威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向 150V 中高壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封裝，適配中高壓電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值9.0mΩ，中高壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時105A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為74A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：284A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：結(jié)合 Osg、Ogd 參數(shù)優(yōu)化，兼顧快速開關(guān)與低開關(guān)損耗，提升中高壓場景能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 576mJ，感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 150V 級中高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器開關(guān)管；
  • 工業(yè)設(shè)備的中高壓電源管理系統(tǒng)；
  • 中功率負(fù)載的中高壓通斷控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）