Onsemi ECH8663R N溝道雙MOSFET：特性與應(yīng)用分析
Onsemi ECH8663R N溝道雙MOSFET：特性與應(yīng)用分析
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們來深入了解Onsemi公司的ECH8663R N溝道雙MOSFET，看看它有哪些獨特之處。
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一、產(chǎn)品特性亮點
低導(dǎo)通電阻
ECH8663R具有低導(dǎo)通電阻的特性，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較小，能夠有效提高電路的效率。例如，在不同的柵源電壓下，其導(dǎo)通電阻表現(xiàn)出色：在3.1V時為23mΩ，2.5V時為28mΩ。這一特性使得它在一些對功耗要求較高的應(yīng)用中具有明顯優(yōu)勢。
2.5V驅(qū)動
支持2.5V驅(qū)動，這為低電壓應(yīng)用場景提供了便利。在一些低功耗的設(shè)備中，較低的驅(qū)動電壓可以減少電源的負擔(dān)，同時也能降低整個系統(tǒng)的功耗。
共漏極類型
采用共漏極類型的設(shè)計，這種結(jié)構(gòu)在某些電路中可以簡化設(shè)計，并且能夠更好地滿足特定的電路需求。
內(nèi)置保護功能
內(nèi)置保護二極管和柵極保護電阻，能夠有效保護器件免受電壓尖峰和靜電等因素的影響，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
適用于鋰電池充放電開關(guān)
該器件非常適合用于鋰電池的充放電開關(guān)。在鋰電池的應(yīng)用中，對開關(guān)器件的性能要求較高，ECH8663R的低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性能夠確保鋰電池充放電過程的高效和安全。
無鹵合規(guī)
符合無鹵標(biāo)準(zhǔn)，這對于環(huán)保要求較高的應(yīng)用場景來說是一個重要的特性。
二、產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 30 | V | |
| 柵源電壓 | (V_{GSS}) | ±12 | V | |
| 漏極電流（直流） | (I_{D}) | 8 | A | |
| 漏極電流（脈沖） | (I_{DP}) | (PWleq10mu s)，占空比 ≤ 1% | 60 | A |
| 允許功率耗散 | (P_{D}) | 安裝在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)）1單元 | 1.4 | W |
| 總功率耗散 | (P_{T}) | 安裝在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)） | 1.5 | W |
| 溝道溫度 | (T_{ch}) | 150 | (^{circ}C) | |
| 儲存溫度 | (T_{stg}) | -55 至 +150 | (^{circ}C) |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (I{D}=1mA)，(V{GS}=0V) | 30 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{DS}=30V)，(V{GS}=0V) | 1 | (mu A) | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{GS}= +8V)，(V{DS}=0V) | ±10 | (mu A) | ||
| 截止電壓 | (V_{GS(off)}) | (V{DS}=10V)，(I{D}=1mA) | 0.5 | 1.3 | V | |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | (vert y_{fs}vert) | (V{DS}=10V)，(I{D}=4A) | 5 | 8.5 | S | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | (R_{DS(on)1}) | (I{D}=4A)，(V{GS}=4.5V) | 10.5 | 15.5 | 20.5 | (mOmega) |
| (R_{DS(on)2}) | (I{D}=4A)，(V{GS}=4.0V) | 11 | 16 | 21 | (mOmega) | |
| (R_{DS(on)3}) | (I{D}=2A)，(V{GS}=3.1V) | 12 | 17.5 | 23 | (mOmega) | |
| (R_{DS(on)4}) | (I{D}=2A)，(V{GS}=2.5V) | 12 | 20 | 28 | (mOmega) | |
| 導(dǎo)通延遲時間 | (t_{d(on)}) | 見指定測試電路 | 1 | 320 | ns | |
| 上升時間 | (t_{r}) | 850 | ns | |||
| 關(guān)斷延遲時間 | (t_{d(off)}) | 4200 | ns | |||
| 下降時間 | (t_{f}) | 1800 | ns | |||
| 總柵極電荷 | (Q_{g}) | (V{DS}=10V)，(V{GS}=4.5V)，(I_{D}=8A) | 12.3 | nC | ||
| 柵源電荷 | (Q_{gs}) | 2.4 | nC | |||
| 柵漏“米勒”電荷 | (Q_{gd}) | 2.8 | nC | |||
| 二極管正向電壓 | (V_{SD}) | (I{S}=8A)，(V{GS}=0V) | 0.75 | 1.2 | V |
這些電氣特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。不同的應(yīng)用場景可能對這些參數(shù)有不同的要求，工程師需要根據(jù)具體情況進行選擇和優(yōu)化。
三、封裝與訂購信息
封裝
該器件采用SOT - 28FL / ECH8封裝，這種封裝具有一定的散熱和電氣性能優(yōu)勢，能夠適應(yīng)不同的安裝和使用環(huán)境。
訂購信息
型號為ECH8663R - TL - H，采用無鉛和無鹵封裝，每盤3000個，以卷帶形式包裝。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細信息，可以參考Onsemi的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
四、應(yīng)用與思考
ECH8663R的這些特性使其在鋰電池充放電管理、低功耗電源開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和要求，綜合考慮器件的各項參數(shù)，如導(dǎo)通電阻、開關(guān)時間、耐壓等，以確保電路的性能和可靠性。同時，對于不同的工作條件，器件的性能可能會有所變化，因此在設(shè)計過程中需要進行充分的測試和驗證。大家在使用過類似的MOSFET器件時，有沒有遇到過一些特殊的問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享。
總之，Onsemi的ECH8663R N溝道雙MOSFET是一款性能出色、功能豐富的功率開關(guān)器件，為電子工程師在電路設(shè)計中提供了一個優(yōu)秀的選擇。
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鋰電池充放電
+關(guān)注
關(guān)注
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