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EFM32G280微控制器:低功耗高性能的理想之選

chencui ? 2026-04-15 15:20 ? 次閱讀
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EFM32G280微控制器:低功耗高性能的理想之選

在當(dāng)今電子設(shè)備追求低功耗與高性能的時(shí)代,EFM32G280微控制器憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和卓越的性能脫穎而出。作為一名電子工程師,今天就和大家深入探討一下這款號(hào)稱“世界上最節(jié)能的微控制器”。

文件下載:EFM32G280F128-QFP100T.pdf

一、產(chǎn)品概述

EFM32G280系列微控制器基于ARM Cortex - M3 CPU平臺(tái),具備高性能32位處理器,最高運(yùn)行頻率可達(dá)32 MHz。它擁有豐富的外設(shè)和靈活的能源管理系統(tǒng),適用于各種電池供電應(yīng)用以及對(duì)高性能和低能耗有要求的系統(tǒng)。

1.1 產(chǎn)品型號(hào)與配置

EFM32G280有不同的型號(hào)可供選擇,主要區(qū)別在于閃存和RAM的容量,具體如下表所示: 訂購(gòu)代碼 閃存 (kB) RAM (kB) 最大速度 (MHz) 電源電壓 (V) 溫度范圍 (oC) 封裝
EFM32G280F32 - QFP100 32 8 32 1.98 - 3.8 -40 - 85 LQFP100
EFM32G280F64 - QFP100 64 16 32 1.98 - 3.8 -40 - 85 LQFP100
EFM32G280F128 - QFP100 128 16 32 1.98 - 3.8 -40 - 85 LQFP100

二、系統(tǒng)架構(gòu)

2.1 ARM Cortex - M3核心

ARM Cortex - M3核心包含一個(gè)32位RISC處理器,每MHz可達(dá)1.25 Dhrystone MIPS。還集成了支持最多8個(gè)內(nèi)存段的內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)和喚醒中斷控制器(WIC),能夠有效處理CPU休眠時(shí)觸發(fā)的中斷。

2.2 調(diào)試接口(DBG)

該設(shè)備通過(guò)2引腳串行線調(diào)試接口提供硬件調(diào)試支持,還有一個(gè)1線串行線查看器引腳,可用于輸出性能分析信息、數(shù)據(jù)跟蹤和軟件生成的消息。

2.3 內(nèi)存系統(tǒng)控制器(MSC)

內(nèi)存系統(tǒng)控制器負(fù)責(zé)管理EFM32G微控制器的程序內(nèi)存。閃存可從Cortex - M3和DMA進(jìn)行讀寫操作,分為主塊和信息塊。主塊用于存儲(chǔ)程序代碼,信息塊可用于存儲(chǔ)特殊用戶數(shù)據(jù)和閃存鎖定位,還有一個(gè)只讀頁(yè)面包含系統(tǒng)和設(shè)備校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。

2.4 直接內(nèi)存訪問(wèn)控制器(DMA)

DMA控制器可獨(dú)立于CPU執(zhí)行內(nèi)存操作,減少了CPU的能耗和工作量,使系統(tǒng)在數(shù)據(jù)傳輸時(shí)能保持低能耗模式。

2.5 復(fù)位管理單元(RMU)

RMU負(fù)責(zé)處理EFM32G的復(fù)位功能。

2.6 能源管理單元(EMU)

EMU管理EFM32G微控制器的所有低能耗模式,可控制CPU和各種外設(shè)的可用性,還能關(guān)閉未使用的SRAM塊的電源。

2.7 時(shí)鐘管理單元(CMU)

CMU負(fù)責(zé)控制EFM32G板載的振蕩器和時(shí)鐘,可單獨(dú)開(kāi)啟或關(guān)閉所有外設(shè)模塊的時(shí)鐘,靈活配置可用的振蕩器,有助于軟件在特定應(yīng)用中最小化能耗。

2.8 看門狗(WDOG)

看門狗定時(shí)器用于在系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)生成復(fù)位信號(hào),提高應(yīng)用的可靠性。故障可能由外部事件(如ESD脈沖)或軟件故障引起。

2.9 外設(shè)反射系統(tǒng)(PRS)

PRS是一個(gè)網(wǎng)絡(luò),允許不同的外設(shè)模塊直接相互通信,無(wú)需CPU干預(yù)。發(fā)送反射信號(hào)的外設(shè)模塊稱為生產(chǎn)者,PRS將這些信號(hào)路由到消費(fèi)者外設(shè),消費(fèi)者外設(shè)根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)執(zhí)行相應(yīng)操作。

