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探索BGT60ATR24C ES Shield:XENSIV? 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)的奧秘

h1654155282.3538 ? 2025-12-21 09:40 ? 次閱讀
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探索BGT60ATR24C ES Shield:XENSIV? 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)的奧秘

在當(dāng)今的電子技術(shù)領(lǐng)域,雷達(dá)系統(tǒng)的發(fā)展日新月異。英飛凌的XENSIV? 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)就是其中的佼佼者,而B(niǎo)GT60ATR24C ES shield作為該平臺(tái)的重要組成部分,更是備受關(guān)注。今天,我們就來(lái)深入探討一下這個(gè)BGT60ATR24C ES shield。

文件下載:Infineon Technologies SHIELD_60ATR24ES_01演示板.pdf

一、平臺(tái)簡(jiǎn)介

1.1 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)

英飛凌的60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)是其60 GHz雷達(dá)解決方案的演示平臺(tái),它由Radar Baseboard MCU7微控制器板和雷達(dá)傳感器板(如BGT60ATR24C shield)組成。BGT60ATR24C shield需插入Radar Baseboard MCU7底部較長(zhǎng)的連接器中,具體連接方式如圖1所示。關(guān)于Radar Baseboard MCU7的詳細(xì)信息,可參考相應(yīng)的應(yīng)用筆記[1]。

1.2 關(guān)鍵特性

BGT60ATR24C shield旨在展示BGT60ATR24C的強(qiáng)大功能。它具有兩個(gè)發(fā)射通道和四個(gè)接收通道,為客戶在天線配置方面提供了極大的設(shè)計(jì)靈活性。該shield不僅便于快速原型設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成,還能用于產(chǎn)品特性的初步評(píng)估。開(kāi)發(fā)者可以根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的平臺(tái)。其應(yīng)用范圍十分廣泛,包括存在檢測(cè)、遺留兒童檢測(cè)(LBC)、后排乘客提醒(ROA)、接近感應(yīng)、人員計(jì)數(shù)/跟蹤、手勢(shì)識(shí)別、生命體征監(jiān)測(cè)等。在某些情況下,存在檢測(cè)僅需傳感器消耗1 mW的功率。在汽車(chē)領(lǐng)域,它可用于ROA、LBC和儀表盤(pán)控制;在其他領(lǐng)域,如智能音箱、家庭/建筑自動(dòng)化以及安全防護(hù)等方面也有應(yīng)用價(jià)值。

二、系統(tǒng)規(guī)格

2.1 典型功耗

整個(gè)60 GHz雷達(dá)傳感器平臺(tái)(由Radar Baseboard MCU7和BGT60ATR24C shield組成)的典型功耗如下: 條件 BGT60ATR24C shield功耗
傳感器連接但未激活(BGT60ATR24處于深度睡眠模式) ~0.25 mW(BGT)+~10 mW(晶體振蕩器)
BGT60ATR24C shield連接并處于連續(xù)波(CW)工作模式(兩個(gè)發(fā)射通道全開(kāi) - 最大功耗) ~500mW
條件 雷達(dá)系統(tǒng)功耗
MCU復(fù)位 ~10mW
無(wú)傳感器連接 ~150mW
傳感器連接但未激活(BGT60ATR24C處于深度睡眠模式) ~550mW
BGT60ATR24C shield連接并處于CW工作模式(兩個(gè)發(fā)射通道全開(kāi) - 最大功耗) ~1500mW

可以看到,不同工作狀態(tài)下的功耗差異較大,這對(duì)于我們?cè)谠O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)合理規(guī)劃電源供應(yīng)至關(guān)重要。大家在實(shí)際應(yīng)用中,是否會(huì)根據(jù)這些功耗數(shù)據(jù)來(lái)優(yōu)化電源管理呢?

三、硬件描述

3.1 概述

BGT60ATR24C shield的尺寸為26 mm x 16 mm,傳感器安裝在PCB頂部,底部則是貼片天線。目前的設(shè)計(jì)采用了兩層羅杰斯層壓板(頂層為RO3003,底層為RO4350B)。為了給MCU板提供正確的電平轉(zhuǎn)換電壓,$1.8 V{sensor}$電源線與$V{digital}$相連,具體可參考應(yīng)用筆記AN599的“電平轉(zhuǎn)換器”部分[1]。當(dāng)shield插入Radar Baseboard MCU7時(shí),傳感器的電源最初是關(guān)閉的,只有EEPROM通電。微控制器會(huì)讀取EEPROM的內(nèi)容,以確定插入傳感器接口的是哪種傳感器。不過(guò),使用BGT60ATR24C時(shí)并非必須使用這個(gè)EEPROM,因?yàn)樗幸粋€(gè)可以通過(guò)SPI直接讀取的內(nèi)部芯片ID。EEPROM只是為了確保與其他沒(méi)有芯片ID功能的英飛凌芯片兼容。

