選型手冊：HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件
威兆半導體推出的 HCKD5N65BM2 是一款 650V 高壓高速 IGBT（搭配反并聯(lián)二極管），采用 TO-252 封裝，適配電機驅動、風扇驅動等場景。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型：Trench FS-Trench2 高速 IGBT（含反并聯(lián)二極管）
- 核心參數(shù)：
- 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（VCES?）：650V，適配高壓供電場景；
- 直流集電極電流（Ic?）：Tc?=25°C時 10A、Tc?=100°C時 5A，滿足中功率負載需求；
- 二極管正向電流（IF?）：Tc?=25°C時 10A、Tc?=100°C時 5A，適配續(xù)流場景。
二、核心特性
- Trench FS-Trench2 技術：兼具低導通壓降（VCE(sat)?）與快速開關特性；
- 反并聯(lián)快恢復二極管：開關損耗低，適配高頻場景；
- 高結溫特性：工作結溫范圍寬，可靠性強；
- 正溫度系數(shù)：便于多器件并聯(lián)使用。
三、關鍵額定參數(shù)（Tc?=25°C，除非特殊說明）
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 | VCES? | - | 650 | V |
| 直流集電極電流 | Ic? | Tc?=25°C | 10 | A |
| 直流集電極電流 | Ic? | Tc?=100°C | 5 | A |
| 反向重復峰值電壓 | VRRM? | - | 650 | V |
| 二極管直流正向電流 | IF? | Tc?=25°C | 10 | A |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓 | VGE? | 瞬態(tài)（t?0.1s） | ±20 | V |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝；
- 典型應用：
- 電機驅動電路；
- 風扇驅動系統(tǒng)；
- 白色家電（如家電設備的功率控制）。
五、信息來源
威兆半導體官方數(shù)據(jù)手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版資料為準。）
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
分立器件
+關注
關注
5文章
271瀏覽量
22333 -
MOS
+關注
關注
32文章
1764瀏覽量
101269 -
威兆半導體
+關注
關注
2文章
111瀏覽量
275
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
ALTERA器件選型手冊
ALTERA器件選型手冊目錄 1、 MAX7000系列器件 ………………………………………………………………………………………….1 2、
發(fā)表于 08-10 18:24
TO-247N封裝的650V集射極電壓IGBT RGSXXTS65DHR
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80
發(fā)表于 04-09 06:20
碳化硅混合分立器件 IGBT
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關 IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合
發(fā)表于 03-29 11:00
(ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT規(guī)格書
(ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT規(guī)格書免費下載。
發(fā)表于 10-17 16:35
?6次下載
ASEMI英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)IGBT規(guī)格書
ASEMI英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)IGBT規(guī)格書免費下載。
發(fā)表于 10-19 15:34
?2次下載
英飛凌汽車級IGBT管AIGW40N65H5
編輯-Z AIGW40N65H5用的TO-247封裝，是英飛凌一款汽車級IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）為250W，集電極截止電流（ICES）為40uA，G?E漏電流（IGES
發(fā)表于 02-24 09:40
?1次下載
650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 17:08
?0次下載
合科泰分立器件在65W快充產(chǎn)品中的選型指南
在快充電源市場中，65W功率段已成為兼顧便攜性與實用性的黃金檔位，如何為65W快充產(chǎn)品選擇合適的分立器件以實現(xiàn)效率、體積與可靠性的最佳平衡，是設計工程師面臨的核心挑戰(zhàn)。
onsemi NGTB50N65FL2WG IGBT：高性能開關應用的理想之選
onsemi NGTB50N65FL2WG IGBT：高性能開關應用的理想之選 在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的功率器件對于產(chǎn)品的性能和可靠性至關重要。今天，我們就來深入了解一下
安森美NGTB75N65FL2WG IGBT：高效開關應用的理想之選
安森美NGTB75N65FL2WG IGBT：高效開關應用的理想之選 在電子設計領域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）扮演著至關重要的角色，特別是在諸如太陽能逆變器、不間斷電源等對性能要求極高的應用場
onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT：高性能開關應用的理想之選
onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT：高性能開關應用的理想之選 在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種至關重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種電力電子設備中
onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT深度解析
onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT深度解析 在電子工程師的日常工作中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一個繞不開的關鍵器件。今天，我們就來深入探討一下 onsemi
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT：性能卓越的功率器件
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT：性能卓越的功率器件 在電子工程師的日常設計工作中，功率器件的選擇至關重要，它直接影響到整個電路的性能和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下安森
評論