Onsemi NVTFS8D1N08H：高性能N溝道屏蔽柵MOSFET的全面解析

在電子工程師的設(shè)計世界里，MOSFET是至關(guān)重要的功率器件，而Onsemi的NVTFS8D1N08H N溝道屏蔽柵MOSFET，以其卓越的性能和特性，在眾多應(yīng)用場景中備受關(guān)注。下面，我們就來深入了解這款MOSFET的各項特性和參數(shù)。

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產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計與低損耗優(yōu)勢

NVTFS8D1N08H采用3x3 mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計。其低導(dǎo)通電阻（$R{DS(on)}$）能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，同時低柵極電荷（$Q{G}$）和電容則可減少驅(qū)動損耗，這對于提高系統(tǒng)效率至關(guān)重要。此外，NVTFWS8D1N08H還提供可焊側(cè)翼選項，便于進(jìn)行光學(xué)檢測，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

汽車級標(biāo)準(zhǔn)與環(huán)保特性

該器件通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，適用于汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景。同時，它是無鉛、無鹵素/BFR且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)保產(chǎn)品，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求。

最大額定值

需要注意的是，整個應(yīng)用環(huán)境會影響熱阻數(shù)值，這些數(shù)值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。另外，長達(dá)1秒的脈沖最大電流會更高，但取決于脈沖持續(xù)時間和占空比。

熱阻參數(shù)

這里的熱阻參數(shù)是在FR4板上使用$650 mm^{2}$、2 oz.銅焊盤的條件下測得的。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0 V$，$I_{D}=250 mu A$時為80 V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：$V{(BR)DSS}/T{J}$為 -52 mV/$^{circ}C$。
• 零柵壓漏極電流：$I{DSS}$在$V{GS}=0 V$，$T{J}=25^{circ}C$，$V{DS}=64 V$時為10 $mu A$；在$T_{J}=125^{circ}C$時為250 $mu A$。
• 柵源泄漏電流：$I{GSS}$在$V{DS}=0 V$，$V_{GS}=±20 V$時最大為100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS(TH)}$在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=270 mu A$時，最小值為2.0 V，典型值為2.8 V，最大值為4.0 V。
• 閾值溫度系數(shù)：$V{GS(TH)}/T{J}$為 -7.2 mV/$^{circ}C$。
• 漏源導(dǎo)通電阻：$R{DS(on)}$在$V{GS}=10 V$，$I{D}=16 A$時，典型值為6.4 m$Omega$，最大值為8.3 m$Omega$；在$V{GS}=6 V$，$I_{D}=13 A$時，典型值為9 m$Omega$，最大值為12.6 m$Omega$。

電荷、電容與柵極電阻

• 輸入電容：$C{ISS}$在$V{GS}=0 V$，$V_{DS}=40 V$，$f = 1 MHz$時為1450 pF。
• 輸出電容：$C_{OSS}$為776 pF。
• 反向傳輸電容：$C_{RSS}$為46 pF。
• 總柵極電荷：$Q{G(TOT)}$在$V{GS}=6 V$，$V{DS}=40 V$，$I{D}=16 A$時為9 nC；在$V{GS}=10 V$，$V{DS}=40 V$，$I_{D}=16 A$時為23 nC。
• 閾值柵極電荷：$Q{G(TH)}$在$V{GS}=10 V$，$V{DS}=40 V$，$I{D}=16 A$時為9 nC。
• 柵源電荷：$Q_{GS}$為7.2 nC。
• 柵漏電荷：$Q_{GD}$為4.2 nC。
• 平臺電壓：$V_{GP}$為4.6 V。

開關(guān)特性

漏源二極管特性

• 源漏二極管正向電壓：$V{SD}$在$V{GS}=0 V$，$I_{S}=16 A$時，最小值為0.81 V，最大值為1.2 V。
• 反向恢復(fù)時間：$t{RR}$在$I{D}=16 A$，$di/dt = 100 A/mu s$時為40.5 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：$Q_{RR}$為46.8 nC。
• 充電時間：$t_{a}$為22.6 ns。
• 放電時間：$t_$為17.9 ns。

脈沖測試條件為脈沖寬度 ≤300 $mu s$，占空比 ≤2%。需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在所列測試條件下的電氣特性中體現(xiàn)的，如果在不同條件下運行，產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。開關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時間與柵極電阻關(guān)系、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時間關(guān)系以及瞬態(tài)熱阻抗等。這些曲線能夠幫助工程師更直觀地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

訂購信息

對于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，包括部件方向和卷帶尺寸，請參考Onsemi的卷帶包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。

機(jī)械尺寸

文檔提供了WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511DY和WDFNW8 3.30x3.30x0.75, 0.65P CASE 515AP兩種封裝的機(jī)械尺寸圖和詳細(xì)的尺寸參數(shù)，以及推薦的焊盤布局。這些信息對于PCB設(shè)計和器件安裝至關(guān)重要。

Onsemi的NVTFS8D1N08H MOSFET憑借其緊湊的設(shè)計、低損耗特性、汽車級標(biāo)準(zhǔn)以及豐富的電氣參數(shù)，為電子工程師在功率設(shè)計領(lǐng)域提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求和工作條件，合理選擇和使用這款器件，以實現(xiàn)系統(tǒng)的最佳性能。你在使用類似MOSFET時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。