由于雷達(dá)傳感器對(duì)電源域的噪聲和串?dāng)_非常敏感,因此不同的電源域必須進(jìn)行去耦。在BGT60ATR24C shield上,通過(guò)在每個(gè)電源域(以及振蕩器電源)上使用π形低通濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。與雷達(dá)傳感器的通信主要通過(guò)串行外設(shè)接口(SPI)總線進(jìn)行,此外還需要兩條數(shù)字線用于操作。一條線在需要獲取新數(shù)據(jù)時(shí)向微控制器發(fā)出信號(hào),另一條則允許微控制器對(duì)傳感器進(jìn)行硬件復(fù)位。板上還安裝了一個(gè)LED指示燈,用于指示傳感器的激活或關(guān)閉狀態(tài)。

3.2 傳感器供電

雷達(dá)傳感器對(duì)電源電壓波動(dòng)和不同電源域之間的串?dāng)_非常敏感,因此低噪聲電源和適當(dāng)去耦的電源軌至關(guān)重要。Radar Baseboard MCU7提供了低噪聲電源,具體細(xì)節(jié)可參考應(yīng)用筆記AN599的第2.2節(jié)。圖3展示了用于去耦不同電源軌的π形低通濾波器的原理圖。鐵氧體磁珠用于在MHz范圍內(nèi)提供高電壓波動(dòng)衰減,例如SPI(最高運(yùn)行頻率為50 MHz)會(huì)在數(shù)字域中引起電壓波動(dòng),如果沒(méi)有去耦濾波器,這些波動(dòng)會(huì)轉(zhuǎn)移到模擬域。選擇鐵氧體磁珠是因?yàn)樗鼈兡軌蛱幚韨鞲衅鞯淖畲箅娏鳎s200 mA),同時(shí)具有低直流電阻(低于0.25 Ω)和高電感。高電感值會(huì)降低低通濾波器的截止頻率,從而在較低頻率下提供更好的去耦效果。大家在設(shè)計(jì)電源去耦電路時(shí),是否也會(huì)優(yōu)先考慮鐵氧體磁珠呢?

3.3 振蕩器

英飛凌的XENSIV? BGT60ATR24C雷達(dá)傳感器需要一個(gè)低相位抖動(dòng)和低相位噪聲的外部80 MHz振蕩器來(lái)提供穩(wěn)定的系統(tǒng)參考時(shí)鐘。因此,BGT60ATR24C shield采用了NDK NZ2520SHA石英振蕩器,如圖4所示。該振蕩器源將輸出穩(wěn)定的1.8 V數(shù)字信號(hào)。選擇振蕩器時(shí),最重要的參數(shù)是相位抖動(dòng)和相位噪聲,其他振蕩器應(yīng)具有與NDK NZ2520SHA相似的相位抖動(dòng)和相位噪聲。R6系列電阻用于降低傳感器處的RF電平,使其處于BGT60ATR24C的最佳范圍內(nèi)。如果重新設(shè)計(jì)電路板,包含不同的信號(hào)源或采用了截然不同的布局,則可能需要調(diào)整R1(150 Ω)的值。較高的電阻會(huì)導(dǎo)致雷達(dá)傳感器處的信號(hào)較低,如果信號(hào)電平過(guò)低,傳感器的相位噪聲會(huì)變差;而較低的電阻會(huì)提高傳感器處的信號(hào)電平,從而在雷達(dá)數(shù)據(jù)的距離 - 多普勒?qǐng)D中,近距離處會(huì)出現(xiàn)峰值(或虛假目標(biāo))。因此,需要測(cè)量相位噪聲和雷達(dá)數(shù)據(jù),并通過(guò)范圍 - 多普勒?qǐng)D來(lái)優(yōu)化布局的串聯(lián)電阻。大家在實(shí)際應(yīng)用中,有沒(méi)有遇到過(guò)因?yàn)檎袷幤鲄?shù)不合適而導(dǎo)致的問(wèn)題呢?

3.4 連接器

BGT60ATR24C shield是英飛凌XENSIV? 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)的擴(kuò)展板(不包含微控制器),必須連接到微控制器板,如Radar Baseboard MCU7。其主要連接器接口包含兩個(gè)Hirose DF40C - 20DP - 0.4V連接器,Radar Baseboard MCU7在其底部包含相應(yīng)的DF40HC(3.5) - 20DS - 0.4V(51)連接器。圖5描述了BGT60ATR24C shield上Hirose連接器的引腳排列和焊盤(pán)布局。為了向主機(jī)板提供正確的數(shù)字信號(hào)電平信息,$V_{digital}$線與1.8 V電源短接。RF屏蔽和MCU7板必須正確對(duì)齊。由于Hirose連接器在頻繁插拔時(shí)容易磨損,建議不要從短邊抬起電路板,而是從長(zhǎng)邊拉動(dòng),使短邊傾斜,這樣可以顯著延長(zhǎng)連接器的使用壽命。大家在使用連接器時(shí),是否也會(huì)注意這些細(xì)節(jié)來(lái)延長(zhǎng)其使用壽命呢?

