TPS2330/TPS2331：單通道熱插拔功率控制器的卓越之選

在電子設備的設計中，熱插拔技術對于提高系統(tǒng)的可維護性和可靠性至關重要。德州儀器（TI）的TPS2330和TPS2331單通道熱插拔控制器，憑借其豐富的功能和出色的性能，成為了眾多工程師的首選。今天，我們就來深入了解一下這兩款控制器。

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一、產(chǎn)品概述

TPS2330和TPS2331是單通道熱插拔控制器，它們使用外部N溝道MOSFET作為電源應用中的高端開關。這些設備具備過流保護（OCP）、浪涌電流控制、輸出功率狀態(tài)報告以及區(qū)分負載瞬態(tài)和故障的能力，這些特性對于熱插拔應用來說是至關重要的。

產(chǎn)品特性

1. 單通道高端MOSFET驅(qū)動：可提供穩(wěn)定的驅(qū)動能力，確保MOSFET的可靠工作。
2. 輸入電壓范圍廣：3V至13V的輸入電壓范圍，適應多種電源環(huán)境。
3. 輸出dV/dt控制：有效限制浪涌電流，保護設備免受電流沖擊。
4. 可編程斷路器：具備可編程的過流閾值和瞬態(tài)定時器，可根據(jù)不同應用需求進行調(diào)整。
5. 電源良好報告：帶有瞬態(tài)濾波器，能準確報告輸出電壓狀態(tài)。
6. 兼容CMOS和TTL：方便與各種數(shù)字電路接口。
7. 低待機電流：最大5μA的待機電流，降低功耗。
8. 多種封裝形式：提供14引腳SOIC和TSSOP封裝，滿足不同的應用場景。
9. 寬工作溫度范圍：-40°C至85°C的環(huán)境溫度范圍，適應惡劣的工作條件。
10. 靜電放電保護：增強設備的抗干擾能力。

二、引腳功能詳解

1. DISCH

DISCH引腳應連接到與GATE相連的外部N溝道MOSFET晶體管的源極。當MOSFET晶體管禁用時，該引腳用于放電負載，同時也是內(nèi)部柵極電壓鉗位電路的參考電壓連接。

2. ENABLE

TPS2330的ENABLE為低電平有效，TPS2331的ENABLE為高電平有效。當控制器啟用時，GATE電壓升高以開啟外部MOSFET。當TPS2330的ENABLE引腳拉高或TPS2331的ENABLE引腳拉低超過50μs時，MOSFET的柵極以受控速率放電，同時啟用一個晶體管來放電輸出大容量電容。此外，設備在啟用時開啟內(nèi)部穩(wěn)壓器PREREG，禁用時關閉PREREG，使總電源電流遠小于5μA。

3. FAULT

FAULT是一個開漏過流標志輸出。當過流條件持續(xù)足夠長的時間，使TIMER充電到0.5V時，設備鎖存關閉并將FAULT拉低。要重新開啟設備，必須切換ENABLE引腳或循環(huán)輸入電源。

4. GATE

GATE連接到外部N溝道MOSFET晶體管的柵極。當設備啟用時，內(nèi)部電荷泵電路通過提供約15μA的電流將該引腳拉高。開啟轉(zhuǎn)換速率取決于GATE端子的電容。如果需要，可以通過在該引腳和地之間連接電容來進一步降低開啟轉(zhuǎn)換速率，這些電容還可以減少浪涌電流并保護設備在電源開啟時免受誤過流觸發(fā)。電荷泵電路在外部MOSFET晶體管上產(chǎn)生9V - 12V的柵源電壓。

5. IN

IN應連接到驅(qū)動與GATE相連的外部N溝道MOSFET晶體管的電源。TPS2330/31從IN汲取工作電流，直到IN電源建立后才啟用。該設備支持3V、5V或12V的操作。

6. ISENSE和ISET

ISENSE與ISET結(jié)合實現(xiàn)對GATE的過流檢測。ISET通過連接到IN的外部電阻設置產(chǎn)生過流故障的電流大小。內(nèi)部電流源從ISET汲取50μA的電流。通過從IN到ISENSE的感測電阻（也連接到外部MOSFET的漏極），感測電阻上的電壓反映負載電流。如果ISENSE被拉到ISET以下，則認為存在過流條件。為確保斷路器正常工作，(I(ISENSE))和(I(ISET))不應超過(V_{I(IN)})。

7. PWRGD

PWRGD用于檢測VSENSE上的欠壓條件。該引腳是開漏輸出，在欠壓條件下被拉低。為了減少電壓軌上瞬態(tài)引起的PWRGD錯誤響應，電壓檢測電路包含一個20μs的去毛刺濾波器。當VSENSE低于參考電壓（約1.23V）時，PWRGD為低電平，指示電源軌電壓存在欠壓條件。當設備禁用時，PWRGD可能無法正確報告電源狀態(tài)，因為在禁用模式下PWRGD輸出晶體管沒有柵極驅(qū)動電源，即PWRGD處于浮空狀態(tài)。因此，在禁用模式下，PWRGD被拉高到其上拉電源軌。

