偽SRAM本質(zhì)上是一種經(jīng)過優(yōu)化的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），其核心技術(shù)在于通過內(nèi)置的控制邏輯電路，模擬傳統(tǒng)SRAM的接口時序，從而在使用上具備SRAM的簡便性。用戶無需關(guān)心內(nèi)部復(fù)雜的刷新機制，即可像操作標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM一樣進(jìn)行讀寫。雖然存儲單元依然基于DRAM的電容結(jié)構(gòu)，需要定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性，但得益于內(nèi)部集成刷新電路，偽SRAM實現(xiàn)了“免刷新操作”的體驗，大幅降低了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度。

偽SRAM存儲器psram本質(zhì)上是一種特殊的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它通過內(nèi)部的硬件電路模擬SRAM的接口，使得外部看起來像SRAM一樣操作簡單。但內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的基本單元仍是電容，需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)的正確性。

由于采用DRAM存儲單元，偽SRAM能夠在同樣面積下實現(xiàn)更高容量，同時其超低功耗技術(shù)使其在對能耗敏感的便攜設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。EMI164LA16LM-70I采用與低功耗異步SRAM兼容的接口設(shè)計，工程師無需修改現(xiàn)有控制邏輯即可無縫替換，極大降低了開發(fā)成本與周期。偽SRAM芯片適用于工業(yè)控制、智能儀表、通信模塊、物聯(lián)網(wǎng)終端等對成本、功耗和體積有嚴(yán)格要求的嵌入式系統(tǒng)。

深圳市英尚微電子有限公司作為綜合電子元件產(chǎn)品供應(yīng)商，提供包括存儲芯片、半導(dǎo)體產(chǎn)品、MCU單片機、藍(lán)牙芯片等產(chǎn)品的專業(yè)選型設(shè)計服務(wù)。如需技術(shù)咨詢、選型或應(yīng)用支持，請訪問英尚微電子網(wǎng)頁獲取信息。

審核編輯 黃宇