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LTC1436A/LTC1437A:高性能同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器解析與應(yīng)用指南

chencui ? 2026-03-31 14:05 ? 次閱讀
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LTC1436A/LTC1437A:高性能同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器解析與應(yīng)用指南

在開關(guān)穩(wěn)壓器領(lǐng)域,LTC1436A/LTC1437A以其卓越的性能脫穎而出,被廣泛應(yīng)用于眾多電子設(shè)備中。本文將對LTC1436A/LTC1437A進(jìn)行全面解析,并詳細(xì)介紹其應(yīng)用要點(diǎn)。

文件下載:DC140A-A.pdf

1. 產(chǎn)品概述

LTC1436A/LTC1437A是同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器控制器,能夠驅(qū)動外部N溝道功率MOSFET,采用可鎖相的固定頻率架構(gòu)。其自適應(yīng)功率輸出級可在高達(dá)400kHz頻率下選擇性驅(qū)動兩個N溝道MOSFET,減少開關(guān)損耗,在低輸出電流時仍能保持高效率。

2. 關(guān)鍵特性

2.1 頻率特性

  • 恒定頻率:在低輸出電流時仍能保持恒定頻率,且頻率可編程,支持PLL鎖相功能。通過外部振蕩器電容 (C{OSC}) 可確定工作頻率,公式為 (f{OSC}(kHz)=left(frac{8.4left(10^{8}right)}{COSC(pF)+11}right)left(frac{1}{I{CHG}}+frac{1}{I{DIS}}right)^{-1}) 。
  • 頻率范圍:振蕩器頻率VCO高時,不同條件下頻率有所不同,如 (C{OSC}=100pF) ,(V{PLLLPF}=0V) 時,頻率范圍在112 - 138kHz。

2.2 輸入輸出特性

  • 寬輸入電壓范圍:支持3.5V至36V的輸入電壓,能適應(yīng)多種電源環(huán)境。
  • 低導(dǎo)通時間:最小導(dǎo)通時間 ≤300ns,適用于高頻、低占空比應(yīng)用。
  • 低dropout:能實(shí)現(xiàn)99%的占空比,非常適合對電壓要求嚴(yán)格的場景。
  • 輸出電壓:輸出電壓范圍為1.19V至9V,可通過引腳選擇,如 (V{PROG}=0V) 時 (V{OUT}=3.3V) ,(V{PROG}=INTV{CC}) 時 (V{OUT}=5V) ,(V{PROG}) 開路(DC)時輸出電壓可調(diào)。

2.3 其他特性

  • 內(nèi)置功能:具備內(nèi)置的電源復(fù)位定時器、可編程軟啟動、低電池檢測器、遠(yuǎn)程輸出電壓檢測、折返電流限制(可選)等功能,增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 低功耗:邏輯控制的微功耗關(guān)斷模式下,(I_{0}<25 mu A) ,有效降低功耗。
  • 多種封裝形式:提供24引腳窄SSOP和28引腳SSOP封裝,方便不同應(yīng)用需求。

3. 工作原理

3.1 主控制環(huán)路

采用恒定頻率、電流模式降壓架構(gòu)。在正常工作時,振蕩器置位RS觸發(fā)器使頂部MOSFET導(dǎo)通,主電流比較器I1復(fù)位RS觸發(fā)器使頂部MOSFET關(guān)斷,峰值電感電流由ITH引腳電壓控制。底部MOSFET在頂部MOSFET關(guān)斷時導(dǎo)通,直到電感電流開始反向或下一周期開始。當(dāng)輸入電壓接近輸出電壓時,電路可能進(jìn)入dropout狀態(tài),此時dropout檢測器會周期性強(qiáng)制頂部MOSFET短暫關(guān)斷以對自舉電容 (C_{B}) 充電。

3.2 低電流操作

具有自適應(yīng)功率模式,可根據(jù)負(fù)載電流自動切換輸出級。TGL和BG引腳驅(qū)動大尺寸同步N溝道MOSFET用于高電流操作,TGS引腳驅(qū)動小尺寸N溝道MOSFET用于低電流操作。若TGS引腳開路,電路將默認(rèn)進(jìn)入Burst Mode操作。

3.3 頻率同步

LTC1436A - PLL和LTC1437A具備鎖相環(huán)(PLL),可使振蕩器與連接到PLLIN引腳的外部源同步。鎖相環(huán)鎖定時,頂部MOSFET的導(dǎo)通與同步信號的上升沿對齊。

