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APS6404L-SQN-ZR:助力智能設備性能翻倍

貝樂實業(yè) ? 來源:jf_74295132 ? 作者:jf_74295132 ? 2026-03-12 16:20 ? 次閱讀
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免費樣品申請:中國區(qū)一級代理商:深圳市貝樂實業(yè)股份有限公司

品牌:愛普(AP Memory)

型號:APS6404L-SQN-ZR

容量:64Mbit

產品類型:PSRAM (Pseudo SRAM)

接口類型:SPI;QPI

工作電壓:1.62V~1.98V

封裝:USON-8(2x3)

APS6404L-SQN-ZR是一款64Mbit的 PSRAM(偽靜態(tài)隨機存取存儲器),由 AP Memory公司生產。它結合了 DRAM的高密度與 SRAM的簡易接口,并以低功耗、高速和小封裝為特點,專為空間受限和電池供電的嵌入式應用而優(yōu)化。

為什么它是“偽”靜態(tài)?

這顆料本質上是一顆1Mb x 16 x 4 banks的DRAM陣列,但之所以叫PSRAM,是因為我們在芯片內部集成了刷新邏輯

對于MCU來說,它看起來就是SRAM:大家不需要像用SDRAM那樣去配置刷新定時器。內部我們做了RAS/CAS時序控制,對外透明。

隱藏的刷新周期:雖然接口是SPI,但在芯片內部,當進行刷新操作時,如果恰好遇到主機讀請求,會有極小的延遲(< 60ns),這點在硬實時系統(tǒng)中需要留意,但在大多數(shù)音頻、圖像處理場景中無需擔心。

功耗特性與電源設計

這顆料采用1.8V核心電壓,這是它與普通3.3V SPI Flash最大的不同,也是最容易出問題的點。

電壓兼容性:VCC范圍嚴格在1.62V - 1.98V。如果你用3.3V的MCU直連,必須加電平轉換電路,否則會燒毀內部1.8V的氧化物層。

Deep Sleep Mode (深度睡眠模式)

通過特定的命令進入DSM后,電流可以降到~0.015mA

應用技巧:對于電池供電的穿戴設備,如果10分鐘內不訪問PSRAM,建議硬件上拉CE拉高,發(fā)命令進入DSM,這比單純待機模式省電一個數(shù)量級。

它能在哪里大顯身手呢?

1.離線語音識別插座/音箱

(主芯片:樂鑫ESP32-S3/恒玄 +本芯片)

項目痛點:本地語音喚醒和識別模型(比如2MB+3MB)太大,內部RAM裝不下。如果用外部Flash,運行速度慢,還影響實時錄音。

PSRAM神操作代碼/數(shù)據(jù)就地執(zhí)行!直接把5MB的神經網絡模型扔進PSRAM。當麥克風采集到聲音,MCU直接從PSRAM調用模型進行推理計算。144MHz的頻率足夠快,人還沒反應過來,燈已經亮了。再劃出一塊區(qū)域做音頻環(huán)形緩沖區(qū),存下喚醒前后的語音,保證命令識別的完整性。

2.智能門鎖/指紋識別器

(主芯片:兆易創(chuàng)新GD32/NXP RT系列 +本芯片)

項目痛點:指紋圖像注冊需要存儲多張模板和算法臨時變量,RAM越大,識別越快越準。

PSRAM神操作:作為大容量運算緩存。錄入指紋時,高清圖像數(shù)據(jù)直接存入PSRAM,算法在這里進行特征提取和比對,不僅提升了識別速度,還能支持存儲更多指紋用戶。

3.智能手表/手環(huán)

(主芯片:Ambiq Apollo4系列 +本芯片)

項目痛點:要跑流暢的GUI(LVGL/柿餅UI),要顯示高清圖片,內部RAM根本不夠用,刷屏慢得像“幻燈片”。

PSRAM神操作:把它作為顯示幀緩沖!MCU先在內部SRAM畫好一小塊UI,然后通過DMA+QPI模式,以576Mbps的高速將數(shù)據(jù)“刷”到PSRAM的顯存區(qū),屏幕顯示瞬間絲滑。同時,由于PSRAM功耗極低,待機時進入深度睡眠模式,幾乎不耗電,續(xù)航杠杠的!

APS6404L-SQN-ZR是一個高性價比的內存擴展方案。它犧牲了一點隨機訪問速度,換來了大容量和小封裝。只要大家做好1.8V電源和QPI模式的配置,它能在物聯(lián)網和穿戴設備上發(fā)揮很大的作用。如果你的下一款產品受限于內存,別急著換平臺,試試APS6404L-SQN-ZR,加幾塊錢成本,性能翻倍的快樂就來了!

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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