ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應用于各種電源管理、電機驅(qū)動等電路中。今天，我們來深入了解ON Semiconductor推出的ATP401 N-Channel Power MOSFET，看看它有哪些獨特的性能和優(yōu)勢。
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產(chǎn)品概述
ATP401是一款60V、100A的N-Channel Power MOSFET，采用ATPAK封裝。它具有低導通電阻、高輸入電容等特點，并且符合無鹵要求，適用于多種應用場景。
產(chǎn)品特性
低導通電阻
在4.5V驅(qū)動下，典型導通電阻RDS(on)低至2.8mΩ，這意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗較小，能夠有效提高電路的效率。低導通電阻還可以降低發(fā)熱，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
高輸入電容
輸入電容Ciss典型值為17000pF，這使得MOSFET在開關(guān)過程中能夠快速響應，減少開關(guān)時間，提高開關(guān)頻率，從而滿足一些對速度要求較高的應用。
無鹵合規(guī)
ATP401符合無鹵要求，這對于環(huán)保和一些對材料有特殊要求的應用來說非常重要。
規(guī)格參數(shù)
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±20 | V |
| 漏極直流電流 | ID | - | 100 | A |
| 漏極脈沖電流 | IDP | PW≤10μs，占空比≤1% | 400 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 90 | W |
| 通道溫度 | Tch | - | 150 | °C |
| 存儲溫度 | Tstg | - | -55 to +150 | °C |
| 雪崩能量（單脈沖） | EAS | VDD = 36V，L = 100μH，IAV = 70A | 549 | mJ |
| 雪崩電流 | IAV | Ls = 100μH，單脈沖 | 70 | A |
需要注意的是，超過最大額定值的應力可能會損壞器件，而且最大額定值僅為應力額定值，不意味著在推薦工作條件以上仍能正常工作。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA，VGS = 0V | 60 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 60V，VGS = 0V | - | - | 10 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±16V，VDS = 0V | - | - | ±10 | μA |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V，ID = 1mA | 1.2 | - | 2.6 | V |
| 正向傳輸導納 | yfs | VDS = 10V，ID = 50A | - | 90 | - | S |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(on)1 | ID = 50A，VGS = 10V | - | 2.8 | 3.7 | mΩ |
| RDS(on)2 | ID = 50A，VGS = 4.5V | - | 3.7 | 5.2 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V，f = 1MHz | - | 17000 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | - | 1000 | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | - | 770 | pF |
| 導通延遲時間 | td(on) | 見Fig.2 | - | 110 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | - | 580 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | - | - | 840 | - | ns |
| 下降時間 | tf | - | - | 710 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 36V，VGS = 10V，ID = 100A | - | 300 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | - | 60 | - | nC |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | - | 60 | - | nC |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 100A，VGS = 0V | - | 0.9 | 1.2 | V |
這些電氣特性為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據(jù)。例如，導通電阻決定了功率損耗，開關(guān)時間影響著開關(guān)頻率和效率等。
封裝與尺寸
ATP401采用ATPAK封裝，其尺寸（典型值）如下：
1.5 0.4
ATP401-TL-H
6.5
0.5
7.3
9.5
0.5
0.8
0.6
2.3
0.4
6.05
4.6封裝的尺寸對于電路板的布局和設計非常重要，工程師需要根據(jù)實際情況合理安排元件的位置。
訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝 | 備注 |
|---|---|---|---|
| ATP401 - TL - H | ATPAK | 3,000pcs./reel | 無鉛無鹵 |
使用注意事項
由于ATP401是MOSFET產(chǎn)品，使用時應避免在高電荷物體附近使用，以免受到靜電等影響而損壞器件。
此外，ON Semiconductor不保證其產(chǎn)品適用于所有特定用途，所有工作參數(shù)都需要客戶的技術(shù)專家針對每個應用進行驗證。同時，該產(chǎn)品不適合用于一些對安全要求極高的應用，如手術(shù)植入、維持生命等應用。
在實際設計中，工程師們是否遇到過類似MOSFET因靜電等問題損壞的情況呢？又采取了哪些有效的防護措施呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
通過對ATP401的詳細了解，我們可以看到它在性能和可靠性方面都有出色的表現(xiàn)。它的低導通電阻和高輸入電容等特性使其在電源管理、電機驅(qū)動等領(lǐng)域具有很大的應用潛力。希望本文能為電子工程師們在選擇和使用功率MOSFET時提供一些有價值的參考。
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