EFM32G280微控制器:低功耗高性能的理想之選
在當(dāng)今電子設(shè)備追求低功耗與高性能的時(shí)代,EFM32G280微控制器憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和卓越的性能脫穎而出。作為一名電子工程師,今天就和大家深入探討一下這款號(hào)稱“世界上最節(jié)能的微控制器”。
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一、產(chǎn)品概述
EFM32G280系列微控制器基于ARM Cortex - M3 CPU平臺(tái),具備高性能32位處理器,最高運(yùn)行頻率可達(dá)32 MHz。它擁有豐富的外設(shè)和靈活的能源管理系統(tǒng),適用于各種電池供電應(yīng)用以及對(duì)高性能和低能耗有要求的系統(tǒng)。
1.1 產(chǎn)品型號(hào)與配置
| EFM32G280有不同的型號(hào)可供選擇,主要區(qū)別在于閃存和RAM的容量,具體如下表所示: | 訂購(gòu)代碼 | 閃存 (kB) | RAM (kB) | 最大速度 (MHz) | 電源電壓 (V) | 溫度范圍 (oC) | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFM32G280F32 - QFP100 | 32 | 8 | 32 | 1.98 - 3.8 | -40 - 85 | LQFP100 | |
| EFM32G280F64 - QFP100 | 64 | 16 | 32 | 1.98 - 3.8 | -40 - 85 | LQFP100 | |
| EFM32G280F128 - QFP100 | 128 | 16 | 32 | 1.98 - 3.8 | -40 - 85 | LQFP100 |
二、系統(tǒng)架構(gòu)
2.1 ARM Cortex - M3核心
ARM Cortex - M3核心包含一個(gè)32位RISC處理器,每MHz可達(dá)1.25 Dhrystone MIPS。還集成了支持最多8個(gè)內(nèi)存段的內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)和喚醒中斷控制器(WIC),能夠有效處理CPU休眠時(shí)觸發(fā)的中斷。
2.2 調(diào)試接口(DBG)
該設(shè)備通過(guò)2引腳串行線調(diào)試接口提供硬件調(diào)試支持,還有一個(gè)1線串行線查看器引腳,可用于輸出性能分析信息、數(shù)據(jù)跟蹤和軟件生成的消息。
2.3 內(nèi)存系統(tǒng)控制器(MSC)
內(nèi)存系統(tǒng)控制器負(fù)責(zé)管理EFM32G微控制器的程序內(nèi)存。閃存可從Cortex - M3和DMA進(jìn)行讀寫操作,分為主塊和信息塊。主塊用于存儲(chǔ)程序代碼,信息塊可用于存儲(chǔ)特殊用戶數(shù)據(jù)和閃存鎖定位,還有一個(gè)只讀頁(yè)面包含系統(tǒng)和設(shè)備校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
2.4 直接內(nèi)存訪問(wèn)控制器(DMA)
DMA控制器可獨(dú)立于CPU執(zhí)行內(nèi)存操作,減少了CPU的能耗和工作量,使系統(tǒng)在數(shù)據(jù)傳輸時(shí)能保持低能耗模式。
2.5 復(fù)位管理單元(RMU)
RMU負(fù)責(zé)處理EFM32G的復(fù)位功能。
2.6 能源管理單元(EMU)
EMU管理EFM32G微控制器的所有低能耗模式,可控制CPU和各種外設(shè)的可用性,還能關(guān)閉未使用的SRAM塊的電源。
2.7 時(shí)鐘管理單元(CMU)
CMU負(fù)責(zé)控制EFM32G板載的振蕩器和時(shí)鐘,可單獨(dú)開(kāi)啟或關(guān)閉所有外設(shè)模塊的時(shí)鐘,靈活配置可用的振蕩器,有助于軟件在特定應(yīng)用中最小化能耗。
2.8 看門狗(WDOG)
看門狗定時(shí)器用于在系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)生成復(fù)位信號(hào),提高應(yīng)用的可靠性。故障可能由外部事件(如ESD脈沖)或軟件故障引起。
2.9 外設(shè)反射系統(tǒng)(PRS)
PRS是一個(gè)網(wǎng)絡(luò),允許不同的外設(shè)模塊直接相互通信,無(wú)需CPU干預(yù)。發(fā)送反射信號(hào)的外設(shè)模塊稱為生產(chǎn)者,PRS將這些信號(hào)路由到消費(fèi)者外設(shè),消費(fèi)者外設(shè)根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)執(zhí)行相應(yīng)操作。
2.10 外部總線接口(EBI)
EBI提供對(duì)外部并行接口設(shè)備(如SRAM、FLASH、ADC和LCD)的訪問(wèn),該接口映射到Cortex - M3的地址總線,方便軟件無(wú)縫訪問(wèn),數(shù)據(jù)和地址線采用復(fù)用方式以減少引腳數(shù)量,時(shí)序可根據(jù)外部設(shè)備的規(guī)格進(jìn)行調(diào)整。
2.11 集成電路接口(I2C)
I2C模塊提供MCU與串行I2C總線之間的接口,可作為主設(shè)備或從設(shè)備,支持多主總線,支持標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式和快速模式+速度,傳輸速率從10 kbit/s到1 Mbit/s。還提供從設(shè)備仲裁和超時(shí)功能,支持SMBus兼容系統(tǒng)。
2.12 通用同步/異步收發(fā)器(USART)
USART是一個(gè)非常靈活的串行I/O模塊,支持全雙工異步UART通信、RS - 485、SPI、MicroWire和3線通信,還可與ISO7816智能卡和IrDA設(shè)備接口。
2.13 預(yù)編程UART引導(dǎo)加載程序
設(shè)備在出廠時(shí)預(yù)編程了UART引導(dǎo)加載程序,支持自動(dòng)波特率和破壞性寫入功能。