2.10 外部總線接口(EBI)

EBI提供對(duì)外部并行接口設(shè)備(如SRAM、FLASH、ADC和LCD)的訪問(wèn),該接口映射到Cortex - M3的地址總線,方便軟件無(wú)縫訪問(wèn),數(shù)據(jù)和地址線采用復(fù)用方式以減少引腳數(shù)量,時(shí)序可根據(jù)外部設(shè)備的規(guī)格進(jìn)行調(diào)整。

2.11 集成電路接口(I2C)

I2C模塊提供MCU與串行I2C總線之間的接口,可作為主設(shè)備或從設(shè)備,支持多主總線,支持標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式和快速模式+速度,傳輸速率從10 kbit/s到1 Mbit/s。還提供從設(shè)備仲裁和超時(shí)功能,支持SMBus兼容系統(tǒng)。

2.12 通用同步/異步收發(fā)器(USART)

USART是一個(gè)非常靈活的串行I/O模塊,支持全雙工異步UART通信、RS - 485、SPI、MicroWire和3線通信,還可與ISO7816智能卡和IrDA設(shè)備接口。

2.13 預(yù)編程UART引導(dǎo)加載程序

設(shè)備在出廠時(shí)預(yù)編程了UART引導(dǎo)加載程序,支持自動(dòng)波特率和破壞性寫入功能。

2.14 通用異步收發(fā)器(UART)

UART支持全雙工和半雙工異步UART通信。

2.15 低能耗通用異步收發(fā)器(LEUART)

LEUART是一種獨(dú)特的UART,可在嚴(yán)格的功率預(yù)算下實(shí)現(xiàn)雙向UART通信,僅需32.768 kHz時(shí)鐘即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)9600波特/秒的通信速率,硬件支持使異步串行通信所需的軟件干預(yù)和能耗最小化。

2.16 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器(TIMER)

16位通用定時(shí)器有3個(gè)比較/捕獲通道,用于輸入捕獲和比較/PWM輸出。TIMER0還包含一個(gè)死區(qū)時(shí)間插入模塊,適用于電機(jī)控制應(yīng)用。

2.17 實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器(RTC)

RTC包含一個(gè)24位計(jì)數(shù)器,可由32.768 kHz晶體振蕩器或32.768 kHz RC振蕩器提供時(shí)鐘。除了EM0和EM1模式外,RTC在EM2模式下也可用,非常適合計(jì)時(shí)。

2.18 低能耗定時(shí)器(LETIMER)

LETIMER是一個(gè)16位定時(shí)器,在EM1、EM0和EM2模式下均可使用,可在設(shè)備大部分功能關(guān)閉時(shí)進(jìn)行計(jì)時(shí)和輸出波形,功耗極低。

2.19 脈沖計(jì)數(shù)器(PCNT)

PCNT可用于對(duì)單個(gè)輸入的脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)或解碼正交編碼輸入,可由內(nèi)部LFACLK或PCNTn_S0IN引腳作為外部時(shí)鐘源,可在EM0 - EM3模式下工作。

2.20 模擬比較器ACMP)

ACMP用于比較兩個(gè)模擬輸入的電壓,數(shù)字輸出指示哪個(gè)輸入電壓更高。輸入可以是可選的內(nèi)部參考電壓或外部引腳電壓,可通過(guò)改變比較器的電流供應(yīng)來(lái)配置響應(yīng)時(shí)間和電流消耗。

2.21 電壓比較器(VCMP)

VCMP用于通過(guò)軟件監(jiān)控電源電壓,當(dāng)電源電壓低于或高于可編程閾值時(shí)可生成中斷,同樣可通過(guò)改變比較器的電流供應(yīng)來(lái)配置響應(yīng)時(shí)間和電流消耗。

2.22 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)

ADC采用逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu),分辨率高達(dá)12位,采樣率可達(dá)每秒100萬(wàn)次。集成的輸入多路復(fù)用器可從8個(gè)外部引腳和6個(gè)內(nèi)部信號(hào)中選擇輸入。

2.23 數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC

DAC可將數(shù)字值轉(zhuǎn)換為模擬輸出電壓,具有12位分辨率,全差分軌到軌輸出,有兩個(gè)單端輸出緩沖器,可組合成一個(gè)差分輸出,可用于傳感器接口或聲音輸出等多種應(yīng)用。

2.24 高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)加速器(AES)

AES加速器可使用128位或256位密鑰進(jìn)行AES加密和解密。使用128位密鑰加密或解密一個(gè)128位數(shù)據(jù)塊需要52個(gè)HFCORECLK周期,使用256位密鑰需要75個(gè)HFCORECLK周期。

