在現(xiàn)代智能健身器材中，高效、靜音、可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與電源管理是關(guān)鍵體驗(yàn)所在。江西薩瑞微電子推出的SR45C03PS N&P 溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借其低內(nèi)阻、高散熱、快速響應(yīng)等特性，成為跑步機(jī)、動(dòng)感單車(chē)、劃船機(jī)、力量器械等設(shè)備中電機(jī)控制與電源系統(tǒng)的理想半導(dǎo)體解決方案。

01

產(chǎn)品核心特點(diǎn)

Product core features

1

先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì)

/ Advanced trench unit design

采用高效Trench結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高開(kāi)關(guān)速度的平衡。

2

低熱阻設(shè)計(jì)

/ Low thermal resistance design

結(jié)到殼熱阻（Rjc）僅為 1.3℃/W，散熱性能優(yōu)異，支持高功率持續(xù)輸出。

3

低柵極電荷與快速開(kāi)關(guān)

/ Low gate charge and fast switching

柵極電荷（Qg）低至 33.6nC（N溝道） 與 30nC（P溝道），配合 ns 級(jí)開(kāi)關(guān)時(shí)間，提升系統(tǒng)響應(yīng)效率。

4

全面可靠性保障

/ Comprehensive reliability assurance

100% EAS（雪崩能量）測(cè)試、100% Rg（柵極電阻）測(cè)試，確保每顆器件都符合嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。

5

環(huán)保工藝

/ Environmental protection process

符合無(wú)鹵、無(wú)鉛環(huán)保要求，適用于綠色電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

02

關(guān)鍵性能參數(shù)

Key performance parameters

作為一款兼顧高電流承載與低損耗的 MOSFET，SR45C03PS 的關(guān)鍵參數(shù)堪稱 “實(shí)力派”：

N溝道 MOSFET

VDSS：30V

RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A

連續(xù)漏極電流：82A @ TC=25℃

柵極閾值電壓：1.0V ~ 2.5V

P溝道 MOSFET

VDSS：-30V

RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A

連續(xù)漏極電流：-75A @ TC=25℃

柵極閾值電壓：-1.2V ~ -2.5V

03

在健身器材中的核心應(yīng)用

Core application in fitness equipment

跑步機(jī)

• 高連續(xù)電流與峰值電流能力，滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)的動(dòng)力需求，應(yīng)對(duì)啟動(dòng)瞬間的沖擊電流；低導(dǎo)通損耗減少長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的能耗，配合寬溫范圍適配不同使用環(huán)境；

筋膜槍

• N+P 溝道集成設(shè)計(jì)適配無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)，快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)支持精準(zhǔn) PWM 調(diào)速，實(shí)現(xiàn)多檔位力度調(diào)節(jié)；緊湊封裝與低功耗特性，助力產(chǎn)品小型化與長(zhǎng)續(xù)航；

動(dòng)感單車(chē)

• 穩(wěn)定的功率控制性能適配電動(dòng)磁控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn) 32 檔以上精準(zhǔn)調(diào)阻，讓阻力變化均勻絲滑；低損耗設(shè)計(jì)延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命，適配智能阻力自動(dòng)調(diào)節(jié)場(chǎng)景；

橢圓機(jī)

• 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換能力助力能量回收系統(tǒng)，將運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的可變電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)綠色能源再利用；

健身功率計(jì)

• 低柵極電荷與快速開(kāi)關(guān)特性，提升功率檢測(cè)的響應(yīng)速度與精度，為運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)提供可靠支持。

04

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深耕者

Deep cultivator in power semiconductor field

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