日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

以可靠的碳化硅基固態(tài)變壓器為AI人工智能賦能

WOLFSPEED ? 來(lái)源:WOLFSPEED ? 2026-03-31 09:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

響應(yīng)市場(chǎng)需求:

以可靠的碳化硅基固態(tài)變壓器為 AI 人工智能賦能

作者:Ashish Kumar 博士,Wolfspeed 中高電壓研究科學(xué)家

英偉達(dá)在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高電壓直流架構(gòu) — 從根本上改變了人工智能工廠的電力傳輸方式,直接提升了 GPU 密度和效率[1]。通過(guò)以更高電壓分配電力,顯著減少了布線要求,為額外 GPU 騰出機(jī)架空間,并實(shí)現(xiàn)了新興的 1 MW 機(jī)架設(shè)計(jì)。該架構(gòu)可將端到端電源效率提升高達(dá) 5%,并將維護(hù)成本降低 70%。碳化硅是關(guān)鍵賦能技術(shù):800 V 直流母線需要 1200 V 碳化硅 MOSFET 用于 AC-DC 整流和 DC-DC 轉(zhuǎn)換,可將轉(zhuǎn)換損耗降低 25-40%。

b42e5c4a-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

圖 1:英偉達(dá)下一代人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心中的

800 V 直流配電架構(gòu) [1]

然而,實(shí)現(xiàn)這一愿景需要解決一個(gè)上游問(wèn)題。在圖 2 中,國(guó)際能源署 (IEA) 警告稱,大約 20% 的計(jì)劃內(nèi)數(shù)據(jù)中心項(xiàng)目因電網(wǎng)限制和傳統(tǒng)變壓器供應(yīng)鏈瓶頸而面臨延期風(fēng)險(xiǎn)[2]??s短人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心的建設(shè)周期對(duì)于減輕此風(fēng)險(xiǎn)至關(guān)重要。加速的全球部署正在延長(zhǎng)連接數(shù)據(jù)中心設(shè)施與公用事業(yè)電網(wǎng)的中電壓變壓器的采購(gòu)和安裝周期。中電壓變壓器的可獲性正成為人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張的主要制約因素之一,其交貨期長(zhǎng)達(dá) 3 年[3]。

b4886654-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

圖 2:面臨并網(wǎng)延遲的數(shù)據(jù)中心建設(shè)項(xiàng)目吉瓦時(shí)數(shù) [2]

解決方案在于固態(tài)變壓器 (SST) — 一種基于電力電子的替代傳統(tǒng)鐵芯變壓器的方案,它可以將中電壓電網(wǎng)電力直接轉(zhuǎn)換為 800 V 直流電,從而極大地壓縮部署時(shí)間線,并實(shí)現(xiàn)模塊化、可擴(kuò)展的電網(wǎng)互聯(lián)。

碳化硅再次成為賦能技術(shù):中高電壓碳化硅器件是加速固態(tài)變壓器 (SST) 發(fā)展的關(guān)鍵半導(dǎo)體突破,它能夠?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)硅材料無(wú)法達(dá)到的更高開(kāi)關(guān)頻率、更優(yōu)熱性能和緊湊外形。由此看來(lái),碳化硅在人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心革命中的作用遠(yuǎn)不止于機(jī)架內(nèi)部 — 它對(duì)于從電網(wǎng)到 GPU 的整個(gè)電力傳輸鏈都至關(guān)重要。

并網(wǎng)的可再生能源正被更多地用于當(dāng)今數(shù)據(jù)中心的電力基礎(chǔ)設(shè)施。但隨著功耗水平增加,以及超大規(guī)模企業(yè)接入更大規(guī)模電網(wǎng)—或創(chuàng)建自己的微電網(wǎng)—確保功率轉(zhuǎn)換在快速變化的負(fù)載曲線下保持穩(wěn)定且可靠是一個(gè)亟待攻克的工程障礙。

簡(jiǎn)而言之,電力可獲性至關(guān)重要,而固態(tài)變壓器 (SST) 可能是人工智能 (AI) 領(lǐng)域的“白馬”。

為什么變壓器很重要?