2.25 通用輸入/輸出(GPIO)

EFM32G280有86個(gè)通用輸入/輸出(GPIO)引腳,可分為多個(gè)端口,每個(gè)端口最多16個(gè)引腳。這些引腳可單獨(dú)配置為輸出或輸入,還可進(jìn)行更高級(jí)的配置,如開(kāi)漏、濾波和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等。GPIO引腳還可被外設(shè)引腳連接覆蓋,支持最多16個(gè)異步外部引腳中斷,輸入值可通過(guò)外設(shè)反射系統(tǒng)路由到其他外設(shè)。

三、電氣特性

3.1 測(cè)試條件

典型數(shù)據(jù)基于 (T{AMB}=25^{circ} C) 和 (V{DD}=3.0 ~V) ,通過(guò)仿真和/或技術(shù)表征獲得。最小和最大值代表環(huán)境溫度、電源電壓和頻率的最壞情況。

3.2 絕對(duì)最大額定值

絕對(duì)最大額定值是應(yīng)力額定值,在此條件下不能保證設(shè)備的功能正常運(yùn)行。超出表中規(guī)定的極限可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性或?qū)е掠谰眯該p壞。 符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
(T_{STG}) 存儲(chǔ)溫度范圍 -40 150 °C
(T_{S}) 最大焊接溫度 最新IPC/JEDEC J - STD - 020標(biāo)準(zhǔn) 260 °C
(V_{DDMAX}) 外部主電源電壓 0 3.8 V
(V_{IOPIN}) 任何I/O引腳的電壓 -0.3 (V_{DD} + 0.3) V
(I_{IOMAX}) 每個(gè)I/O引腳的電流(灌電流) 100 mA
每個(gè)I/O引腳的電流(拉電流) -100 mA

3.3 一般工作條件

符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位
(T_{AMB}) -40 85 °C
(V_{DDOP}) 1.98 3.8 V
(APB) 32 MHz
(AHB) 32 MHz

3.4 電流消耗

不同能耗模式下的電流消耗如下表所示: 符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
(EM0) EM0電流。無(wú)預(yù)分頻。從閃存執(zhí)行質(zhì)數(shù)計(jì)算代碼 32 MHz HFXO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) 180 206 μA/MHz
28 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
21 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
14 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
11 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
6.6 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
1.2 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
(EM1) EM1電流(生產(chǎn)測(cè)試條件 = 14 MHz) 32 MHz HFXO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
28 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
21 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
14 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
11 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
6.6 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
1.2 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V)
(EM2) EM2電流(帶RTC) 32.768 kHz LFRCO,(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C),RTC預(yù)分頻至1 Hz
32.768 kHz LFRCO,(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C),RTC預(yù)分頻至1 Hz
(EM3) EM3電流 (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C)
(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C)
(EM4) EM4電流 (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C)
(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C) 0.7 μA

3.5 能耗模式轉(zhuǎn)換

能耗模式之間的轉(zhuǎn)換時(shí)間如下表所示: 符號(hào) 參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位
(t_{EM10}) 從EM1到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 0 HF - CORE - CLK周期
(t_{EM20}) 從EM2到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 2 μs
(t_{EM30}) 從EM3到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 2 μs
(t_{EM40}) 從EM4到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 163 μs

3.6 電源管理

EFM32G要求AVDD_x、VDD_DREG和IOVDD_x引腳在PCB級(jí)別連接在一起(可選濾波)。具體的原理圖建議可參考應(yīng)用筆記“AN0002 EFM32硬件設(shè)計(jì)考慮因素”。

3.7 閃存

閃存的相關(guān)參數(shù)如下表所示: 符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
(EC_{FLASH}) 閃存擦除周期數(shù) (T_{AMB}<150^{circ} C),10000小時(shí) 20000 周期
(T_{AMB}<85^{circ} C),10年
(RET_{FLASH}) 閃存數(shù)據(jù)保留時(shí)間 (T_{AMB}<70^{circ} C),20年
(t_{W_PROG}) 字(32位)編程時(shí)間 20 μs
(t_{P_ERASE}) 頁(yè)擦除時(shí)間 20 20.4 20.8 ms
(t_{D_ERASE}) 設(shè)備擦除時(shí)間 40 40.8 41.6 ms
(I_{ERASE}) 擦除電流 71 mA
(I_{WRITE}) 寫入電流 71 mA
(V_{FLASH}) 閃存擦除和
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