威兆半導(dǎo)體推出的 VS3620GPMC 是一款面向 30V 低壓超大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6 封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(VDSS?):30V,適配低壓供電場景;
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)?):VGS?=10V時 5.0mΩ、VGS?=4.5V時 8.1mΩ,低壓場景下傳導(dǎo)損耗低;
- 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V,柵極限制):T=25°C時 60A、T=100°C時 38A,承載能力極強;
- 脈沖漏極電流(IDM?):240A(T=25°C),可應(yīng)對瞬時超大電流沖擊。
二、核心特性
- VeriMOS? II 技術(shù):兼具低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性,提升低壓電源能效;
- 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 34mJ,抗沖擊能力強;
- 高功率密度:PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設(shè)計,散熱性能優(yōu)異;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(T=25°C,除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | VDSS? | 30 | V |
| 柵源極電壓 | VGS? | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | IS? | 60 | A |
| 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V,柵極限制) | ID? | T=25°C: 60;T=100°C: 38 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM? | 240 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS? | 34 | mJ |
| 最大功耗 | PD? | T=25°C: 31;T=100°C: 2.6 | W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | 、 | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
- 典型應(yīng)用:
- 30V 級低壓超大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備的超大電流負(fù)載開關(guān);
- 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關(guān)。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際以最新版手冊為準(zhǔn)。)
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