傳統(tǒng)變壓器很常見(jiàn),其根本目的是升降交流輸入電壓,并將電力從 A 點(diǎn)傳輸?shù)?B 點(diǎn)。它們可能非常龐大,盡管性質(zhì)相對(duì)簡(jiǎn)單,包含沉重的銅繞組和磁芯以“變壓”到合適的輸出電壓。電子制造商正在重新構(gòu)想變壓器概念,轉(zhuǎn)向固態(tài)變壓器 (SST),用輕量級(jí)的固態(tài)半導(dǎo)體器件取代沉重的銅線圈。與傳統(tǒng)變壓器不同,固態(tài)變壓器 (SST) 能更快地響應(yīng)變化需求,并智能地調(diào)整其功率流和輸出。早期的固態(tài)變壓器 (SST) 概念可能會(huì)整合傳統(tǒng)上由開(kāi)關(guān)設(shè)備和 UPS / 電池系統(tǒng)提供的功能,使直流計(jì)算負(fù)載能夠直接從公用電網(wǎng)或替代電源獲得電力。

至少,如果固態(tài)變壓器 (SST) 能夠滿足未來(lái) 800 V 直流機(jī)架架構(gòu)將帶來(lái)的可變功率范圍,它本身就很有價(jià)值。但高功率密度的固態(tài)變壓器 (SST) 為數(shù)據(jù)中心原始設(shè)備制造商 (OEM) 帶來(lái)了巨大價(jià)值,他們正試圖在不犧牲供電正常運(yùn)行時(shí)間的情況下,充分利用人工智能 (AI) 園區(qū)極其寶貴的地面空間。一些制造商正在尋找獨(dú)特的方法,將更智能的保護(hù)和控制算法與穩(wěn)健的隔離相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)性維護(hù),旨在避免任何電力停機(jī)。

在采購(gòu)傳統(tǒng)變壓器面臨商業(yè)挑戰(zhàn)的同時(shí),固態(tài)變壓器 (SST) 的試點(diǎn)部署正在進(jìn)行中。數(shù)據(jù)顯示,到 2025 年,數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)建和啟動(dòng)可能導(dǎo)致長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的交貨期和近 30% 的必要變壓器短缺[4]。

通過(guò)中高電壓碳化硅器件實(shí)現(xiàn)可靠固態(tài)變壓器 (SST) 的兩種途徑

人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心的電源輸入通常連接到 13.8 - 35 kV 交流電等級(jí)。固態(tài)變壓器 (SST) 將高電壓交流輸入轉(zhuǎn)換為連接到計(jì)算機(jī)架的 800 V 直流輸出。圖 3 展示了一個(gè)典型固態(tài)變壓器 (SST) 架構(gòu)的簡(jiǎn)化構(gòu)建模塊,該模塊由多個(gè)基于單元直流母線和功率器件電壓等級(jí)的級(jí)聯(lián)轉(zhuǎn)換器單元組成。

b4e011d8-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

圖 3:由多個(gè)級(jí)聯(lián)單元組成的典型固態(tài)變壓器 (SST) 架構(gòu)

Wolfspeed 一直在與領(lǐng)先的固態(tài)變壓器 (SST) 制造商合作,以了解他們的核心限制。Wolfspeed 的中電壓到高電壓裸芯片和模塊產(chǎn)品組合正在擴(kuò)大,提供碳化硅選項(xiàng),使得能夠可擴(kuò)展地采用碳化硅,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)解決方案高出數(shù)倍的功率密度。下面的表 1 總結(jié)了基于中電壓和高電壓碳化硅的固態(tài)變壓器 (SST) 設(shè)計(jì)之間的一些權(quán)衡。

b537b9ec-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

表 1:使用中電壓和高電壓額定碳化硅器件設(shè)計(jì)的固態(tài)變壓器 (SST) 之間的關(guān)鍵細(xì)微差別

好消息是,幾種碳化硅技術(shù)節(jié)點(diǎn)現(xiàn)已可集成到設(shè)計(jì)中,為各種固態(tài)變壓器 (SST) 架構(gòu)提供了靈活的路徑。對(duì)于優(yōu)先考慮基于中電壓器件的固態(tài)變壓器 (SST) 的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),WolfPACK功率模塊優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能有助于減小無(wú)源器件尺寸,并且與 2 kV 器件相比,該器件具有 15% 的更高電壓裕量,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了為完整 1500 V 直流母線供電的靈活性。

