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深入解析SGM61234:28V、2A、5V固定輸出非同步降壓轉(zhuǎn)換器

lhl545545 ? 2026-03-19 13:55 ? 次閱讀
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深入解析SGM61234:28V、2A、5V固定輸出非同步降壓轉(zhuǎn)換器

一、引言

在電子設(shè)計領(lǐng)域,降壓轉(zhuǎn)換器是不可或缺的元件。SGM61234作為一款高性能的非同步降壓轉(zhuǎn)換器,以其寬輸入電壓范圍、高輸出電流能力和豐富的保護功能,在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出卓越的性能。本文將深入解析SGM61234的特點、工作原理、應(yīng)用設(shè)計等方面,為電子工程師提供全面的參考。

文件下載:SGM61234.pdf

二、產(chǎn)品概述

SGM61234是一款固定5V輸出的非同步降壓轉(zhuǎn)換器,輸入電壓范圍為6.5V至28V,具備2A的連續(xù)輸出電流能力。它采用峰值電流模式控制,并帶有斜率補償,還具備脈沖跳過模式(PSM)以提高輕載效率。該器件的開關(guān)頻率可通過外部電阻(RT)在50kHz至1.1MHz之間調(diào)節(jié),同時采用擴頻技術(shù)降低電磁干擾(EMI)峰值。此外,它還具備自然的逐周期電流限制、頻率折返機制和熱關(guān)斷保護等功能,可有效保護器件免受過流、短路和過熱等故障的影響。

三、產(chǎn)品特性

3.1 寬輸入電壓范圍

6.5V至28V的寬輸入電壓范圍,使其能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,滿足不同應(yīng)用場景的需求。

3.2 固定5V輸出

提供穩(wěn)定的5V固定輸出電壓,為后續(xù)電路提供可靠的電源。

3.3 高輸出電流能力

最大連續(xù)輸出電流可達2A,能夠滿足大多數(shù)負(fù)載的功率需求。

3.4 PSM功能

脈沖跳過模式(PSM)可在輕載時降低損耗,提高效率。

3.5 可調(diào)開關(guān)頻率

開關(guān)頻率可通過外部電阻在50kHz至1.1MHz之間調(diào)節(jié),靈活性高。

3.6 擴頻技術(shù)

采用擴頻技術(shù)降低EMI峰值,減少電磁干擾。

3.7 多種保護功能

具備逐周期過流保護、頻率折返輸出短路保護、熱關(guān)斷保護等多種保護功能,提高了器件的可靠性。

四、工作原理

4.1 開關(guān)頻率設(shè)置

外部電阻RT與GND之間的連接決定了開關(guān)頻率。當(dāng)RT開路時,默認(rèn)開關(guān)頻率為120kHz;當(dāng)RT短路時,開關(guān)頻率約為70kHz;當(dāng)RT為85.5kΩ時,開關(guān)頻率為340kHz。具體關(guān)系可通過公式 (R{T}(k Omega)=25.5 × f{S W}(MHz)^{-1.12}) 計算。

4.2 自舉電壓(BOOT)

使用0.1μF的自舉電容(推薦X5R或X7R)為MOSFET柵極驅(qū)動提供電壓。當(dāng)CBOOT電壓低于BOOT UVLO閾值(3V)時,MOSFET將關(guān)閉以刷新自舉電容的電荷。

4.3 軟啟動調(diào)整

通過在SS引腳和GND之間添加軟啟動電容(CSS),可設(shè)置軟啟動時間在1ms至10ms之間。內(nèi)部2μA的電流源對CSS充電,在SS引腳產(chǎn)生線性電壓斜坡。軟啟動時間可通過公式 (t{s s}(m s)=frac{C{s s}(n F) × V{R E F}(V)}{I{s s}(mu A)}) 計算。

4.4 誤差放大器(EA)

該器件使用跨導(dǎo)誤差放大器(EA)比較感測到的輸出電壓(VSENSE)和內(nèi)部參考電壓。EA放大器在正常工作時的增益為92μA/V,輸出電流注入頻率補償網(wǎng)絡(luò)(COMP和GND引腳之間),產(chǎn)生PWM比較器的控制信號(VCOMP)。

4.5 斜率補償

為避免PWM脈沖寬度在占空比高于50%時出現(xiàn)不穩(wěn)定和次諧波振蕩,在PWM比較器將測量的開關(guān)電流與控制信號進行比較之前,添加了補償斜坡。

4.6 脈沖跳過模式(PSM)

為提高輕載效率,當(dāng)輕載時(VIN = 12V時,電感峰值電流低于200mA),若VCOMP < 0.65V(典型值),器件進入PSM模式。在PSM模式下,COMP電壓內(nèi)部鉗位在0.65V,抑制MOSFET開關(guān)。當(dāng)VCOMP高于鉗位電平,器件可退出PSM模式。

4.7 過流和頻率折返

過流保護(OCP)由電流模式控制自然提供。當(dāng)輸出短路時,自然的OCP可能無法提供完全保護,因此采用頻率折返技術(shù),通過降低開關(guān)頻率來增加關(guān)斷時間,有效解決電流失控問題。具體頻率折返與VSENSE引腳電壓的關(guān)系如下: 開關(guān)頻率 VSENSE引腳電壓
fSW VSENSE ≥ 3.75V
fSW / 2 3.75V > VSENSE ≥ 2.5V
fSW / 4 2.5V > VSENSE ≥ 1.25V
fSW / 8 1.25V > VSENSE

4.8 擴頻開關(guān)

采用擴頻技術(shù)使生成的EMI頻譜變平,降低大的EMI峰值。開關(guān)頻率在標(biāo)稱值的 -6% 至 +6% 之間以fSW/512的抖動頻率周期性變化。

