VIPER26:高性能智能高壓轉(zhuǎn)換器的深度解析
引言
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的電源轉(zhuǎn)換芯片至關(guān)重要。VIPER26作為一款智能高壓轉(zhuǎn)換器,集成了800V雪崩耐量功率MOSFET與PWM電流模式控制,在眾多應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將深入剖析VIPER26的特性、參數(shù)、工作原理及典型應(yīng)用電路,為工程師們提供全面的參考。
文件下載:EVLVIP26H-12WFN.pdf
一、VIPER26的關(guān)鍵特性
1. 強(qiáng)大的功率MOSFET
VIPER26采用800V雪崩耐量功率MOSFET,允許寬范圍的交流輸入,大大擴(kuò)展了輸入電壓的適用范圍。同時(shí),其較低的導(dǎo)通電阻(典型值7Ω)有助于降低功耗,提高轉(zhuǎn)換效率。
2. 集成多種功能
芯片集成了HV啟動(dòng)和Sense - FET,減少了外部元件數(shù)量,降低了成本和電路板空間。內(nèi)置的電流模式PWM控制器,實(shí)現(xiàn)了精確的電流控制,確保輸出電壓的穩(wěn)定性。
3. 低功耗設(shè)計(jì)
在無(wú)負(fù)載條件下,230VAC輸入時(shí)功耗小于30mW;帶250mW負(fù)載時(shí),230VAC輸入功耗小于400mW,滿足了嚴(yán)格的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)。
4. 可調(diào)電流限制
通過(guò)連接外部電阻到LIM引腳,可以調(diào)整漏極電流限制,靈活適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
5. 降低EMI
采用抖動(dòng)開(kāi)關(guān)頻率(60kHz ± 4kHz(L型)或115kHz ± 8kHz(H型)),有效降低了EMI濾波器的成本。
6. 完善的保護(hù)功能
具備過(guò)載/短路保護(hù)(OLP)、反饋回路斷開(kāi)保護(hù)等,且能自動(dòng)重啟,提高了系統(tǒng)的可靠性。
二、引腳設(shè)置與功能
1. 引腳布局
| VIPER26有DIP - 7和SO16窄兩種封裝形式。各引腳的功能如下: | 引腳編號(hào)(DIP7/SO16N) | 引腳名稱 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 1 - 2 | GND | 接地和MOSFET源極連接,是內(nèi)部MOSFET源極和控制器接地參考 | |
| 3 | N.C. | 未連接,可焊接到GND | |
| 4 | N.A. | 用戶不可用,機(jī)械連接到控制器框架的管芯焊盤(pán),建議連接到GND | |
| 5 | VDD | 控制器電源,需連接外部存儲(chǔ)電容,內(nèi)部連接高壓電流源,啟動(dòng)和故障時(shí)為VDD電容充電 | |
| 6 | LIM | 漏極電流限制,可通過(guò)連接外部電阻到GND來(lái)降低漏極電流限制 | |
| 7 | FB | 直接反饋,是內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器的反相輸入,參考電壓為3.3V | |
| 8 | COMP | 補(bǔ)償,是內(nèi)部誤差放大器的輸出,連接補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)以實(shí)現(xiàn)控制回路的穩(wěn)定性和良好動(dòng)態(tài)性能 | |
| 9 - 12 | N.C. | 內(nèi)部未連接,需懸空以確保安全間距 | |
| 13 - 16 | DRAIN | MOSFET漏極,啟動(dòng)時(shí)內(nèi)部高壓電流源從該引腳吸收電流為VCC電容充電,需在PCB上放置銅面積以利于散熱 |
2. 引腳使用注意事項(xiàng)
在設(shè)計(jì)PCB時(shí),要注意在DRAIN引腳下方設(shè)計(jì)銅面積用于散熱。對(duì)于VDD引腳,需連接外部存儲(chǔ)電容,并在靠近IC處并聯(lián)一個(gè)小的旁路電容(典型值0.1μF)用于濾波。
三、電氣和熱學(xué)參數(shù)
1. 絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDRAIN(漏源電壓) | - | 800 | V |
| IDRAIN(脈沖漏極電流) | - | 3 | A |
| VCOMP(COMP引腳電壓) | - 0.3 | 3.5 | V |
| VFB(FB引腳電壓) | - 0.3 | 4.8 | V |
| VLIM(LIM引腳電壓) | - 0.3 | 2.4 | V |
| VDD(電源電壓) | - 0.3 | 自限 | V |
| IDD(輸入電流) | - 0.3 | 20 | mA |
| PTOT(功率耗散,DIP7,Tamb < 40°C) | - | 1 | W |
| PTOT(功率耗散,SO16N,Tamb < 60°C) | - | 1.5 | W |
| TJ(結(jié)溫工作范圍) | - 40 | 150 | °C |
| TSTG(存儲(chǔ)溫度) | - 55 | 150 | °C |
2. 熱學(xué)數(shù)據(jù)
| 不同封裝形式下的熱阻參數(shù)有所不同,例如在標(biāo)準(zhǔn)單面FR4板上,當(dāng)耗散功率為1W時(shí),SO16N和DIP - 7的熱阻參數(shù)如下: | 參數(shù) | SO16N | DIP - 7 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 熱阻結(jié)到外殼(情況1) | 10 | 10 | °C/W | |
