全新發(fā)布的3300V / 2300V GeneSiC 碳化硅產(chǎn)品基于最新溝槽輔助平面柵技術(shù) Trench-Assisted Planar（TAP）與先進(jìn)封裝，實(shí)現(xiàn) AI 數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)電氣化系統(tǒng)的更高效率與更長壽命，包括儲(chǔ)能、可再生能源與兆瓦級(jí)快充等關(guān)鍵應(yīng)用。

下一代 GaNFast 氮化鎵（GaN）與 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 與 2300V 超高壓（UHV）SiC 產(chǎn)品已正式開始向市場(chǎng)提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態(tài)。該系列產(chǎn)品在超高壓功率電子器件領(lǐng)域樹立了全新的可靠性與性能標(biāo)桿。

自主研發(fā)的溝槽輔助平面柵技術(shù)（TAP）SiC MOSFET 技術(shù)全面提升性能與可靠性

納微全新3300V 和 2300V SiC器件基于其第四代 GeneSiC 平臺(tái)研發(fā)，采用 TAP （溝槽輔助平面柵技術(shù)）架構(gòu)，通過多級(jí)電場(chǎng)管理設(shè)計(jì)顯著降低電壓應(yīng)力、提升耐壓能力，相較傳統(tǒng) trench 或平面型 SiC MOSFET 展現(xiàn)更優(yōu)的電壓特性和可靠性。

納微的SiC MOSFET不僅具有 TAP 架構(gòu)帶來的更高的長期可靠性與雪崩能力；同時(shí)，其優(yōu)化的源極結(jié)構(gòu)將實(shí)現(xiàn)更高的單元密度與更佳的電流擴(kuò)散，進(jìn)一步改善開關(guān)性能指標(biāo)，并可在高溫環(huán)境下降低導(dǎo)通電阻。

創(chuàng)新封裝技術(shù)打造行業(yè)最優(yōu)的系統(tǒng)耐用性與功率密度

納微此次進(jìn)一步擴(kuò)展 3300V / 2300V UHV SiC 產(chǎn)品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應(yīng)用的需求。針對(duì)高功率密度與高可靠性系統(tǒng)，推出了先進(jìn)的 SiCPAK G+ 功率模塊，支持半橋與全橋拓?fù)洹?/p>

SiCPAK G+ 模塊采用獨(dú)特的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，相比業(yè)內(nèi)常見的硅膠灌封方案，可實(shí)現(xiàn) >60% 的功率循環(huán)壽命提升，以及 >10 倍的熱沖擊可靠性改進(jìn)。

該模塊系列還采用 AlN DBC （氮化鋁直接鍵合銅基板）以強(qiáng)化散熱性能，并引入全新大電流壓接引腳，使單 pin 電流能力提升一倍。

分立器件則提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247 與 TO-263-7 封裝。

強(qiáng)化型可靠性驗(yàn)證確保系統(tǒng)長期壽命

納微推出行業(yè)首創(chuàng)的可靠性驗(yàn)證基準(zhǔn) AEC-Plus*，其驗(yàn)證范圍遠(yuǎn)超既有的 AEC-Q101 與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)體現(xiàn)了納微對(duì)系統(tǒng)級(jí)長期壽命需求的深刻理解，并堅(jiān)持為電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施等關(guān)鍵應(yīng)用提供經(jīng)過嚴(yán)苛設(shè)計(jì)與驗(yàn)證的高可靠性產(chǎn)品。

AEC-Plus 可靠性驗(yàn)證包含大量擴(kuò)展項(xiàng)目，包括：

· 動(dòng)態(tài)反向偏置（DRB）與動(dòng)態(tài)柵極切換（DGS），以模擬高速開關(guān)場(chǎng)景中的嚴(yán)苛工況

· 靜態(tài)高溫高壓測(cè)試（HTRB、HTGB、HTGB-R）時(shí)長延長至標(biāo)準(zhǔn)的 3 倍以上

· 模塊級(jí) HV-THB 與分立 / KGD 的 HV-H3TRB 資格認(rèn)證

· 更長周期的功率循環(huán)與溫度循環(huán)測(cè)試

先進(jìn) KGD 生產(chǎn)篩選流程確保更高品質(zhì)與可靠性

為滿足定制化功率模塊的需求，納微最新一代 3300V 與 2300V SiC MOSFET 同時(shí)提供 KGD 裸片服務(wù)，為保證裸片與 SiCPAK G+ 模塊的卓越質(zhì)量，器件需通過先進(jìn)的生產(chǎn)篩選流程，包括：

· 切片后裸片的常溫與高溫全測(cè)試

· 六面光學(xué)檢測(cè)

高度嚴(yán)格的 KGD 方案確保納微為客戶僅提供最優(yōu)質(zhì)，最可靠的裸片，以用于系統(tǒng)制造，幫助客戶獲得更卓越的模組性能、良率與長期可靠性。

納微半導(dǎo)體SiC 事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Paul Wheeler：“全新的 3300V / 2300V SiC 產(chǎn)品組合將助力客戶在 AI 數(shù)據(jù)中心固態(tài)變壓器、以及公用事業(yè)級(jí)儲(chǔ)能與可再生能源系統(tǒng)中進(jìn)一步突破效率與可靠性瓶頸，樹立關(guān)鍵系統(tǒng)應(yīng)用的新標(biāo)準(zhǔn)?！?他同時(shí)補(bǔ)充道：“這一系列高可靠、高性能的超高壓（UHV）碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，是我們邁向 10 KV 電網(wǎng)技術(shù)路線的重要一步。通過結(jié)合專有 TAP 技術(shù)與創(chuàng)新封裝技術(shù)，執(zhí)行更嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證和生產(chǎn)測(cè)試，從而持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)，提供業(yè)界領(lǐng)先的高性能與高可靠性碳化硅產(chǎn)品?！?/span>

有關(guān) TAP 技術(shù) （溝槽輔助平面柵技術(shù)）的白皮書可通過點(diǎn)擊原文，免費(fèi)下載。

更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問：

· SiCPAK Power Modules: https://navitassemi.com/sicpak-modules/

· SiC MOSFET Known Good Die (KGD): https://navitassemi.com/known-good-die/

· SiC MOSFET Discrete : https://navitassemi.com/genesic-mosfets-products/

如需申請(qǐng)樣品，歡迎聯(lián)系納微銷售團(tuán)隊(duì)：info@navitassemi.com

*“AEC-Plus”指器件基于納微測(cè)試結(jié)果，其可靠性驗(yàn)證超越 AEC-Q101 與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動(dòng)人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過30年的經(jīng)驗(yàn)積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動(dòng)、控制、感測(cè)與保護(hù)功能高度集成，實(shí)現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請(qǐng)的專利超過300項(xiàng)，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。