2.14 通用異步收發(fā)器(UART)
UART支持全雙工和半雙工異步UART通信。
2.15 低能耗通用異步收發(fā)器(LEUART)
LEUART是一種獨(dú)特的UART,可在嚴(yán)格的功率預(yù)算下實(shí)現(xiàn)雙向UART通信,僅需32.768 kHz時(shí)鐘即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)9600波特/秒的通信速率,硬件支持使異步串行通信所需的軟件干預(yù)和能耗最小化。
2.16 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器(TIMER)
16位通用定時(shí)器有3個(gè)比較/捕獲通道,用于輸入捕獲和比較/PWM輸出。TIMER0還包含一個(gè)死區(qū)時(shí)間插入模塊,適用于電機(jī)控制應(yīng)用。
2.17 實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器(RTC)
RTC包含一個(gè)24位計(jì)數(shù)器,可由32.768 kHz晶體振蕩器或32.768 kHz RC振蕩器提供時(shí)鐘。除了EM0和EM1模式外,RTC在EM2模式下也可用,非常適合計(jì)時(shí)。
2.18 低能耗定時(shí)器(LETIMER)
LETIMER是一個(gè)16位定時(shí)器,在EM1、EM0和EM2模式下均可使用,可在設(shè)備大部分功能關(guān)閉時(shí)進(jìn)行計(jì)時(shí)和輸出波形,功耗極低。
2.19 脈沖計(jì)數(shù)器(PCNT)
PCNT可用于對(duì)單個(gè)輸入的脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)或解碼正交編碼輸入,可由內(nèi)部LFACLK或PCNTn_S0IN引腳作為外部時(shí)鐘源,可在EM0 - EM3模式下工作。
2.20 模擬比較器(ACMP)
ACMP用于比較兩個(gè)模擬輸入的電壓,數(shù)字輸出指示哪個(gè)輸入電壓更高。輸入可以是可選的內(nèi)部參考電壓或外部引腳電壓,可通過(guò)改變比較器的電流供應(yīng)來(lái)配置響應(yīng)時(shí)間和電流消耗。
2.21 電壓比較器(VCMP)
VCMP用于通過(guò)軟件監(jiān)控電源電壓,當(dāng)電源電壓低于或高于可編程閾值時(shí)可生成中斷,同樣可通過(guò)改變比較器的電流供應(yīng)來(lái)配置響應(yīng)時(shí)間和電流消耗。
2.22 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
ADC采用逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu),分辨率高達(dá)12位,采樣率可達(dá)每秒100萬(wàn)次。集成的輸入多路復(fù)用器可從8個(gè)外部引腳和6個(gè)內(nèi)部信號(hào)中選擇輸入。
2.23 數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)
DAC可將數(shù)字值轉(zhuǎn)換為模擬輸出電壓,具有12位分辨率,全差分軌到軌輸出,有兩個(gè)單端輸出緩沖器,可組合成一個(gè)差分輸出,可用于傳感器接口或聲音輸出等多種應(yīng)用。
2.24 高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)加速器(AES)
AES加速器可使用128位或256位密鑰進(jìn)行AES加密和解密。使用128位密鑰加密或解密一個(gè)128位數(shù)據(jù)塊需要52個(gè)HFCORECLK周期,使用256位密鑰需要75個(gè)HFCORECLK周期。
2.25 通用輸入/輸出(GPIO)
EFM32G280有86個(gè)通用輸入/輸出(GPIO)引腳,可分為多個(gè)端口,每個(gè)端口最多16個(gè)引腳。這些引腳可單獨(dú)配置為輸出或輸入,還可進(jìn)行更高級(jí)的配置,如開(kāi)漏、濾波和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等。GPIO引腳還可被外設(shè)引腳連接覆蓋,支持最多16個(gè)異步外部引腳中斷,輸入值可通過(guò)外設(shè)反射系統(tǒng)路由到其他外設(shè)。
三、電氣特性
3.1 測(cè)試條件
典型數(shù)據(jù)基于 (T{AMB}=25^{circ} C) 和 (V{DD}=3.0 ~V) ,通過(guò)仿真和/或技術(shù)表征獲得。最小和最大值代表環(huán)境溫度、電源電壓和頻率的最壞情況。
3.2 絕對(duì)最大額定值
| 絕對(duì)最大額定值是應(yīng)力額定值,在此條件下不能保證設(shè)備的功能正常運(yùn)行。超出表中規(guī)定的極限可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性或?qū)е掠谰眯該p壞。 | 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (T_{STG}) | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -40 | 150 | °C | |||
| (T_{S}) | 最大焊接溫度 | 最新IPC/JEDEC J - STD - 020標(biāo)準(zhǔn) | 260 | °C | |||
| (V_{DDMAX}) | 外部主電源電壓 | 0 | 3.8 | V | |||
| (V_{IOPIN}) | 任何I/O引腳的電壓 | -0.3 | (V_{DD} + 0.3) | V | |||
| (I_{IOMAX}) | 每個(gè)I/O引腳的電流(灌電流) | 100 | mA | ||||
| 每個(gè)I/O引腳的電流(拉電流) | -100 | mA |
3.3 一般工作條件
| 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (T_{AMB}) | -40 | 85 | °C | |
| (V_{DDOP}) | 1.98 | 3.8 | V | |