3.4 上電復(fù)位

POR引腳為開漏輸出,當(dāng)主穩(wěn)壓器輸出電壓超出調(diào)節(jié)范圍時拉低,輸出電壓上升到調(diào)節(jié)值的 ±7.5% 內(nèi)時,啟動定時器,經(jīng)65536個振蕩器周期后釋放。

3.5 輔助線性穩(wěn)壓器

可控制外部PNP晶體管,輸出電流可達(dá)500mA。當(dāng)AUXDR引腳電壓高于9.5V時,啟用內(nèi)部12V電阻分壓器,便于實(shí)現(xiàn)12V VPP電源。

4. 應(yīng)用信息

4.1 外部組件選擇

  • (R_{SENSE}) 選擇:根據(jù)所需輸出電流選擇 (R{SENSE}) ,公式為 (R{SENSE}=frac{100 mV}{I{MAX}}) ,且 (R{SENSE }) 取值 (≥0.005 Omega) 。
  • (C_{OSC}) 選擇:根據(jù)所需工作頻率計算 (C{OSC}) 值,假設(shè)鎖相環(huán)無外部振蕩器輸入( (V{PLLLPF }=0 ~V) ),公式為 (C_{O S C}(p F)=left[frac{1.37left(10^{4}right)}{ Frequency (kHz)}right]-11) 。
  • 電感值計算:電感值與工作頻率和紋波電流相關(guān),計算公式為 (Delta I{L}=frac{1}{(f)(L)} V{OUT }left(1-frac{V{OUT }}{V{IN }}right)) 。同時,需考慮最小導(dǎo)通時間對電感值的限制。
  • 功率MOSFET和D1選擇:需選擇三個外部功率MOSFET,包括一對頂部N溝道MOSFET和一個底部同步N溝道MOSFET。選擇時需考慮 (R{DS(ON)}) 、(C{RSS}) 、輸入電壓和最大輸出電流等因素。肖特基二極管D1在連續(xù)同步操作和低電流操作中都有重要作用。
  • (C{IN }) 和 (C{OUT }) 選擇:(C{IN }) 需根據(jù)最大RMS電流選擇,公式為 (C{IN } Required I{RMS } approx I{MAX } frac{left[V{OUT }left(V{IN }-V{OUT }right)right]^{1 / 2}}{V{IN }}) ;(C{OUT }) 選擇主要考慮有效串聯(lián)電阻(ESR),輸出紋波公式為 (Delta V{OUT } approx Delta I{L}left(ESR+frac{1}{4 fC{OUT }}right)) 。

4.2 電源相關(guān)

  • (INTV _{CC}) 調(diào)節(jié)器:內(nèi)部P溝道低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)生5V電源,為驅(qū)動器和內(nèi)部電路供電。(INTV CC) 引腳可提供高達(dá)15mA電流,需用至少2.2μF鉭或低ESR電解電容旁路到地。
  • (EXTV _{CC}) 連接:當(dāng) (EXTV CC) 引腳電壓高于4.8V時,內(nèi)部開關(guān)閉合為 (INTV CC) 供電,低于4.5V時開關(guān)斷開。(EXTV _{CC}) 有四種連接方式,不同連接方式對效率有不同影響。

4.3 其他要點(diǎn)

  • 頂部MOSFET驅(qū)動器電源:外部自舉電容 (C_{B}) 連接到Boost引腳為頂部MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓,其值需為頂部MOSFET總輸入電容的100倍以上,通常0.1μF即可。
  • 輸出電壓編程:通過VPROG引腳選擇輸出電壓,同時該系列產(chǎn)品具有遠(yuǎn)程輸出電壓檢測功能。
  • 上電復(fù)位功能:監(jiān)控輸出電壓,超出調(diào)節(jié)范圍時開啟開漏器件,外部需接下拉電阻。
  • 運(yùn)行/軟啟動功能:RUN/SS引腳兼具軟啟動和關(guān)斷功能,通過內(nèi)部3μA電流源對外部電容 (C_{SS}) 充電實(shí)現(xiàn)軟啟動。
  • 折返電流限制:在輸出短路時,通過在輸出和 (I{TH}) 引腳之間添加二極管 (D{FB}) 實(shí)現(xiàn)折返電流限制,降低故障時的電流。
  • 鎖相環(huán)和頻率同步:鎖相環(huán)可使頂部MOSFET導(dǎo)通與外部源同步,通過調(diào)節(jié)PLL LPF引腳電壓可實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)節(jié)。
  • 低電池比較器:用于檢測低電池狀態(tài),通過電阻分壓器設(shè)置比較器觸發(fā)點(diǎn)。
  • SFB引腳操作:SFB引腳低于1.19V時強(qiáng)制連續(xù)模式操作,還可用于調(diào)節(jié)反激繞組輸出。
  • 輔助調(diào)節(jié)器/比較器:可作為比較器或低壓差穩(wěn)壓器使用,通過AUXON引腳控制開關(guān),AUXDR引腳為開漏輸出,需外接上拉電阻。
  • 最小導(dǎo)通時間考慮:最小導(dǎo)通時間受內(nèi)部定時延遲和頂部MOSFET柵極電荷影響,低占空比應(yīng)用需選擇合適的電感值以滿足最小導(dǎo)通時間要求。
  • 效率考慮:效率主要受 (V{IN }) 電流、(INTV {CC}) 電流、(I^{2} R) 損耗和頂部MOSFET過渡損耗影響。
  • 瞬態(tài)響應(yīng)檢查:通過負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)檢查調(diào)節(jié)器環(huán)路響應(yīng),負(fù)載階躍時 (Vout) 會發(fā)生偏移,可監(jiān)控 (Vout) 是否存在過沖或振鈴以判斷穩(wěn)定性。
  • 汽車應(yīng)用注意事項(xiàng):在汽車應(yīng)用中,需使用串聯(lián)二極管和瞬態(tài)抑制器保護(hù)DC/DC轉(zhuǎn)換器免受電池線路瞬態(tài)影響。

