一、擦寫壽命與數(shù)據(jù)可靠性
FLASH芯片的擦寫次數(shù)一般來說都是有限的，目前主流產(chǎn)品的擦寫壽命普遍在10萬次左右。當(dāng)FLASH芯片接近使用壽命終點時，寫操作可能會出現(xiàn)失敗。不過，需要注意NAND FLASH采用整塊擦寫機制，一旦塊內(nèi)出現(xiàn)一位數(shù)據(jù)失效，整個塊都會標(biāo)記為壞塊。相比之下，NOR FLASH的塊數(shù)量更少，且擦寫過程相對簡單，因此整體上NOR FLASH的壽命表現(xiàn)更優(yōu)。

由于NAND FLASH存在產(chǎn)生壞塊的可能性，使用這類FLASH芯片的系統(tǒng)必須配備“錯誤檢測與糾正（EDC/ECC）”算法，以確保數(shù)據(jù)讀寫的正確性和長期穩(wěn)定性。而NOR FLASH在這方面對額外糾錯算法的依賴較低。

二、讀寫機制與指令執(zhí)行方式的差異
NOR FLASH的地址線和數(shù)據(jù)線是分開設(shè)計的，所以它支持按“字節(jié)”進行隨機讀寫。這種特性使其能夠直接對接CPU的指令譯碼執(zhí)行流程。如果代碼指令存儲在NOR FLASH上，CPU只需發(fā)送一個地址，NOR FLASH就能立即返回對應(yīng)地址的數(shù)據(jù)供CPU執(zhí)行，中間無需任何額外的加載操作。

而NAND FLASH采用地址線與數(shù)據(jù)線復(fù)用的設(shè)計，只能按“塊”進行讀寫。當(dāng)CPU向NAND FLASH發(fā)送地址時，它無法直接返回該地址對應(yīng)的單字節(jié)數(shù)據(jù)，因此不符合CPU的指令譯碼要求。若代碼需要存儲在NAND FLASH上，通常的做法是先將代碼內(nèi)容加載到RAM中，再由CPU從RAM中讀取并執(zhí)行。

三、典型應(yīng)用場景：代碼存儲vs大容量數(shù)據(jù)存儲
NOR FLASH：適合代碼存儲類應(yīng)用。例如嵌入式控制器內(nèi)部的程序存儲空間、BIOS固存、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的啟動代碼等，通常選用NOR FLASH。

NAND FLASH：適合大數(shù)據(jù)量存儲場景。我們?nèi)粘Ｊ褂玫?a target="_blank">SD卡、U盤、手機閃存以及固態(tài)硬盤（SSD），幾乎都是基于NAND FLASH架構(gòu)。

四、如何選擇適合的FLASH芯片
選擇FLASH芯片時，需要綜合考慮存儲容量、讀寫方式、擦寫壽命以及系統(tǒng)是否需要直接執(zhí)行代碼。如果項目要求CPU直接從存儲器中取指執(zhí)行，且數(shù)據(jù)量不大、對隨機讀取速度有要求，NOR FLASH是更合適的選擇。如果項目關(guān)注大容量存儲、成本效益以及順序讀寫性能，那么NAND FLASH則更具優(yōu)勢。更多詳情請搜索英尚微電子。

審核編輯 黃宇