8. TIMER

TIMER上的電容設置功率開關在過流時可以持續(xù)的時間，然后才關閉。當過流保護電路檢測到過大電流時，啟用一個電流源對TIMER上的電容充電。一旦TIMER上的電壓達到約0.5V，斷路器鎖存器設置，功率開關鎖存關閉。必須循環(huán)電源或切換ENABLE引腳才能重啟控制器。在高功率或高溫應用中，強烈建議從TIMER到地連接一個最小50pF的電容，以防止任何誤觸發(fā)。

9. VREG

VREG是內(nèi)部低壓差電壓穩(wěn)壓器的輸出，IN1為輸入。該穩(wěn)壓器用于為設備生成一個低于5.5V的穩(wěn)壓電源。應在VREG和地之間連接一個0.1μF的陶瓷電容，以幫助抑制噪聲。在這種配置下，禁用設備時，內(nèi)部低壓差穩(wěn)壓器也會禁用，從而切斷內(nèi)部電路的電源，使設備進入低靜態(tài)電流模式。在IN1低于5.5V的應用中，VREG和IN1可以連接在一起。然而，在這些條件下，禁用設備可能不會使設備進入低靜態(tài)電流模式，因為內(nèi)部低壓差電壓穩(wěn)壓器被旁路，從而使內(nèi)部電路保持工作狀態(tài)。如果VREG和IN1連接在一起，并且IN1已經(jīng)有一個1μF至10μF的旁路電容，則不需要在VREG和地之間連接0.1μF的陶瓷電容。

10. VSENSE

VSENSE可用于檢測外部電路的欠壓條件。如果VSENSE檢測到電壓低于約1.23V，PWRGD被拉低。

三、電氣特性

1. 輸入電流

在推薦的工作溫度范圍（-40°C < (T_{A}) < 85°C）內(nèi)，當VI(ENABLE) = 5V（TPS2331），VI(ENABLE) = 0V（TPS2330）時，IN的輸入電流II(IN)為0.5 - 1mA；當VI(ENABLE) = 0V（TPS2331），VI(ENABLE) = 5V（TPS2330）時，待機電流II(stby)（IN、ISENSE和ISET的電流總和）最大為5μA。

2. 柵極電壓

不同輸入電壓下，柵極電壓VG(GATE)有不同的取值范圍。例如，當VI(IN) = 3V時，VG(GATE_3V)為9 - 11.5V；當VI(IN) = 4.5V時，VG(GATE_4.5V)為10.5 - 14.5V；當VI(IN) = 10.8V時，VG(GATE_10.8V)為16.8 - 21V。

3. 定時器特性

定時器的閾值電壓V(TO_TIMER)為0.4 - 0.6V，充電電流為35 - 65μA，放電電流為1 - 2.5mA。

4. 斷路器特性

不同RISET電阻值和溫度條件下，斷路器的閾值電壓VIT(CB)不同。例如，當RISET = 1kΩ，TA = 25°C時，VIT(CB)為40 - 60mV。

四、應用信息

1. 輸入電容

在熱插拔板的連接器附近的輸入電源端子上，應放置一個0.1μF的陶瓷電容與一個1μF的陶瓷電容并聯(lián)，以幫助穩(wěn)定卡上的電壓軌。對于功率環(huán)境更惡劣的應用，建議在熱插拔板的輸入端子附近使用2.2μF或更高的陶瓷電容。IN的旁路電容應靠近設備放置。

2. 輸出電容

每個負載建議使用一個0.1μF的陶瓷電容，這些電容應靠近外部FET和TPS2330/31放置。同時，建議在負載上使用一個較大的大容量電容，其值應根據(jù)應用的功率要求和產(chǎn)生的瞬態(tài)來選擇。

3. 外部FET

為了將功率從輸入源傳遞到負載，控制器需要一個外部N溝道MOSFET。文檔中列出了一些常用的MOSFET，如IRF7601、MTSF3N03HDR2等，市場上還有許多其他MOSFET也可用于熱插拔系統(tǒng)。

4. 定時器設置

對于大多數(shù)應用，建議使用最小50pF的電容連接在TIMER和地之間，以防止誤觸發(fā)。過流條件會使一個50μA的電流源開始對該電容充電。如果過流條件持續(xù)到電容充電到約0.5V，TPS2330/31將鎖存關閉晶體管并將FAULT引腳拉低。定時器電容可以根據(jù)需要增大，以提供額外的時間延遲，時間延遲約為：(dt(sec)=C_{(TIMER) }(F) × 10,000(Omega))。

5. 輸出電壓轉(zhuǎn)換速率控制

當啟用時，TPS2330/TPS2331控制器為外部MOSFET晶體管的柵極提供約15μA的電流。MOSFET源極電壓的轉(zhuǎn)換速率受外部MOSFET電容的柵漏電容(C_{gd})限制。如果需要更慢的轉(zhuǎn)換速率，可以在外部MOSFET的柵極和地之間連接額外的電容。