5. 設(shè)計示例

假設(shè) (V{IN }=12 ~V) (標(biāo)稱),(V{IN}=22V) (最大),(V{OUT }=1.6 ~V) ,(I{MAX }=3 ~A) 和 (f=250 kHz) :

  • 計算 (C{OSC}) :(C{O S C}=left(frac{1.37left(10^{4}right)}{250}right)-11=43 pF)
  • 計算 (R{SENSE}) :(R{SENSE}=frac{100 mV}{3 A}=0.033 Omega)
  • 選擇電感:參考圖表選擇4.7μH電感,計算最大輸入電壓下的紋波電流和導(dǎo)通時間,判斷最小導(dǎo)通時間是否足夠。
  • 估算功率損耗:估算頂部MOSFET和同步N溝道MOSFET的功率損耗。
  • 選擇電容:(C{IN }) 選擇RMS電流額定值至少為1.5A的電容,(C{OUT }) 選擇ESR為0.03Ω的電容以降低輸出紋波。

6. PCB布局檢查清單

  • 信號和功率地分離,信號地返回 (C{OUT }) 的負(fù)極,功率地連接底部N溝道MOSFET源極、肖特基二極管陽極和 (C{IN}) 的負(fù)極。
  • (VOSENSE) 引腳連接 (C_{OUT }) 的正極,可調(diào)應(yīng)用中電阻分壓器需正確連接。
  • (SENSE) 和 (SENSE +) 引線應(yīng)一起布線,且濾波電容應(yīng)靠近芯片。
  • (C_{IN}) 的正極應(yīng)盡可能靠近頂部MOSFET的漏極。
  • (INTV CC) 去耦電容應(yīng)緊密連接在 (INTV CC) 和功率地引腳之間。
  • 開關(guān)節(jié)點(diǎn)SW應(yīng)遠(yuǎn)離敏感小信號節(jié)點(diǎn)。
  • PLLIN線應(yīng)遠(yuǎn)離Boost和SW引腳。
  • SGND應(yīng)專門用于接地外部組件。
  • 接近最小導(dǎo)通時間限制時,感測電阻應(yīng)沿電感徑向軸方向放置。

7. 典型應(yīng)用

  • Intel移動CPU VID核心電源轉(zhuǎn)換器:為核心提供穩(wěn)定電源,并提供1.8V I/O電源。
  • 固定輸出和輔助輸出應(yīng)用:如3.3V/4A固定輸出搭配5V或12V輔助輸出,滿足不同設(shè)備的電源需求。
  • 可調(diào)輸出應(yīng)用:具備折返電流限制功能和輔助輸出,提高系統(tǒng)的可靠性和靈活性。

8. 相關(guān)產(chǎn)品

文中還列出了一系列相關(guān)產(chǎn)品,如LTC1142HV/LTC1142、LTC1148HV/LTC1148等,可根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行選擇。

LTC1436A/LTC1437A憑借其豐富的特性和卓越的性能,為電子工程師在設(shè)計電源管理電路時提供了一個強(qiáng)大且可靠的選擇。通過合理選擇外部組件和優(yōu)化PCB布局,能夠充分發(fā)揮其優(yōu)勢,滿足各種復(fù)雜應(yīng)用的需求。你在使用LTC1436A/LTC1437A過程中遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享。

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