南亞科技近日首度對外界披露其定制化AI內(nèi)存的研發(fā)進度。公司表示，正與多家邏輯IC廠及生態(tài)系伙伴合作，部分產(chǎn)品已進入試產(chǎn)階段，預(yù)計今年下半年將浮現(xiàn)更多具體成果。

此次南亞科技主推的技術(shù)為 UltraWIO（Ultra Wide I/O，超寬輸入輸出介面）架構(gòu)內(nèi)存。該架構(gòu)并非JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DRAM產(chǎn)品，而是與客戶的AI運算引擎（AI Engine）緊密整合的客制化方案。其概念類似于高帶寬內(nèi)存（HBM）與GPU之間的協(xié)作模式，通過大幅增加數(shù)據(jù)通道數(shù)與帶寬，解決AI運算中的數(shù)據(jù)存取效率瓶頸。

在物理整合上，UltraWIO將采用 3D堆疊與先進封裝技術(shù)，未來可能導(dǎo)入Wafer-on-Wafer（WoW）技術(shù)，其中第一層DRAM堆疊將由南亞科技自行完成，邏輯芯片則由合作伙伴設(shè)計。

針對市場布局，南亞科技指出，現(xiàn)階段AI運算仍以GPU搭配HBM為主流，但隨著AI推理需求快速增長，未來不一定所有應(yīng)用都采用HBM，可能會出現(xiàn)更多內(nèi)存架構(gòu)組合，例如GDDR、Local Memory及客制化內(nèi)存。隨著AI PC、AI手機及各類終端AI裝置需求升溫，南亞科技期望通過 UltraWIO客制化內(nèi)存與ASIC的異質(zhì)整合，在新興AI終端運算市場建立技術(shù)壁壘。

此前，南亞科技總經(jīng)理李培瑛表示，AI 應(yīng)用內(nèi)存的四大關(guān)鍵元素分別是高密度先進 DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設(shè)計能力、邏輯 Base Die。

南亞科技目前已完成高密度先進 DRAM 技術(shù)部署，正同伙伴補丁科技、福懋科技一道推進 TSV 和封裝，HBM 設(shè)計和邏輯制程 Base Die 則將以戰(zhàn)略性投資與合作形式實現(xiàn)。其定制化 DRAM 項目預(yù)計最快可在 2026 年取得驗證，2026 年底至 2027 年貢獻(xiàn)業(yè)績。