| (APB) | 32 | MHz | ||
| (AHB) | 32 | MHz |
3.4 電流消耗
| 不同能耗模式下的電流消耗如下表所示: | 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (EM0) | EM0電流。無(wú)預(yù)分頻。從閃存執(zhí)行質(zhì)數(shù)計(jì)算代碼 | 32 MHz HFXO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | 180 | 206 | μA/MHz | ||
| 28 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 21 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 14 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 11 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 6.6 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 1.2 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| (EM1) | EM1電流(生產(chǎn)測(cè)試條件 = 14 MHz) | 32 MHz HFXO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||
| 28 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 21 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 14 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 11 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 6.6 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| 1.2 MHz HFRCO,所有外設(shè)時(shí)鐘禁用,(V_{DD}=3.0 V) | |||||||
| (EM2) | EM2電流(帶RTC) | 32.768 kHz LFRCO,(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C),RTC預(yù)分頻至1 Hz | |||||
| 32.768 kHz LFRCO,(V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C),RTC預(yù)分頻至1 Hz | |||||||
| (EM3) | EM3電流 | (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C) | |||||
| (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C) | |||||||
| (EM4) | EM4電流 | (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=25^{circ} C) | |||||
| (V{DD}=3.0 V),(T{AMB}=85^{circ} C) | 0.7 | μA |
3.5 能耗模式轉(zhuǎn)換
| 能耗模式之間的轉(zhuǎn)換時(shí)間如下表所示: | 符號(hào) | 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (t_{EM10}) | 從EM1到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 0 | HF - CORE - CLK周期 | |||
| (t_{EM20}) | 從EM2到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 2 | μs | |||
| (t_{EM30}) | 從EM3到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 2 | μs | |||
| (t_{EM40}) | 從EM4到EM0的轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 163 | μs |
3.6 電源管理
EFM32G要求AVDD_x、VDD_DREG和IOVDD_x引腳在PCB級(jí)別連接在一起(可選濾波)。具體的原理圖建議可參考應(yīng)用筆記“AN0002 EFM32硬件設(shè)計(jì)考慮因素”。
3.7 閃存
| 閃存的相關(guān)參數(shù)如下表所示: | 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (EC_{FLASH}) | 閃存擦除周期數(shù) | (T_{AMB}<150^{circ} C),10000小時(shí) | 20000 | 周期 | |||
| (T_{AMB}<85^{circ} C),10年 | |||||||
| (RET_{FLASH}) | 閃存數(shù)據(jù)保留時(shí)間 | (T_{AMB}<70^{circ} C),20年 | |||||
| (t_{W_PROG}) | 字(32位)編程時(shí)間 | 20 | μs | ||||
| (t_{P_ERASE}) | 頁(yè)擦除時(shí)間 | 20 | 20.4 | 20.8 | ms | ||
| (t_{D_ERASE}) | 設(shè)備擦除時(shí)間 | 40 | 40.8 | 41.6 | ms | ||
| (I_{ERASE}) | 擦除電流 | 71 | mA | ||||
| (I_{WRITE}) | 寫入電流 | 71 | mA | ||||
| (V_{FLASH}) | 閃存擦除和 |
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