LM5060:高側(cè)保護(hù)控制器的技術(shù)剖析與應(yīng)用設(shè)計(jì)
在電子工程師的日常工作中,選擇一款合適的高側(cè)保護(hù)控制器對(duì)于電路的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)剖析德州儀器(TI)的LM5060高側(cè)保護(hù)控制器,深入了解其特點(diǎn)、參數(shù)、功能以及應(yīng)用設(shè)計(jì)。
文件下載:lm5060.pdf
1. 器件概覽
1.1 特性亮點(diǎn)
LM5060具有眾多引人注目的特性,它采用汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)且符合AEC Q - 100規(guī)范,能適應(yīng)嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用環(huán)境。其寬輸入電壓范圍為5.5 V至65 V,這使得它在多種電源環(huán)境下都能穩(wěn)定工作。在功能安全方面表現(xiàn)出色,不僅具備功能安全能力,還提供相關(guān)文檔助力功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
該控制器在禁用模式下的靜態(tài)電流小于15μA,能有效降低功耗。它還能控制輸出上升時(shí)間,確保電容性負(fù)載的安全連接。通過(guò)電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET,并且具備可調(diào)節(jié)的欠壓鎖定(UVLO)、過(guò)壓保護(hù)(OVP)以及可編程的故障檢測(cè)延遲時(shí)間等功能。此外,它采用10引腳VSSOP封裝,節(jié)省了電路板空間。
1.2 應(yīng)用領(lǐng)域
LM5060的應(yīng)用范圍廣泛,主要涵蓋汽車車身電子以及工業(yè)電力分配與控制領(lǐng)域。在汽車環(huán)境中,它能為各種電子系統(tǒng)提供可靠的電源保護(hù);在工業(yè)領(lǐng)域,可保障電力分配和控制系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 器件詳細(xì)參數(shù)
2.1 絕對(duì)最大額定值
器件在不同引腳的絕對(duì)最大額定值有所不同。例如,VIN到GND的額定值為 - 0.3 V至75 V(LM5060禁用時(shí)),GATE到GND的額定值為 - 0.3 V至79 V。同時(shí),器件還規(guī)定了峰值回流溫度(260°C)、工作結(jié)溫(150°C)和存儲(chǔ)溫度范圍( - 65°C至150°C)等參數(shù)。需要注意的是,超出絕對(duì)最大額定值可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞,在設(shè)計(jì)時(shí)必須嚴(yán)格遵守。
2.2 ESD 額定值
其人體模型(HBM)的ESD額定值為±2000 V,充電設(shè)備模型(CDM)為±500 V。這表明在器件的存儲(chǔ)和使用過(guò)程中,需要采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施,以避免靜電對(duì)器件造成損害。
2.3 推薦工作條件
推薦的工作條件中,VIN范圍為5.5 V至65 V,使能電壓EN為0至65 V,GATE到GND為0至79 V等。在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)確保器件在這些推薦條件下工作,以保證其性能和可靠性。
2.4 熱信息
熱信息方面,給出了多種熱指標(biāo),如結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA為162.1°C/W,結(jié)到外殼(頂部)的熱阻RθJC(top)為57.3°C/W等。在實(shí)際應(yīng)用中,尤其是在高功率或熱敏感的環(huán)境下,需要根據(jù)這些熱指標(biāo)進(jìn)行合理的散熱設(shè)計(jì),以確保器件不會(huì)因過(guò)熱而性能下降或損壞。
2.5 電氣特性
電氣特性部分詳細(xì)列出了各引腳在不同條件下的參數(shù)。例如,VIN引腳在使能模式下的輸入電流IIN - EN在TJ = 25°C時(shí)典型值為1.7 mA;在禁用模式下,IIN - DIS在TJ = 25°C時(shí)典型值為9 μA。這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)依據(jù),工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
3. 功能與工作模式
3.1 功能框圖與概述
LM5060主要由電荷泵、各類比較器(如VGS狀態(tài)比較器、VDS故障比較器等)、定時(shí)器、復(fù)位鎖存器等組成。它能夠?qū)崿F(xiàn)可編程電流限制、開啟電壓控制、故障定時(shí)以及過(guò)壓保護(hù)等功能,還具備使能輸入和POWER GOOD輸出,方便工程師進(jìn)行系統(tǒng)的控制和狀態(tài)監(jiān)測(cè)。
3.2 工作模式
- 上電序列:當(dāng)EN引腳電壓高于2.0 V時(shí),啟動(dòng)上電序列。此時(shí),定時(shí)器電容以6μA的典型電流源充電,外部N溝道MOSFET的柵極通過(guò)GATE引腳以24μA的典型電流源充電。當(dāng)柵源電壓VGS達(dá)到5 V的典型閾值時(shí),定時(shí)器電容迅速放電至0.3 V,5μA的電流源開啟。隨后定時(shí)器電容繼續(xù)充電,直到VDS比較器檢測(cè)到無(wú)故障或電容電壓達(dá)到2 V的故障閾值。