但回到我之前關(guān)于電源可靠性的觀點(diǎn),因此每個(gè)中電壓 Wolfspeed 模塊的設(shè)計(jì)都考慮到了耐久性。這些 WolfPACK 模塊因其極低的宇宙射線失效率性能,能在各種海拔高度下提供可預(yù)測(cè)的性能。

b5948b86-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

圖 4:CAB5R0A23GM4T 2300 V、5 m?半橋模塊,可選預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料

通往基于高電壓直流單元的固態(tài)變壓器 (SST) 的清晰路徑

對(duì)于高電壓(>5 kV 阻斷電壓)設(shè)計(jì),固態(tài)變壓器 (SST) 設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)采用 Wolfspeed 的新型10 kV 碳化硅功率 MOSFET實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的單元架構(gòu)。CPM3-10000-0300A 實(shí)現(xiàn)了 99% 的卓越轉(zhuǎn)換效率,與傳統(tǒng)的基于高壓IGBT 的設(shè)計(jì)相比,這可以使熱冷卻系統(tǒng)體積減少 50%。固態(tài)變壓器 (SST) 中更高的開(kāi)關(guān)頻率直接減小了磁性元件的尺寸和重量,因?yàn)樗璧拇啪€圈和磁芯尺寸隨頻率增加而減小。為了保持磁性元件緊湊,固態(tài)變壓器 (SST) 功率級(jí)通常針對(duì)高于 10,000 Hz 的開(kāi)關(guān)頻率。傳統(tǒng)的 6500 V 硅 IGBT 具有高開(kāi)關(guān)損耗,通常僅限于幾百赫茲的開(kāi)關(guān),這使得基于硅 IGBT 的高電壓直流單元固態(tài)變壓器 (SST) 不切實(shí)際。相比之下,Wolfspeed 10 kV 碳化硅 MOSFET 可以在10,000 Hz以上運(yùn)行,具有顯著更低的開(kāi)關(guān)損耗和更快的開(kāi)關(guān)速度,使得緊湊、輕量化的固態(tài)變壓器 (SST) 成為可能。

b5e920e2-2bcb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

圖 5:CMP3-10000-0300A 10,000 V, 305 mW 碳化硅 MOSFET 裸芯片

雙極型退化是高電壓碳化硅器件長(zhǎng)期運(yùn)行后失效的主要原因之一。Wolfspeed 10 kV MOSFET 也是其同類產(chǎn)品中首個(gè)商業(yè)化碳化硅器件,其通過(guò)體二極管工作壽命測(cè)試驗(yàn)證了雙極穩(wěn)定性,在超過(guò) 1000 小時(shí)的測(cè)試中未出現(xiàn)雙極退化。此外,CPM3-10000-0300A 在典型的 6000 V 直流工作條件下,其宇宙射線失效率要求比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)異 4 倍,確保了固態(tài)變壓器 (SST) 在整個(gè)使用壽命期間更少的單點(diǎn)故障。雖然對(duì)于一個(gè)新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō),這些說(shuō)法可能聽(tīng)起來(lái)很大膽,但請(qǐng)?jiān)试S我解釋為何可以相信這些數(shù)據(jù)。Wolfspeed 在寬禁帶材料開(kāi)發(fā)方面有著悠久的歷史,并且已經(jīng)展示 > 5 kV 碳化硅功率器件近 20 年。作為我們中高電壓部門(mén)的一名研究科學(xué)家,我感覺(jué)自己完成了一個(gè)循環(huán),并為這項(xiàng)我曾以多種身份親身參與的技術(shù)感到自豪。2021 年,我發(fā)表了題為“高電壓碳化硅功率器件在中電壓功率變換器應(yīng)用中的研究”的博士論文。我的大部分博士研究都是基于 Wolfspeed 的 10 kV 碳化硅 MOSFET。中高電壓碳化硅長(zhǎng)期以來(lái)一直是 Wolfspeed 擅長(zhǎng)的領(lǐng)域!

