電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在人工智能與邊緣計(jì)算驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)架構(gòu)全面重塑的2026年，存儲(chǔ)技術(shù)正加速向高可靠性、低功耗及車規(guī)級(jí)嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)。然而，面對(duì)算力需求指數(shù)級(jí)躍升帶來(lái)的全新挑戰(zhàn)，如何進(jìn)一步夯實(shí)底層技術(shù)根基、優(yōu)化全鏈路能效比并構(gòu)建更具韌性的供應(yīng)鏈生態(tài)，已成為行業(yè)持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展的核心議題。

為此，在近期上海舉辦的半導(dǎo)體論壇上，東芯半導(dǎo)體主動(dòng)破局，深度探討如何通過(guò)底層技術(shù)優(yōu)化與全鏈路能效提升，為產(chǎn)業(yè)構(gòu)建自主可控的存儲(chǔ)生態(tài)共同體。

構(gòu)建自主可控的存儲(chǔ)生態(tài)共同體

全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)快速增長(zhǎng)，據(jù)東芯半導(dǎo)體潘惠忠分享，預(yù)計(jì)2026年突破2470億美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)更有望達(dá)到4888億元。包括消費(fèi)電子、網(wǎng)通電子、汽車電子等應(yīng)用的多元化，都在帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)。

并且隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng)、應(yīng)用場(chǎng)景的不斷豐富以及用戶對(duì)性能、成本、安全和效率要求的提升，傳統(tǒng)的單一存儲(chǔ)架構(gòu)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代業(yè)務(wù)需求。

不過(guò)東芯半導(dǎo)體并未盲目追逐產(chǎn)能擴(kuò)張，而是選擇了一條“向內(nèi)深耕”的精細(xì)化發(fā)展之路。通過(guò)不斷深入了解市場(chǎng)需求，接受客戶反饋，建立了從研發(fā)到轉(zhuǎn)化再到創(chuàng)新的技術(shù)發(fā)展循環(huán)。

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM全品類設(shè)計(jì)工藝的企業(yè)，東芯半導(dǎo)體堅(jiān)持Fabless模式下的自主創(chuàng)新。在核心技術(shù)上，公司1xnm NAND Flash產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，NOR Flash推進(jìn)至48nm工藝，DRAM產(chǎn)品線亦在DDR3、LPDDR4等領(lǐng)域不斷完善布局。

針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的嚴(yán)苛環(huán)境，東芯半導(dǎo)體構(gòu)建了六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，涵蓋SPINAND Flash、PPI NAND Flash、DDR3（L）、SPI NOR Flash、LPDDR1/2/4X及MCP等，產(chǎn)品在寬溫范圍、高傳輸速率及低功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。

尤為值得一提的是，東芯半導(dǎo)體通過(guò)積極拓展境內(nèi)外雙代工模式，實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案，有力地保障了產(chǎn)業(yè)鏈的安全與穩(wěn)定。

在夯實(shí)存儲(chǔ)主業(yè)的基礎(chǔ)上，東芯半導(dǎo)體積極“向外探索”，向高附加值的車規(guī)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。目前，公司的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP等產(chǎn)品已有多個(gè)料號(hào)通過(guò)AEC-Q100車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，并成功導(dǎo)入多家國(guó)內(nèi)整車廠白名單及海外Tier1供應(yīng)鏈，廣泛應(yīng)用于車載娛樂系統(tǒng)、激光雷達(dá)、T-BOX及ADAS等核心場(chǎng)景。

更具前瞻性的是，東芯半導(dǎo)體圍繞“存、算、聯(lián)”一體化進(jìn)行生態(tài)布局。通過(guò)對(duì)礪算科技及上海億芯通感的投資，公司成功切入GPU芯片與Wi-Fi芯片領(lǐng)域。

據(jù)介紹，其首款自研GPU芯片“7G100”已于2025年流片成功，Wi-Fi7無(wú)線通信芯片研發(fā)也在持續(xù)推進(jìn)，并已經(jīng)完成原型機(jī)樣片測(cè)試。這種以存儲(chǔ)為核心，向算力與連接領(lǐng)域輻射的生態(tài)戰(zhàn)略，為東芯半導(dǎo)體在AI與萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的競(jìng)爭(zhēng)提供了差異化優(yōu)勢(shì)。