3.5 EEPROM

BGT60ATR24C shield包含一個(gè)EEPROM存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)電路板標(biāo)識(shí)符等數(shù)據(jù),其連接方式如圖6所示。雖然BGT60ATR24C本身有內(nèi)部芯片ID可通過(guò)SPI直接讀取,但EEPROM的存在是為了確保與其他沒(méi)有芯片ID功能的英飛凌芯片兼容。

3.6 層堆疊

由于天線集成在PCB上,因此需要仔細(xì)選擇層堆疊。為了實(shí)現(xiàn)低損耗和增強(qiáng)性能,選擇了圖7所示的層堆疊。除了L1_Top和L2_GND之間的盲孔是激光鉆孔外,圖7中的所有過(guò)孔都是機(jī)械鉆孔。這種層堆疊設(shè)計(jì)能夠有效提高天線的性能,大家在設(shè)計(jì)PCB時(shí),是否也會(huì)根據(jù)天線的要求來(lái)精心選擇層堆疊呢?

3.7 金屬層概述

圖8至圖12展示了PCB的不同金屬層。第一層包含SMD組件、BGT60ATR24C芯片組和匹配網(wǎng)絡(luò);第二層是第一層上RF結(jié)構(gòu)的接地平面;第三層包含信號(hào)線和電源平面,提供BGT60ATR24C和其他組件所需的電壓域;第四層是第五層上天線的接地平面。不同金屬層的合理布局對(duì)于減少信號(hào)干擾和提高系統(tǒng)性能至關(guān)重要。大家在進(jìn)行PCB布局時(shí),是否會(huì)特別關(guān)注金屬層的安排呢?

四、布局概述

4.1 組件側(cè)

第一層是組件側(cè),包含對(duì)shield的RF性能至關(guān)重要的元素,如BGT60ATR24C雷達(dá)芯片、TX匹配結(jié)構(gòu)、RX匹配結(jié)構(gòu)以及通向天線側(cè)的饋通線。匹配結(jié)構(gòu)將BGT60ATR24C芯片封裝側(cè)的阻抗轉(zhuǎn)換為50 Ω,通向饋通線的傳輸線用于校正通道之間的相位差,確保所有RX通道和TX通道在天線側(cè)同相。為了使這些RF結(jié)構(gòu)正常工作,板與其他物體之間需要一定的距離,模擬顯示該距離應(yīng)大于1.8 mm,這也是shield應(yīng)插入MCU7板較高連接器一側(cè)的原因。匹配結(jié)構(gòu)和傳輸線之間的銅區(qū)域以及旁邊的過(guò)孔有助于增加單個(gè)RX和TX通道之間的隔離。為了避免影響RF性能,電路板所有與RF相關(guān)的區(qū)域都去除了阻焊層。大家在設(shè)計(jì)組件側(cè)布局時(shí),是否也會(huì)考慮這些因素來(lái)提高RF性能呢?

4.2 天線側(cè)

天線側(cè)由六個(gè)不同的天線組成。TX和RX側(cè)之間的結(jié)構(gòu)增加了TX到RX的隔離,單個(gè)側(cè)面周?chē)慕Y(jié)構(gòu)防止輻射到不需要的方向。為了提高RF性能,天線側(cè)沒(méi)有阻焊層。如果使用多輸入多輸出(MIMO)技術(shù),單個(gè)TX和RX天線的布局方式使得電路板具有多個(gè)虛擬天線,其中三個(gè)用于水平掃描,四個(gè)用于垂直掃描,其原理如圖16所示。這種天線布局設(shè)計(jì)能夠有效提高雷達(dá)系統(tǒng)的掃描能力,大家在設(shè)計(jì)天線布局時(shí),是否會(huì)借鑒這種MIMO技術(shù)的應(yīng)用呢?

五、TX和Rx通道

5.1 射頻通道之間的相位關(guān)系

由于BGT60ATR24C器件的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),單個(gè)通道之間的相位部分偏移180°。

5.1.1 TX輸出

TX輸出之間存在180°的相位差,如圖17所示。這種相位差在信號(hào)處理和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中需要特別注意,大家在處理TX輸出信號(hào)時(shí),是否會(huì)考慮這種相位差的影響呢?

