電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日業(yè)界傳出三星電子功率GaN晶圓代工產(chǎn)線即將投產(chǎn)，其8英寸GaN產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)最早將在今年第二季度實(shí)現(xiàn)全面投產(chǎn)。

三星的GaN代工業(yè)務(wù)布局最早是從2023年開始，在其舉辦的晶圓代工論壇活動(dòng)上宣布將在2025年起為消費(fèi)級(jí)、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用提供8英寸GaN晶圓代工服務(wù)。而在三年后，盡管相比計(jì)劃略微延后，但三星終于正式進(jìn)入功率半導(dǎo)體代工市場(chǎng)。

GaN、SiC同步推進(jìn)，已有首批客戶

三星將自己GaN代工業(yè)務(wù)定位為“交鑰匙”的服務(wù)，不涉及芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。同時(shí)三星在外延片上也選擇了自研，目前已經(jīng)研發(fā)出適合大規(guī)模量產(chǎn)的Si基GaN外延片，將用于后續(xù)的量產(chǎn)。

業(yè)界消息稱，目前三星已經(jīng)獲得首批客戶，但由于客戶規(guī)模有限，三星預(yù)計(jì)其功率GaN晶圓代工業(yè)務(wù)的年?duì)I收將低于1000億韓元（約合4.6億元人民幣）。而業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，三星GaN晶圓代工業(yè)務(wù)計(jì)劃的推遲也是受到客戶群規(guī)模的影響。

另外，除了GaN之外，三星還同步推進(jìn)SiC代工的業(yè)務(wù)，并同樣預(yù)計(jì)在2026年內(nèi)推出。但與GaN代工不同的是，三星SiC代工業(yè)務(wù)將涵蓋從設(shè)計(jì)到晶圓制造到封裝的垂直整合模式，SiC器件產(chǎn)品電壓范圍覆蓋從1200V到1700V，能夠滿足當(dāng)前電動(dòng)汽車以及數(shù)據(jù)中心高壓系統(tǒng)的需求。

在實(shí)際應(yīng)用中，功率GaN器件主要用于1200V以下的場(chǎng)景，1200V及以上則更多采用SiC器件，三星通過GaN和SiC的布局，可以覆蓋未來(lái)功率半導(dǎo)體的大部分需求，并有望接棒臺(tái)積電退出GaN留下的市場(chǎng)空缺。同時(shí)配合其HBM4內(nèi)存、以及GPU、AI芯片代工等業(yè)務(wù)，形成完整的電源管理方案。

GaN代工格局再生變，F(xiàn)abless模式崛起？

去年7月，臺(tái)積電發(fā)表聲明表示，經(jīng)過長(zhǎng)期業(yè)務(wù)的完整評(píng)估后，公司決定在未來(lái)兩年內(nèi)，也就是2027年7月之前逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)。臺(tái)積電稱：“我們正與客戶密切合作，確保順利過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求。”

一鯨落萬(wàn)物生，就在臺(tái)積電正式宣布退出GaN代工業(yè)務(wù)后，納微半導(dǎo)體作為臺(tái)積電最大的GaN客戶，宣布將與力積電合作，共同推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。納微半導(dǎo)體在公告中指出，力積電有著先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，運(yùn)用更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實(shí)現(xiàn)全面優(yōu)化。

納微半導(dǎo)體表示將通過力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以應(yīng)對(duì)超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等48V基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)氮化鎵技術(shù)日益增長(zhǎng)的需求。根據(jù)公告，首批由力積電制造的器件預(yù)計(jì)在2025年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計(jì)劃于2026年上半年開始在力積電投產(chǎn)，而650V的器件則將在未來(lái)12到24個(gè)月內(nèi)從現(xiàn)有的供應(yīng)商臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移至力積電進(jìn)行代工生產(chǎn)。

而臺(tái)積電GaN業(yè)務(wù)的另一大客戶羅姆半導(dǎo)體，在今年3月與臺(tái)積電簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將臺(tái)積電成熟的650V及相關(guān)GaN工藝技術(shù)授權(quán)并轉(zhuǎn)移至羅姆位于日本的濱松工廠，羅姆計(jì)劃于2027年在內(nèi)部工廠建立完整的端到端生產(chǎn)體系，也就是將門級(jí)驅(qū)動(dòng) (Gate Driver)、控制IC與GaN功率器件進(jìn)行更緊密的單片集成或系統(tǒng)封裝。

另外，臺(tái)積電的650V和80V 功率GaN工藝還授權(quán)給世界先進(jìn)和格芯，通過授權(quán)費(fèi)回收早期研發(fā)成本，并維持了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的間接影響力。

值得一提的是，近年來(lái)不只是三星，韓國(guó)本土產(chǎn)業(yè)對(duì)于GaN代工似乎較為熱衷，比如DB HiTek、SK Keyfoundry等都紛紛入局GaN代工領(lǐng)域。

DB HiTek在今年2月宣布650V GaN HEMT工藝進(jìn)入量產(chǎn)最后階段，并已開啟 MPW（多項(xiàng)目晶圓） 服務(wù)供全球客戶流片。公司計(jì)劃在2026年底前推出 200V 低壓 GaN 以及針對(duì)集成電路優(yōu)化的GaN BCD工藝，試圖在單片集成驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域挑戰(zhàn)歐美的IDM廠商。

SK Keyfoundry則傾向于汽車應(yīng)用，今年三月明確了其復(fù)合功率半導(dǎo)體路線圖，同步推進(jìn) SiC MOSFET 與 650V GaN，目前正與韓國(guó)本土汽車供應(yīng)鏈深度合作，驗(yàn)證其 GaN 工藝在 800V 系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換可靠性。

目前GaN代工呈現(xiàn)多點(diǎn)開發(fā)的格局，新玩家的入局給市場(chǎng)帶來(lái)了非常大的轉(zhuǎn)變。在臺(tái)積電退出后，F(xiàn)abless廠商最擔(dān)心的是失去高良率、穩(wěn)定的代工源，而新玩家入局給GaN代工帶來(lái)更多競(jìng)爭(zhēng)，未來(lái)Fabless廠商可能會(huì)獲得更大的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，且標(biāo)準(zhǔn)化的工藝平臺(tái)讓Fabless廠商能夠?qū)Ｗ⒂?a href="http://m.sdkjxy.cn/v/tag/167/" target="_blank">電路設(shè)計(jì)層面的創(chuàng)新。

不過，另一邊GaN IDM廠商同樣在加快產(chǎn)能布局。全球功率GaN市場(chǎng)份額最高的英諾賽科在去年計(jì)劃從24年年末的1.3萬(wàn)片/月，提升至2025年年末的2萬(wàn)片/月；英飛凌在2025年7月宣布開始量產(chǎn)全球首批12英寸功率硅基氮化鎵晶圓；羅姆則通過技術(shù)授權(quán)獲得了650V GaN工藝，并將其濱松工廠產(chǎn)線從6英寸往8英寸升級(jí)。

小結(jié)：

功率GaN作為在數(shù)據(jù)中心800V架構(gòu)中的重要器件，未來(lái)幾年的需求增速將進(jìn)入加速階段。代工廠的遍地開花，其實(shí)也意味著GaN正在加速普及，在更多場(chǎng)景替代硅基功率器件。從時(shí)間節(jié)點(diǎn)來(lái)看，27年將會(huì)是功率GaN市場(chǎng)格局出現(xiàn)巨變的節(jié)點(diǎn)，更多GaN晶圓代工產(chǎn)能的落地，將會(huì)帶動(dòng)GaN市場(chǎng)規(guī)模的新一輪增長(zhǎng)。