- 狀態(tài)條件: LM5060對(duì)不同輸入條件有不同的輸出響應(yīng),具體表現(xiàn)在VIN引腳電流消耗、GATE充電電流、TIMER電容充電(或放電)電流、GATE放電電流以及nPGD的狀態(tài)等方面。通過(guò)合理設(shè)置輸入?yún)?shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的精確控制和故障保護(hù)。
4. 應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
4.1 應(yīng)用信息
- 柵極控制:電荷泵為外部N溝道MOSFET的柵極提供偏置電壓,使其高于輸入和輸出電壓。在正常工作時(shí),GATE引腳由24μA的典型電流源充電,其電壓被內(nèi)部齊納二極管鉗位在OUT引腳電壓以上約16.8 V。當(dāng)UVLO、EN輸入為低電平或VIN低于5.10 V時(shí),GATE引腳以2.2 mA的典型電流放電;當(dāng)出現(xiàn)故障(如定時(shí)器電容電壓達(dá)到2 V或OVP引腳電壓高于2 V)時(shí),GATE引腳以80 mA的典型電流放電。
- 故障定時(shí)器:通過(guò)在TIMER引腳連接外部電容來(lái)設(shè)置故障檢測(cè)延遲時(shí)間。當(dāng)定時(shí)器電容電壓達(dá)到2 V的閾值時(shí),表明出現(xiàn)故障,LM5060將以80 mA的電流放電MOSFET的柵極,并保持鎖存狀態(tài),直到EN、UVLO或VIN引腳電壓被拉低再拉高。在啟動(dòng)過(guò)程中,定時(shí)器電容的充電過(guò)程與MOSFET的VGS狀態(tài)密切相關(guān),不同階段的充電電流不同,以適應(yīng)不同的工作狀態(tài)。
- VGS和VDS相關(guān)考慮:VGS狀態(tài)比較器用于監(jiān)測(cè)MOSFET的柵源電壓狀態(tài),提供兩種故障定時(shí)器模式,以確保MOSFET在啟動(dòng)過(guò)程中正常切換。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)大的柵極泄漏電流時(shí),會(huì)導(dǎo)致定時(shí)器電容提前達(dá)到故障閾值,從而觸發(fā)故障保護(hù)。VDS故障比較器用于檢測(cè)SENSE引腳和OUT引腳之間的電壓差,當(dāng)OUT引腳電壓低于SENSE引腳電壓時(shí),會(huì)觸發(fā)故障保護(hù),定時(shí)器電容開始充電,若達(dá)到故障閾值,MOSFET將被關(guān)閉。
- 過(guò)流故障與重啟:VDS故障比較器可用于實(shí)現(xiàn)過(guò)流關(guān)機(jī)功能,通過(guò)監(jiān)測(cè)MOSFET的VDS電壓來(lái)判斷是否過(guò)流。根據(jù)TIMER引腳電容值、充電電流和故障閾值,可以計(jì)算出允許MOSFET導(dǎo)通過(guò)流的時(shí)間。當(dāng)發(fā)生過(guò)流故障且TIMER引腳電壓達(dá)到2 V時(shí),LM5060將鎖存關(guān)閉外部MOSFET,需要通過(guò)拉低并拉高EN、VIN或UVLO引腳來(lái)重啟。
- 使能、UVLO和OVP功能:使能引腳EN可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程開關(guān)控制,其閾值為CMOS兼容。當(dāng)EN引腳電壓低于0.8 V時(shí),LM5060進(jìn)入低電流禁用狀態(tài);高于2.0 V時(shí),內(nèi)部偏置電路和UVLO比較器開啟。UVLO功能用于在輸入電壓過(guò)低時(shí)關(guān)閉外部MOSFET,可通過(guò)電阻分壓器設(shè)置閾值,且具有約180 mV的滯后。OVP功能用于在輸入電壓過(guò)高時(shí)關(guān)閉MOSFET,通過(guò)電阻分壓器設(shè)置閾值,內(nèi)部有9.6μs的定時(shí)器過(guò)濾噪聲,OVP事件持續(xù)超過(guò)該時(shí)間將觸發(fā)保護(hù),且故障解除后可自動(dòng)重啟。
- nPGD引腳:nPGD引腳是一個(gè)開漏輸出,用于指示VDS故障狀態(tài)。當(dāng)SENSE引腳電壓高于OUT引腳電壓時(shí),nPGD引腳呈高阻抗?fàn)顟B(tài)。在實(shí)際應(yīng)用中,需要選擇合適的電阻來(lái)限制流入nPGD引腳的電流,建議將其低態(tài)電流限制在5 mA以下。
4.2 典型應(yīng)用案例
4.2.1 LM5060EVAL設(shè)計(jì)
該設(shè)計(jì)給出了具體的電路原理圖和設(shè)計(jì)要求,包括最大輸入電壓(OVP)為37 V、最小輸入電壓(UVLO)為9 V、輸出電流范圍為0 A至5.0 A、環(huán)境溫度范圍為0°C至50°C等。在詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程中,需要進(jìn)行VDS故障檢測(cè)和選擇合適的傳感引腳電阻Rs,通過(guò)公式計(jì)算MOSFET的漏源電流閾值。同時(shí),還可以通過(guò)在GATE引腳與GND之間添加電容來(lái)控制輸出上升時(shí)間,以避免MOSFET在啟動(dòng)過(guò)程中因功率損耗過(guò)大而損壞。 