5.1.2 RX通道

由于芯片上本地振蕩器(LO)的分布,單個(gè)RX通道在中頻(IF)側(cè)顯示出180°的相對(duì)相移(圖18)。為了在信號(hào)處理中獲得正確的相位結(jié)果,需要補(bǔ)償這種相移??梢酝ㄟ^(guò)硬件(在RX側(cè)為相應(yīng)通道添加180°相位)或軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)。具體的相移情況如下表所示:

RX通道 相移
RX1, RX2 180°
RX3, RX4

大家在進(jìn)行信號(hào)處理時(shí),會(huì)選擇哪種方式來(lái)補(bǔ)償這種相移呢?

六、測(cè)量結(jié)果

6.1 發(fā)射和接收天線匹配

該shield的天線設(shè)計(jì)在0.4 mm的羅杰斯RO4350B層壓基板上,與頂層使用的0.127 mm厚的基板相比,這種較厚的基板能夠支持更高的天線帶寬。所有測(cè)量都包括頂層的饋通。所實(shí)現(xiàn)的帶寬超過(guò)4 GHz,天線的中心頻率向更高頻率偏移,但可以通過(guò)微調(diào)將其移至BGT60ATR24C MMIC頻率帶的中心。圖19和圖20分別展示了測(cè)量的RX和TX天線匹配情況(包括饋通)。這種天線匹配性能對(duì)于雷達(dá)系統(tǒng)的準(zhǔn)確探測(cè)至關(guān)重要,大家在設(shè)計(jì)天線時(shí),是否會(huì)重點(diǎn)關(guān)注天線的匹配性能呢?

6.2 系統(tǒng)輻射特性

以下圖表展示了整個(gè)電路板的輻射特性。使用單個(gè)TX通道作為信號(hào)源,使用雷達(dá)橫截面(RCS)為$1 m^{2}$的角反射器作為目標(biāo),使用單個(gè)RX通道作為接收器。RF屏蔽在垂直和水平切割平面上以2°的步長(zhǎng)旋轉(zhuǎn),圖21展示了這些平面的定義。使用帶寬為500 MHz的調(diào)頻連續(xù)波(FMCW)啁啾作為測(cè)試信號(hào),起始頻率從58 GHz以500 MHz的步長(zhǎng)變化到62 GHz。接收到的振幅根據(jù)每個(gè)切割平面的峰值值進(jìn)行歸一化,考慮了每個(gè)RX通道的數(shù)據(jù)。測(cè)量結(jié)果表明,系統(tǒng)在BGT60ATR24C MMIC的整個(gè)頻率范圍內(nèi)工作良好,但天線仍需要一些微調(diào),特別是RX2。大家在測(cè)試系統(tǒng)輻射特性時(shí),是否也會(huì)遇到需要微調(diào)天線的情況呢?

總之,BGT60ATR24C ES shield作為英飛凌XENSIV? 60 GHz雷達(dá)系統(tǒng)平臺(tái)的重要組成部分,具有豐富的功能和出色的性能。在設(shè)計(jì)和應(yīng)用過(guò)程中,我們需要充分考慮其各個(gè)方面的特性,以實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能。希望通過(guò)本文的介紹,能讓大家對(duì)BGT60ATR24C ES shield有更深入的了解。大家在實(shí)際應(yīng)用中,如果遇到任何問(wèn)題或者有更好的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流!

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    的頭像 發(fā)表于 11-13 17:09 ?1450次閱讀

    英飛凌60GHz雷達(dá)感應(yīng)芯片賦能生命體征檢測(cè)技術(shù)

    在科技浪潮席卷而來(lái)的當(dāng)下,非接觸式生命體征檢測(cè)技術(shù)正成為改變生活與醫(yī)療場(chǎng)景的關(guān)鍵力量。英飛凌60GHz雷達(dá)方案,憑借前沿技術(shù)與創(chuàng)新應(yīng)用,為這一領(lǐng)域帶來(lái)全新突破,讓我們一同深入探尋其奧秘
    的頭像 發(fā)表于 09-19 15:03 ?1354次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>60GHz</b><b class='flag-5'>雷達(dá)</b>感應(yīng)芯片賦能生命體征檢測(cè)技術(shù)

    雷達(dá)SDK:DEMO BGT60TR13C無(wú)法與筆記本電腦通信的原因?

    你好,我有一塊DEMO BGT60TR13C電路板,但在與計(jì)算機(jī)連接時(shí)遇到了問(wèn)題。 當(dāng)我使用 USB 接口將其插入時(shí),綠色 LED 燈會(huì)定期閃爍,但 SDK 示例程序卻找不到設(shè)備。 我檢查了
    發(fā)表于 05-23 06:47
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