精彩回顧

2026年1月21日，“車載應(yīng)用端的低壓MOSFET和高壓IGBT”在線研討會得到了大家的支持，再次謝謝大家的熱情參與！錯過本次直播的小伙伴，可以點擊下方查看回放。

1相關(guān)產(chǎn)品頁面

·安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET

·實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

·MOSFET產(chǎn)品列表

·IGBT產(chǎn)品列表

2相關(guān)產(chǎn)品頁面

面向車載應(yīng)用的產(chǎn)品目錄

晶體管的種類和特征

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

除此以外，羅姆君選取了研討會中一些有代表性的提問在這里與大家分享，供大家回顧。

Q

羅姆低壓MOSFET/碳化硅產(chǎn)品優(yōu)勢

A

低壓MOSFET車規(guī)級認(rèn)證齊全，采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻，減少功率損耗，采用新一代制造工藝與高性能封裝技術(shù)，在性能上實現(xiàn)了關(guān)鍵突破，具備高電流承載能力與卓越的散熱特性，能夠充分滿足各類高端應(yīng)用場景對穩(wěn)定性和可靠性的嚴(yán)苛要求。SiC器件全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，第四代溝槽柵結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)通電阻，開關(guān)損耗方面領(lǐng)先行業(yè)。

Q

車規(guī)高壓IGBT寬溫域參數(shù)漂移抑制方案

A

從芯片設(shè)計源頭降低參數(shù)的溫度敏感性，提升穩(wěn)定性。

使用AMB襯底，銅夾片，雙面散熱等封裝技術(shù)，降低熱阻和熱應(yīng)力，保證芯片在寬溫域下工作環(huán)境溫和均勻。

在驅(qū)動設(shè)計上增加主動抑制手段，通過外部電路實施“校正”參數(shù)漂移，確保系統(tǒng)行為一致。

Q

車規(guī)高壓IGBT保護響應(yīng)速度與車載安全規(guī)范適配

A

器件本身具備高短路耐受能力，搭配DESAT+電流采樣雙快速檢測、分級關(guān)斷策略，過溫保護設(shè)三級機制且內(nèi)置快響溫感；響應(yīng)時間滿足ISO 26262/6469標(biāo)準(zhǔn)，配合冗余設(shè)計、整車系統(tǒng)協(xié)同，實現(xiàn)故障快速處置與多層安全防護。

Q

羅姆車規(guī)封裝認(rèn)證與可潤濕側(cè)翼可靠性

A

全系列通過AEC-Q101、IATF 16949等核心車規(guī)認(rèn)證；可潤濕側(cè)翼封裝采用獨有電鍍工藝，高低溫循環(huán)、振動、熱沖擊等嚴(yán)苛測試中，參數(shù)變化小、零失效或低損耗，還支持AOI檢測，提升焊接合格率與機械穩(wěn)定性。

Q

RGP系列替換競品點火IGBT系統(tǒng)級驗證要點

A

首先確認(rèn)點火能量和波形，雪崩能量耐受是最重要的參數(shù)之一。

其次確認(rèn)極端工況結(jié)溫，進行耐久性測試等可靠性驗證。

同樣還要兼顧EMC測試，系統(tǒng)安全與診斷驗證。

Q

羅姆封裝技術(shù)獨特優(yōu)勢

A

羅姆的封裝技術(shù)核心圍繞“高散熱、高密度、高可靠”三大目標(biāo)，尤其針對汽車和工業(yè)等嚴(yán)苛應(yīng)用。采用雙面散熱封裝技術(shù)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化和材料創(chuàng)新，提高焊接工藝等完美滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，并優(yōu)化封裝內(nèi)部布局和引腳設(shè)計，有效降低柵極和源極寄生電感。