我們從這里走向何方?

如果固態(tài)變壓器 (SST) 是答案(我相信是的),那么要實(shí)現(xiàn)更快的推向市場(chǎng)的速度,需要的就不僅僅是碳化硅 MOSFET 制造商的推動(dòng)。固態(tài)變壓器 (SST) 設(shè)計(jì)并非易事,而且關(guān)鍵部件在正確的電壓等級(jí)上并不廣泛可用,這可能需要固態(tài)變壓器 (SST) 供應(yīng)商進(jìn)行定制開(kāi)發(fā),并使得多供應(yīng)商采購(gòu)成為挑戰(zhàn)。

考慮到固態(tài)變壓器 (SST) 處理的功率,安全性至關(guān)重要。必須精心設(shè)計(jì)保護(hù)方案,并且高電壓節(jié)點(diǎn)需要毫秒級(jí)的直流故障清除能力。公用事業(yè)客戶僅將轉(zhuǎn)換器效率作為目標(biāo)基準(zhǔn)的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了。效率是入場(chǎng)券—但安全性和耐久性才是差異化因素。

雖然適用于額定電壓 3.3 kV 及以下的碳化硅器件的柵極驅(qū)動(dòng)器在市場(chǎng)上可以買(mǎi)到,但適用于高電壓碳化硅的兼容柵極驅(qū)動(dòng)器卻非常稀缺。與高電壓碳化硅器件兼容的中頻磁性元件和絕緣系統(tǒng)也尚未商品化,這使得器件設(shè)計(jì)的責(zé)任落在了固態(tài)變壓器 (SST) 供應(yīng)商身上。我確信,通過(guò)合適的合作伙伴關(guān)系,碳化硅 MOSFET 集成器件制造商能夠提供固態(tài)變壓器 (SST) 所需的性能,但我們需要來(lái)自各類電子制造商的集體推動(dòng)來(lái)填補(bǔ)這些空白。

電源和無(wú)源電子制造商或許正面臨一個(gè)不可多得的機(jī)遇,來(lái)塑造像人工智能 (AI) 這樣改變生活的技術(shù)部署的步伐和程度。對(duì)于其他供應(yīng)商,我衷心期望,通過(guò)大家的齊心協(xié)力,提供對(duì)于為更可靠的人工智能 (AI) 基礎(chǔ)設(shè)施供電至關(guān)重要的組件。

來(lái)源:

[1] NVIDIA: Building the 800 VDC Ecosystem for Efficient, Scalable AI Factories

[2] IEA: AI and energy security report

[3] Northfield Transformers: Preparing for the Next Surge: How Data Center Expansion is Reshaping Transformer Demand

[4] Transformer Magazine: U.S. faces 30% transformer shortfall in 2025

目前已推出的適合固態(tài)變壓器 (SST) 應(yīng)用的 Wolfspeed WolfPACK 功率模塊產(chǎn)品包括:

CAB5R0A23GM4:2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板)

CAB5R0A23GM4T:2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板) 、預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料

CAB6R0A23GM4:2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板)

CAB6R0A23GM4T:2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板) 、預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料

CAB7R5A23GM4:2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板)

CAB7R5A23GM4T:2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 (AlN 基板) 、預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料

關(guān)于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)在全球范圍內(nèi)推動(dòng)碳化硅技術(shù)采用方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位,這些碳化硅技術(shù)為全球最具顛覆性的創(chuàng)新成果提供了動(dòng)力支持。作為碳化硅領(lǐng)域的引領(lǐng)者和全球最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新者,我們致力于為人人享有的美好世界賦能。Wolfspeed 通過(guò)面向各種應(yīng)用的碳化硅材料、功率模塊、分立功率器件和功率裸芯片產(chǎn)品,助您實(shí)現(xiàn)夢(mèng)想,成就非凡 (The Power to Make It Real)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 變壓器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    162