從深耕中小容量存儲(chǔ)技術(shù)，到布局“存、算、聯(lián)”一體化生態(tài)，東芯半導(dǎo)體正通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，積極響應(yīng)國(guó)產(chǎn)替代與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的號(hào)召。未來(lái)，東芯半導(dǎo)體將繼續(xù)以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，通過(guò)構(gòu)建自主可控的存儲(chǔ)生態(tài)共同體，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的穩(wěn)健發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的底層支撐。

年度存儲(chǔ)器產(chǎn)品

值得一提的是，本次東芯半導(dǎo)體榮獲中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度存儲(chǔ)器，獲獎(jiǎng)產(chǎn)品為DS25M4CB-16A1B8。這是一款SPI NOR Flash，基于55nm工藝制程，容量為512Mbit（64MB）。

性能上，采用1.8V供電，相比傳統(tǒng)3.3V NOR Flash，功耗更低，適合電池供電及對(duì)功耗敏感的可穿戴、移動(dòng)終端等應(yīng)用。工作溫度為-40°C~125°C，覆蓋工業(yè)級(jí)乃至車規(guī)級(jí)溫度范圍。

具備最高166MHz時(shí)鐘，在SPI NOR Flash中屬于較高速度檔次，有利于提升代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)吞吐速率。

還支持Single SPI，兼容傳統(tǒng)SPI主控，支持Dual/Quad SPI，可通過(guò)多線傳輸提升帶寬，也支持QPI，全部四線用于指令與地址，進(jìn)一步提升命令、數(shù)據(jù)傳輸效率。

具備DTR（Double Transfer Rate）模式，能夠在時(shí)鐘上升沿和下降沿均進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在不提高時(shí)鐘頻率的情況下，可將有效數(shù)據(jù)吞吐量翻倍。

這些功能的加入，對(duì)于需要從NOR Flash 直接運(yùn)行代碼的MCU或SoC而言，能夠有效減少啟動(dòng)時(shí)間、提升實(shí)時(shí)響應(yīng)能力。目前該款產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q100測(cè)試，對(duì)于國(guó)產(chǎn)替代與供應(yīng)鏈安全訴求較強(qiáng)的整車廠與Tier1，這類本土車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片是重要的備選方案。

此外，在本次公開活動(dòng)中，東芯半導(dǎo)體還展示了全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品，例如SPINAND Flash，單芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲(chǔ)陣列和控制器，并帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí)，既節(jié)約了空間，又提升了穩(wěn)定性。產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，目前工藝制程已經(jīng)推進(jìn)至1xnm先進(jìn)工藝制程。

產(chǎn)品可提供1.8V/3.3V兩種電壓，具備WSON、BGA、LGA多種封裝形式，不僅能滿足常規(guī)應(yīng)用場(chǎng)景，使其在目前日益普及的由電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中保持低功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的待機(jī)時(shí)間，也更靈活地適用于不同應(yīng)用場(chǎng)景。

同時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)還展示了東芯的DDR3（L）產(chǎn)品，具備高傳輸速率以及低工作電壓?？商峁?.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個(gè)內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

在MCP系列產(chǎn)品上，具有NAND Flash和DDR多種容量組合，F(xiàn)lash和DDR均為低電壓的設(shè)計(jì)，核心電壓1.8V可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2/LPDDR4X多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝，簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

總結(jié)

從對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察，到全品類技術(shù)布局的扎實(shí)落地，東芯半導(dǎo)體展示的不僅是技術(shù)成果，更是一種“長(zhǎng)期主義”的研發(fā)哲學(xué)。在萬(wàn)物互聯(lián)的智能時(shí)代，東芯半導(dǎo)體正以自主可控的核心設(shè)計(jì)能力，回應(yīng)著產(chǎn)業(yè)對(duì)高品質(zhì)存儲(chǔ)的迫切需求，與全球合作伙伴共同探索存儲(chǔ)技術(shù)的無(wú)限可能。