電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 近日消息，臺積電計劃在嘉義科學(xué)園區(qū)先進封裝二期和南部科學(xué)園區(qū)三期各建設(shè)兩座先進封裝廠。這4座新廠的建成，將顯著提升臺積電在先進封裝領(lǐng)域的產(chǎn)能，進一步鞏固其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的核心地位。

臺積電在季度法人說明會上透露，先進封裝業(yè)務(wù)在2025年已貢獻約一成的企業(yè)營收，且未來增速預(yù)計將超過公司整體平均水平。在資本支出方面，先進封裝、掩膜制造及其他項目將合計占到臺積電今年整體資本開銷的10%至20%?？紤]到臺積電下一代前端先進制程產(chǎn)能預(yù)計在2027年至2029年間大規(guī)模上線，此次提前擴充后端先進封裝產(chǎn)能，有助于實現(xiàn)前后端產(chǎn)能的協(xié)調(diào)與同步，保障企業(yè)在芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈的高效運作。

隨著AI技術(shù)的迅猛發(fā)展，對芯片性能的要求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)封裝技術(shù)已難以滿足AI芯片對高性能、低功耗和高集成度的需求。在此背景下，先進封裝技術(shù)應(yīng)運而生，成為提升AI芯片性能的關(guān)鍵手段。

先進封裝技術(shù)通過2.5D封裝、3D封裝、扇出型封裝以及異質(zhì)集成封裝等方式，實現(xiàn)了芯片內(nèi)部組件的高密度集成和高效互連。這不僅顯著提升了AI芯片的性能和功耗比，還推動了AI芯片的小型化和集成化，為自動駕駛、智能家居、醫(yī)療健康等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域提供了強有力的支持。

以HBM（高帶寬內(nèi)存）為例，其本質(zhì)上是一種高度依賴3D堆疊與先進封裝工藝的產(chǎn)品。無論是TSV（硅通孔）、微凸點，還是與GPU、加速器的近距離互連，封裝環(huán)節(jié)都已從“成本中心”轉(zhuǎn)變?yōu)闆Q定性能、良率與交付節(jié)奏的關(guān)鍵變量。

臺積電作為全球半導(dǎo)體制造的龍頭，在先進封裝領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積淀和強大的產(chǎn)能掌控力。目前，臺積電已在CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）、SoIC（System on Integrated Chips）等先進封裝技術(shù)上取得了顯著進展。

CoWoS技術(shù)通過硅中介層實現(xiàn)芯片間的高速數(shù)據(jù)傳輸，顯著提高了芯片的集成度和性能。臺積電預(yù)計，到2026年底，每月的CoWoS晶圓產(chǎn)能將達到約12.5萬片，較2024年底的2.6-2.8萬片/月翻了一倍多。這一產(chǎn)能的擴張，將有效緩解當(dāng)前AI芯片供應(yīng)緊張的局面。

SoIC技術(shù)則專注于實現(xiàn)高密度的芯片垂直堆疊，進一步減小了芯片的形狀系數(shù)和互連電容，提高了功率效率。臺積電正在逐步增加SoIC的產(chǎn)能，預(yù)計到2026年底，每月的SoIC產(chǎn)能將達到約2萬片晶圓。此外，臺積電還在開發(fā)CoPoS（Chip-on-Package-on-Substrate）技術(shù)，旨在提升封裝面積利用率、生產(chǎn)效率并降低成本。

除了技術(shù)層面的突破，臺積電還在組織架構(gòu)上進行了重大調(diào)整。公司計劃任命首位先進封裝“總廠廠長”，實現(xiàn)旗下所有先進封裝廠區(qū)的統(tǒng)籌管理。

臺積電投資建設(shè)4座先進封裝設(shè)施，是其應(yīng)對AI時代挑戰(zhàn)、鞏固行業(yè)領(lǐng)先地位的重要舉措。