致低導通電阻，適配低壓大電流 DC/DC 轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。

一、產品基本信息

器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
核心參數(shù)：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
- 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.2mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值4.4mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
- 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
  - 結溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：155A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為99A；
  - 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：63A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為36A；
- 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：620A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時超大電流需求。

參數(shù)	符號	數(shù)值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	30	V
柵源極電壓	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二極管連續(xù)正向電流	\(I_S\)	200	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)，結溫約束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 155；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 99	A
脈沖漏極電流	\(I_{DM}\)	620	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)，環(huán)境溫約束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 63；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 36	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	36	mJ
最大功耗（結溫約束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 36；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 20	W
最大功耗（環(huán)境溫約束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 3.8；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 2.3	W
結 - 殼熱阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.8 / 2.2	℃/W
結 - 環(huán)境熱阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	36 / 42	℃/W
工作 / 存儲溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設計；
典型應用：
- 低壓超大電流 DC/DC 轉換器：在 30V 級降壓拓撲中作為主開關管，低阻特性大幅降低傳導損耗；
- 同步整流電路：適配低壓大電流電源的同步整流回路，提升電源轉換效率；
- 高功率負載開關：用于工業(yè)設備、儲能系統(tǒng)的大電流負載通斷管理。