87C196KD 16位高性能CHMOS微控制器:汽車應(yīng)用的理想之選
在汽車電子領(lǐng)域,高性能、高可靠性的微控制器至關(guān)重要。Intel的87C196KD 16位微控制器憑借其卓越的性能和豐富的功能,成為汽車應(yīng)用的理想選擇。本文將深入介紹87C196KD的特點(diǎn)、電氣特性和設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用這款微控制器。
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一、87C196KD概述
1.1 高性能特性
87C196KD是MCS系列的高性能成員,是增強(qiáng)型的8XC196KC設(shè)備。它采用Intel的CHMOS工藝,具有高性能和低功耗的特點(diǎn)。該微控制器具備32KB的片上EPROM、232字節(jié)的寄存器文件、768字節(jié)的額外RAM,以及寄存器到寄存器的架構(gòu),為數(shù)據(jù)處理提供了強(qiáng)大的支持。
1.2 豐富的外設(shè)資源
- 中斷系統(tǒng):擁有28個(gè)中斷源和16個(gè)向量,能夠快速響應(yīng)各種外部事件。
- 外設(shè)事務(wù)服務(wù)器(PTS):提高了外設(shè)與CPU之間的數(shù)據(jù)傳輸效率。
- 定時(shí)器和計(jì)數(shù)器:包括16位定時(shí)器、3個(gè)脈寬調(diào)制(PWM)輸出和四個(gè)16位軟件定時(shí)器,可用于精確的時(shí)間控制和波形生成。
- 高速I/O子系統(tǒng):提供四個(gè)高速捕獲輸入和六個(gè)高速輸出,可用于記錄事件發(fā)生的時(shí)間和生成脈沖或波形。
- 全雙工串行端口:支持?jǐn)?shù)據(jù)的雙向傳輸,方便與其他設(shè)備進(jìn)行通信。
1.3 工作模式
87C196KD支持掉電和空閑模式,可有效降低功耗。此外,它還具備動(dòng)態(tài)可配置的8位或16位總線寬度,可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行靈活調(diào)整。
二、電氣特性
2.1 絕對(duì)最大額定值
- 環(huán)境溫度:-40°C至+125°C
- 存儲(chǔ)溫度:-65°C至+150°C
- 引腳電壓:除EA和VPP外,任何引腳相對(duì)于VSS的電壓范圍為-0.5V至+7.0V;EA和VPP相對(duì)于VSS的電壓范圍為-0.5V至+13.0V
- 功耗:0.43W
2.2 工作條件
2.3 直流特性
包括輸入低電壓(VIL)、輸入高電壓(VIH)、輸出低電壓(VOL)、輸出高電壓(VOH)等參數(shù),這些參數(shù)在指定的工作條件下有明確的取值范圍。
2.4 交流特性
在指定的測(cè)試條件下(電容負(fù)載為100pF,上升和下降時(shí)間為10ns,F(xiàn)OSC = 16MHz),對(duì)系統(tǒng)的各種時(shí)序參數(shù)進(jìn)行了規(guī)定,如地址有效到READY建立時(shí)間、ALE低到READY建立時(shí)間等。
三、引腳描述
87C196KD采用68引腳的PLCC封裝,每個(gè)引腳都有特定的功能。以下是一些主要引腳的功能介紹:
- VCC:主電源電壓(5V)
- VSS:數(shù)字電路接地(0V),有三個(gè)VSS引腳,必須全部連接
- VREF:A/D轉(zhuǎn)換器的參考電壓(5V),也是A/D轉(zhuǎn)換器模擬部分和讀取端口0的邏輯電路的電源電壓
- ANGND:A/D轉(zhuǎn)換器的參考地,必須與VSS保持大致相同的電位
- VPP:從掉電電路返回的定時(shí)引腳,可連接一個(gè)1μF電容到VSS和一個(gè)1MΩ電阻到VCC;若不使用該功能,可將VPP連接到VCC
- XTAL1:振蕩器逆變器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入
- XTAL2:振蕩器逆變器的輸出
- CLKOUT:內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸出,頻率與振蕩器頻率相同
- RESET:芯片的復(fù)位輸入
- BUSWIDTH:總線寬度選擇輸入,可選擇8位或16位總線周期
- NMI:正跳變會(huì)導(dǎo)致向量通過203EH
- INST:外部存儲(chǔ)器讀取期間輸出高電平,表示讀取的是指令提取
- EA:存儲(chǔ)器選擇輸入,決定對(duì)2000H至5FFFH地址的訪問是指向片上ROM/EPROM還是片外存儲(chǔ)器