此外,故障檢測(cè)延遲時(shí)間通過(guò)連接在TIMER引腳的電容來(lái)設(shè)置,不同階段的故障延遲時(shí)間計(jì)算方法不同,需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行合理選擇。在選擇外部MOSFET時(shí),應(yīng)考慮其BV DSS額定值、最大瞬態(tài)電流額定值、閾值電壓、安全工作區(qū)和RDS(ON)等參數(shù)。輸入和輸出電容的選擇取決于電路的具體情況,其作用是限制電壓尖峰,保護(hù)器件。UVLO和OVP閾值可通過(guò)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行設(shè)置,有多種配置選項(xiàng)可供選擇。POWER GOOD指示器通過(guò)連接電阻來(lái)限制nPGD引腳的電流,輸入旁路電容用于過(guò)濾噪聲和電壓尖峰,對(duì)于大負(fù)載電容應(yīng)用,需要考慮放電電流的問(wèn)題,可通過(guò)添加放電電阻來(lái)限制電流,但同時(shí)需要重新調(diào)整Rs的值以保證電流傳感的準(zhǔn)確性。
4.2.2 反向極性保護(hù)應(yīng)用
包括使用二極管和電阻的兩種反向極性保護(hù)應(yīng)用。在使用二極管的方案中,通過(guò)添加額外的N溝道MOSFET、齊納二極管和多個(gè)二極管來(lái)防止反向極性時(shí)的電流導(dǎo)通,保護(hù)器件免受損壞。在使用電阻的方案中,通過(guò)在OUT引腳串聯(lián)電阻來(lái)限制反向電流,需要根據(jù)不同的電壓情況計(jì)算合適的電阻值,同時(shí)考慮電阻對(duì)故障檢測(cè)的影響,對(duì)Rs進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。
5. 電源與布局建議
5.1 電源建議
推薦的輸入電源工作電壓范圍為5.5 V至65 V,電源的VIN源電流額定值應(yīng)足夠大,以確保LM5060在各種負(fù)載和線路瞬態(tài)情況下都能正常工作。建議在VIN引腳附近放置一個(gè)10 nF或100 nF的陶瓷電容,以過(guò)濾噪聲和穩(wěn)定電源。
5.2 布局建議
布局應(yīng)遵循一定的準(zhǔn)則,如功率從輸入源到負(fù)載的流動(dòng)方向應(yīng)合理,使用較粗的導(dǎo)線來(lái)承載負(fù)載電流。VIN旁路電容應(yīng)靠近引腳2放置,TIMER電容應(yīng)靠近引腳7放置。在正常工作時(shí),LM5060的功耗較低,但在驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載的應(yīng)用中,需要考慮負(fù)載電容放電對(duì)器件的影響,可通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì)來(lái)保證器件的穩(wěn)定性。
總結(jié)
LM5060高側(cè)保護(hù)控制器憑借其豐富的功能、寬輸入電壓范圍和低靜態(tài)電流等優(yōu)勢(shì),為汽車和工業(yè)領(lǐng)域的電源保護(hù)提供了可靠的解決方案。電子工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,需要充分了解其各項(xiàng)特性和參數(shù),根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)和布局,以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中,還需要不斷進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化,以應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜的工作環(huán)境和故障情況。希望本文能為工程師們?cè)谑褂肔M5060時(shí)提供有益的參考,你在實(shí)際應(yīng)用中遇到過(guò)哪些與LM5060相關(guān)的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
應(yīng)用設(shè)計(jì)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
375瀏覽量
8666
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
開源硬件-PMP10748.1-完整的前端汽車類反極性保護(hù)和串聯(lián)故障保護(hù) PCB layout 設(shè)計(jì)
LM5050高側(cè)ORing FET控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
具有反極性保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)功能的低IQ高側(cè)開關(guān)控制器LM74502,LM74502H數(shù)據(jù)表
LM3477 用于開關(guān)穩(wěn)壓器的高效高側(cè) N 溝道控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060-Q1系列 汽車 5.5V 至 65V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060系列 5.5V 至 65V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060:高側(cè)保護(hù)控制器的技術(shù)剖析與應(yīng)用設(shè)計(jì)
評(píng)論