    文章

    8119

    瀏覽量

    148556
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3559

    瀏覽量

    52683
  • Wolfspeed
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    102

    瀏覽量

    8922

原文標(biāo)題:【W(wǎng)olfspeed白皮書(shū)】響應(yīng)市場(chǎng)需求:以可靠的碳化硅基固態(tài)變壓器為 AI 人工智能賦能(附下載鏈接)

文章出處:【微信號(hào):WOLFSPEED,微信公眾號(hào):WOLFSPEED】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    圓盤(pán)的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤(pán)組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤(pán)應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過(guò)電壓。開(kāi)關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換方案研究

    環(huán)流損耗并不傳輸能量同時(shí)會(huì)在變壓器、電感以及碳化硅MOSFET上產(chǎn)生導(dǎo)通環(huán)流損耗和溫升等問(wèn)題。這個(gè)損耗與采用碳化硅器件與否沒(méi)有直接關(guān)系,即便采用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)環(huán)流損耗還是依然存
    發(fā)表于 08-05 14:32

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始,隨著溫度的提高,氧化程度愈
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

    200V,但是碳化硅肖特基二極管擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    超過(guò)40%,其中碳化硅材料(SiC)代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
    發(fā)表于 01-12 11:48

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子
    發(fā)表于 09-23 15:02

    歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    ,極大地提高模塊工作的可靠性。此外,鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力,也有望碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
    發(fā)表于 02-22 16:06

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

    管子開(kāi)關(guān)影響。  2)低傳輸延遲  通常情況下,硅IGBT的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率小于40kHZ,碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率大于100kHz,應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)提供更低的信號(hào)
    發(fā)表于 02-27 16:03

    圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

    和分析,滿足不同的市場(chǎng)需求,基本半導(dǎo)體圖騰柱無(wú)橋PFC這一硬開(kāi)關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì)了同時(shí)兼顧效率與性價(jià)比的混合碳化硅分立器件,同時(shí)也提供了更高效率的全
    發(fā)表于 02-28 16:48

    級(jí)聯(lián)H橋固態(tài)變壓器SST的拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅二次紋波抑制算法

    傾佳楊茜-死磕固變-10kV交流電網(wǎng)級(jí)聯(lián)H橋固態(tài)變壓器SST的拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅二次紋波抑制算法深度研究 一、 引言:中高壓配電網(wǎng)中固態(tài)變壓器
    的頭像 發(fā)表于 04-27 06:34 ?452次閱讀
    級(jí)聯(lián)H橋<b class='flag-5'>固態(tài)</b><b class='flag-5'>變壓器</b>SST的拓?fù)溲葸M(jìn)與<b class='flag-5'>碳化硅</b>二次紋波抑制算法

    半導(dǎo)體碳化硅模塊在高壓固態(tài)變壓器中的應(yīng)用

    在數(shù)據(jù)中心加速邁向高算力、高能耗時(shí)代的今天,傳統(tǒng)電力系統(tǒng)正面臨效率、體積與靈活性的多重挑戰(zhàn)。固態(tài)變壓器(SST)作為一種顛覆性技術(shù),正在重新定義電能變換的邊界。而碳化硅(SiC)模塊,則是這場(chǎng)變革中的核心力量。
    的頭像 發(fā)表于 04-29 15:23 ?197次閱讀
    瑞<b class='flag-5'>能</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>模塊在高壓<b class='flag-5'>固態(tài)</b><b class='flag-5'>變壓器</b>中的應(yīng)用
    闵行区| 淮阳县| 灯塔市| 康定县| 衡山县| 安吉县| 南阳市| 阿拉善左旗| 星座| 武穴市| 赞皇县| 馆陶县| 宁波市| 新营市| 阳新县| 越西县| 新巴尔虎左旗| 光泽县| 临潭县| 西吉县| 墨玉县| 县级市| 尤溪县| 大安市| 靖江市| 泰州市| 修水县| 江北区| 铜山县| 新竹县| 宣恩县| 阳谷县| 平昌县| 项城市| 承德市| 台中市| 榆树市| 加查县| 油尖旺区| 利川市| 衡山县|