- ALE/ADV:地址鎖存使能或地址有效輸出,用于從地址數(shù)據(jù)總線解復(fù)用地址
- RD:外部存儲(chǔ)器的讀取信號(hào)輸出
- WR/WRL:外部存儲(chǔ)器的寫和寫低輸出
- BHE/WRH:總線高使能或?qū)懜咻敵觯糜谶x擇數(shù)據(jù)總線的高字節(jié)或低字節(jié)
四、A/D轉(zhuǎn)換器特性
4.1 10位模式
| A/D轉(zhuǎn)換器在10位模式下的速度可通過設(shè)置時(shí)鐘預(yù)分頻器來調(diào)整。時(shí)鐘預(yù)分頻器禁用時(shí)的最大頻率為6MHz。該模式下的轉(zhuǎn)換時(shí)間與預(yù)分頻器的狀態(tài)有關(guān),具體參數(shù)如下: | 時(shí)鐘預(yù)分頻器狀態(tài) | 狀態(tài)數(shù) | 16MHz時(shí)的轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 6MHz時(shí)的轉(zhuǎn)換時(shí)間 |
|---|---|---|---|---|
| 開啟 | 156.5 | 19.5ms | - | |
| 關(guān)閉 | 89.5 | 29.8ms | - |
4.2 8位模式
8位模式以犧牲分辨率為代價(jià)換取更快的轉(zhuǎn)換時(shí)間。在進(jìn)行8位轉(zhuǎn)換時(shí),必須使用AD TIME寄存器。測(cè)試表明,在16MHz下,使用OA6H在AD TIME時(shí),采樣時(shí)間為20個(gè)狀態(tài),轉(zhuǎn)換時(shí)間為56個(gè)狀態(tài),轉(zhuǎn)換時(shí)間為9.8ms。
五、設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)
5.1 與87C196KB的比較
- 內(nèi)存映射:87C196KD有512字節(jié)的RAM SFRs和32K的ROM/EPROM,額外的256字節(jié)RAM位于100H - 1FFH,額外的24K EPROM位于4000H - 9FFFH,而這些位置在87C196KB上是外部存儲(chǔ)器。
- 引腳變化:87C196KB上的CDE引腳在87C196KC上變?yōu)閂SS引腳,以支持16MHz操作。
- EPROM編程:87C196KD采用不同的編程算法來支持32K的片上內(nèi)存。在進(jìn)行運(yùn)行時(shí)編程時(shí),可參考80C196KC用戶指南第99頁的代碼。
- ONCE模式進(jìn)入:在87C196KD上,通過在RESET上升沿將TXD引腳拉低進(jìn)入ONCE模式。TXD引腳由一個(gè)1.4mA的上拉電阻保持高電平,且必須保持在2.0V,否則會(huì)進(jìn)入ONCE模式。
- 總線HOLD狀態(tài):在總線HOLD狀態(tài)下,87C196KD會(huì)將RD、WR、ALE、BHE和INST弱保持在非活動(dòng)狀態(tài),而87C196KB僅保持ALE在非活動(dòng)狀態(tài)。
- RESET脈沖:87C196KD的RESET脈沖為16個(gè)狀態(tài),而87C196KB為4個(gè)狀態(tài),這為系統(tǒng)中的其他設(shè)備提供了更長(zhǎng)的復(fù)位脈沖。
5.2 勘誤信息
- 中斷識(shí)別問題:在低電壓(<4.7V)、高頻率(16MHz)和高溫(>85°C)條件下,設(shè)備可能無法識(shí)別EXTINIT(P2.2和P0.7)和NMI的中斷,在CLKOUT下降沿附近約2ns的窗口內(nèi)可能會(huì)錯(cuò)過這些中斷。
- 串行端口問題:在模式0下,若選擇最高波特率(SP BAUD = 8001h),串行端口將無法正常工作,數(shù)據(jù)移入設(shè)備時(shí)無法正確讀取。
六、總結(jié)
87C196KD 16位微控制器以其高性能、豐富的外設(shè)資源和良好的電氣特性,為汽車電子應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持。電子工程師在設(shè)計(jì)過程中,需要充分考慮其特點(diǎn)和設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí),對(duì)于勘誤信息中提到的問題,也需要在設(shè)計(jì)和測(cè)試過程中加以關(guān)注,避免出現(xiàn)潛在的故障。你在使用87C196KD微控制器的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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