4.9 開關(guān)節(jié)點抗振鈴

在開關(guān)節(jié)點,由濾波電感和寄生電容形成的高Q LC諧振電路會導(dǎo)致高頻振蕩(振鈴)。為抑制這種振鈴,器件集成了一個抗振鈴電路,當(dāng)電感電流過零且SW電壓開始高于VSENSE時,輔助MOSFET導(dǎo)通,通過短路SW和VSENSE引腳來增加阻尼,減少振鈴。

4.10 過壓瞬態(tài)保護(OVTP)

當(dāng)過載或輸出故障情況消除時,輸出可能出現(xiàn)大的過沖電壓。SGM61234包含保護電路,當(dāng)VSENSE電壓超過VREF閾值的108%時,HS MOSFET關(guān)閉;當(dāng)電壓降至VREF的105%以下時,HS MOSFET重新開啟。

4.11 熱關(guān)斷

當(dāng)器件結(jié)溫超過 +170℃ 時,熱關(guān)斷保護觸發(fā),開關(guān)停止。當(dāng)溫度降至 +135℃ 以下時,器件自動恢復(fù),并進行上電和軟啟動序列。

五、應(yīng)用設(shè)計

5.1 輸入電容設(shè)計

建議在VIN和GND引腳之間使用至少10μF的X5R或更好的陶瓷電容,并盡可能靠近器件放置。輸入電容的RMS額定值應(yīng)高于1A,以滿足轉(zhuǎn)換器AC(RMS)輸入電流的需求。輸入電容的選擇還需考慮轉(zhuǎn)換器輸入電壓紋波,計算公式為 (Delta V{IN}=frac{I{OUTMAX } × 0.25}{C{IN} × f_{SW}}) 。

5.2 電感選擇

較高的工作頻率允許選擇較小的電感和電容值,但會增加開關(guān)和柵極損耗;較低的頻率會導(dǎo)致電流紋波增加,增加輕載損耗。電感值可通過公式 (L=frac{V{IN }-V{OUT }}{I{OUT } × K} × frac{V{OUT }}{V{IN } × f{SW}}) 計算,其中K為電感峰 - 峰紋波(ΔL)與直流電流(IOUT)的比值,推薦范圍為0.2至0.4。選擇電感時,還需考慮RMS電流額定值、DCR和溫度上升等因素。

5.3 外部二極管

SGM61234需要一個外部功率二極管連接在SW和GND引腳之間來完成轉(zhuǎn)換器。該二極管必須能承受應(yīng)用的絕對最大額定值,反向阻斷電壓應(yīng)高于VIN_MAX,峰值電流應(yīng)高于最大電感電流。為提高效率,應(yīng)選擇正向電壓降小的二極管。

5.4 輸出電容設(shè)計

輸出電容的設(shè)計主要考慮輸出電壓紋波和對負(fù)載階躍的瞬態(tài)響應(yīng)。為使輸出瞬態(tài)過沖低于ΔVout,最小所需電容可通過公式 (C{OUT }>frac{Delta I{OUT }^{2} × L}{2 × V{OUT } × Delta V{OUT }}) 計算。同時,還需考慮最大輸出電壓紋波的要求,計算公式為 (C{OUT }>frac{1}{8 × f{SW}} × frac{1}{frac{Delta V{OUT }}{Delta I{L}}-ESR }) 。綜合考慮各種因素,可選擇10μF/6.3V/X7R、ESR ≤ 3mΩ的電容。

5.5 自舉電容選擇

自舉電容(C4)應(yīng)使用0.1μF、10V或更高電壓額定值的高品質(zhì)陶瓷電容(X7R或X5R)。建議在C4串聯(lián)一個電阻R4,以減慢HS開關(guān)的導(dǎo)通速度,改善輻射EMI問題。R4的值約為5Ω至10Ω,過高的值可能導(dǎo)致在高占空比應(yīng)用中C4充電不足,同時減慢導(dǎo)通速度會增加開關(guān)損耗并降低效率。

5.6 軟啟動電容選擇

軟啟動電容用于設(shè)置上電時輸出電壓的上升時間。通過公式 (t{s s}(m s)=frac{C{s s}(n F) × V{R E F}(V)}{I{s s}(mu A)}) 可計算所需的軟啟動電容,建議CSS小于27nF。

5.7 布局考慮

  • 用低ESR陶瓷電容將VIN引腳旁路到GND引腳(連接到功率二極管陽極引腳處),并盡可能靠近器件放置。
  • 二極管應(yīng)盡可能靠近SW和GND引腳連接。
  • 最小化VSENSE走線長度,從VOUT精度重要的點連接VSENSE走線,并使其遠離噪聲節(jié)點(SW),最好通過屏蔽層另一側(cè)的另一層走線。
  • 輸入和輸出電容共享相同的GND連接點。
  • 最小化SW引腳到二極管陰極和電感的連接路徑長度和面積,以減少該區(qū)域的噪聲耦合。
  • 考慮在頂層提供足夠的接地平面面積以實現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳?,通過熱過孔將大型內(nèi)部或背面接地平面連接到器件附近的頂層接地平面,以實現(xiàn)更好的散熱。

六、總結(jié)

SGM61234作為一款性能卓越的非同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有寬輸入電壓范圍、高輸出電流能力、豐富的保護功能和靈活的應(yīng)用設(shè)計等優(yōu)點。電子工程師在設(shè)計過程中,可根據(jù)具體應(yīng)用需求,合理選擇輸入電容、電感、外部二極管、輸出電容等元件,并注意布局設(shè)計,以充分發(fā)揮SGM61234的性能優(yōu)勢。同時,在實際應(yīng)用中,還需根據(jù)實際情況進行測試和優(yōu)化,確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用SGM61234的過程中遇到過哪些問題呢?又是如何解決的?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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