62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動板設計固態(tài)變壓器（SST）功率單元

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

基本半導體 BMF540R12KHA3（1200V/540A 62mm SiC半橋模塊）和青銅劍 2CP0220T12-ZC01（適配雙通道SiC驅(qū)動板）的數(shù)據(jù)手冊，這兩個核心器件性能優(yōu)異，非常適合用于構建大功率、高頻化、高功率密度的固態(tài)變壓器（SST）功率單元（PEBB）。

在典型的中高壓接入SST架構（如級聯(lián)H橋架構）中，一個標準的單一功率單元通常包含**單相AC-DC（有源前端整流）和隔離型DC-DC（雙有源橋）**兩個部分。

以下為您量身定制的 100kW 級 SST 功率單元的完整設計開發(fā)方案：

一、 功率單元系統(tǒng)級規(guī)格定義

額定傳輸功率：100 kW（預留20%裕量，最大可達120kW）。

直流母線電壓 (VDC?) ：800 V（1200V SiC器件的最佳安全工作電壓，適配驅(qū)動板內(nèi)置的1060V有源鉗位）。

交流側電壓：400V RMS（單相，作為低壓側或高壓側級聯(lián)單元均分電壓）。

開關頻率設計：

• AC-DC 側：20 kHz（平衡網(wǎng)側濾波電感體積與開關損耗）。
• DC-DC 側：50 kHz（發(fā)揮SiC高頻優(yōu)勢，極致壓縮隔離變壓器體積）。