6. VREG電容

連接到VREG的內(nèi)部電壓穩(wěn)壓器需要一個外部電容來確保穩(wěn)定性，建議使用0.1μF或0.22μF的陶瓷電容。

7. 柵極驅(qū)動電路

TPS2330/TPS2331的每個柵極驅(qū)動端子有四個獨立的特性：

• 約15μA的充電電流用于啟用外部MOSFET晶體管，該電流由內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生，可產(chǎn)生9V - 12V的柵源電位（參考DISCH）。
• 約75μA的放電電流用于禁用外部MOSFET晶體管。當晶體管柵極電壓降至約1.5V以下時，該電流禁用，UVLO放電驅(qū)動器啟用，使設備進入低電流關機模式，同時確保外部MOSFET晶體管的柵極保持低電壓。
• 在UVLO條件下，MOSFET晶體管的柵極由內(nèi)部PMOS晶體管下拉，即使IN處的電壓為0V，該晶體管仍繼續(xù)工作，有助于在電源突然施加到系統(tǒng)時保持外部MOSFET晶體管關閉。
• 在過流故障條件下，出現(xiàn)過流的外部MOSFET晶體管由內(nèi)部下拉電路迅速關閉，該電路能夠從引腳汲取超過400mA（4V時）的電流。當柵極被拉到約1.5V以下時，該驅(qū)動器斷開，UVLO驅(qū)動器啟用。

8. 設置電流限制斷路器閾值

電流感測電阻(R{ISENSE})和電流限制設置電阻(R{ISET})決定通道的電流限制，可通過以下公式計算：(I{LMT }=frac{R{ISET } × 50 × 10^{-6}}{R{ISENSE }})。通常(R{ISENSE})非常?。?.001Ω - 0.1Ω）。如果(R{ISENSE})和ISENSE的連接點與(R{ISENSE})和(R{ISET})的連接點之間的走線和焊點電阻大于(R{ISENSE})值的10%，則應將這些電阻值添加到上述計算中使用的(R_{ISENSE})值中。

9. 設置電源良好閾值電壓

連接在(V{O})和地之間的兩個反饋電阻(R{VSENSETOP})和(R{VSENSEBOT})形成一個電阻分壓器，設置VSENSE引腳的電壓。VSENSE電壓等于：(V{I(SENSE)}=V{O} × R{VSENSETOP} /left(R{VSENSETOP }+R{VSENSEBOT}right))。該電壓與內(nèi)部電壓參考（1.225V ±2%）進行比較，以確定輸出電壓水平是否在指定的容差范圍內(nèi)。例如，給定(V{O})的標稱輸出電壓，并定義(V_{Omin})為所需的最小輸出電壓，則反饋電阻可通過以下公式定義：(R{VSENSETOP }=frac{V{Omin }-1.225}{1.225} × R{VSENSEBOT })。首先選擇一個較大的標準電阻值作為(R{VSENSEBOT})以減少功率損耗，然后將所有已知值代入上述公式計算(R{VSENSETOP})。當(V{O})低于(V_{O_min})時，只要控制器啟用，PWRGD就為低電平。

10. 欠壓鎖定（UVLO）

TPS2330/TPS2331包括欠壓鎖定（UVLO）功能，用于監(jiān)測VREG引腳上的電壓。如果VREG上的電壓降至2.78V（標稱）以下，該功能將禁用外部MOSFET；當電壓升至2.85V（標稱）以上時，重新啟用正常操作。由于VREG通過低壓差電壓穩(wěn)壓器從IN供電，VREG上的電壓與IN上的電壓相差在50mV以內(nèi)。在欠壓鎖定期間，GATE由內(nèi)部PMOS下拉晶體管保持低電平，確保外部MOSFET晶體管在電源降至0V時仍保持關閉。

11. 上電控制

TPS2330/TPS2331包括一個500μs（標稱）的啟動延遲，確保內(nèi)部電路在設備開始開啟外部MOSFET之前有足夠的時間啟動。該延遲僅在電源快速施加到電路時觸發(fā)。如果電源緩慢上升，欠壓鎖定電路可提供足夠的保護，防止欠壓操作。

五、典型應用

1. 典型熱插拔應用

在典型的雙熱插拔應用中，PWRGD和FAULT的上拉電阻應相對較大（如100kΩ），以減少功率損耗，除非需要驅(qū)動大負載。

2. 三通道熱插拔應用

一些應用需要對多達三個電壓軌進行熱插拔控制，但可能不需要明確檢測所有三個電壓軌的輸出功率狀態(tài)。例如，在設備托架中，需要對3.3V、5V和12V進行dV/dt控制。通過使用TPS2330/TPS2331驅(qū)動所有三個電源軌，可以在監(jiān)測其中一個負載狀態(tài)的同時，為三個負載提供三種不同的電壓。

六、總結(jié)

TPS2330和TPS2331單通道熱插拔控制器以其豐富的功能、出色的性能和廣泛的應用場景，為電子工程師在熱插拔設計中提供了可靠的解決方案。無論是在提高系統(tǒng)的可維護性、可靠性還是降低功耗方面，都具有顯著的優(yōu)勢。在實際應用中，工程師們可以根據(jù)具體需求，合理選擇和配置這些控制器，以實現(xiàn)最佳的設計效果。你在使用類似熱插拔控制器的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。