| 熱阻結(jié)到環(huán)境(情況1) | 120 | 120 | °C/W | |
| 熱阻結(jié)到外殼(情況2) | 5 | 5 | °C/W | |
| 熱阻結(jié)到環(huán)境(情況2) | 85 | 95 | °C/W |
四、典型電氣特性
1. 溫度對(duì)參數(shù)的影響
通過(guò)一系列圖表展示了溫度對(duì)漏極電流限制(IDLIM)、開(kāi)關(guān)頻率(FOSC)、跨導(dǎo)(GM)等參數(shù)的影響。例如,隨著溫度升高,IDLIM會(huì)有所變化,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮這些因素,以確保系統(tǒng)在不同溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性。
2. 其他特性
還給出了功率MOSFET的電容變化與漏源電壓的關(guān)系、安全工作區(qū)(SOA)等特性曲線,為工程師評(píng)估芯片的性能提供了重要依據(jù)。
五、典型應(yīng)用電路
1. 降壓轉(zhuǎn)換器(Buck Converter)
適用于輸出電壓大于VDDCSon的情況,通過(guò)合理選擇外部元件,可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的降壓輸出。
2. 反激轉(zhuǎn)換器(Flyback Converter)
包括隔離和非隔離兩種形式,可根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行選擇設(shè)計(jì)。在隔離反激轉(zhuǎn)換器中,需要注意反饋回路的設(shè)計(jì),以確保輸出電壓的穩(wěn)定。
3. 其他應(yīng)用
還可用于輔助電源、功率計(jì)量、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,為不同的電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。
六、工作原理詳解
1. 功率部分
采用n溝道功率MOSFET,具備800V的擊穿電壓和典型7Ω的導(dǎo)通電阻。SenseFET結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了幾乎無(wú)損的電流檢測(cè),熱傳感器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片溫度。
2. 高壓電流發(fā)生器
由DRAIN引腳供電,啟動(dòng)時(shí),當(dāng)輸入大容量電容兩端電壓達(dá)到VDRAIN_START閾值,發(fā)生器啟動(dòng),為VDD電容充電。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon閾值,功率部分開(kāi)始切換,高壓電流發(fā)生器關(guān)閉。
3. 振蕩器
開(kāi)關(guān)頻率內(nèi)部固定為60kHz(VIPER26LN或LD)或115kHz(VIPER26HN或HD),并進(jìn)行頻率調(diào)制,降低了EMI。
4. 軟啟動(dòng)
啟動(dòng)階段,軟啟動(dòng)功能逐步增加逐周期漏極電流限制,直至達(dá)到默認(rèn)值IDlim,減少了對(duì)次級(jí)二極管的應(yīng)力,防止變壓器飽和。
5. 可調(diào)電流限制
通過(guò)LIM引腳連接外部電阻,可以調(diào)整漏極電流限制,滿足不同應(yīng)用的需求。
6. FB引腳和COMP引腳
在非隔離拓?fù)渲?,F(xiàn)B引腳直接接收輸出電壓的反饋信號(hào);在隔離拓?fù)渲校杞脙?nèi)部誤差放大器,通過(guò)光耦控制COMP引腳。
7. 突發(fā)模式
當(dāng)VCOMP電壓低于VCOMPL閾值時(shí),功率MOSFET保持關(guān)斷狀態(tài),降低功耗。當(dāng)VCOMP電壓超過(guò)VCOMPL + VCOMPL_HYS閾值時(shí),轉(zhuǎn)換器重新開(kāi)始切換。
8. 過(guò)載或短路后的自動(dòng)重啟
通過(guò)集成的上下計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)過(guò)載保護(hù),當(dāng)峰值漏極電流持續(xù)等于IDlim時(shí),經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后,功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)閉,經(jīng)過(guò)tRESTART時(shí)間后,通過(guò)軟啟動(dòng)重新啟動(dòng)。
9. 開(kāi)環(huán)故障保護(hù)
在反激拓?fù)渲校舴答伝芈饭收匣蚶@組意外斷開(kāi),芯片會(huì)根據(jù)輔助電壓和VDD電流判斷故障,并采取相應(yīng)保護(hù)措施。
七、封裝信息與訂購(gòu)代碼
1. 封裝信息
提供了DIP - 7和SO16窄兩種封裝的詳細(xì)尺寸信息,方便工程師進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。
2. 訂購(gòu)代碼
不同的訂購(gòu)代碼對(duì)應(yīng)不同的封裝和包裝形式,如VIPER26LN為DIP - 7封裝,采用管裝;VIPER26HDTR為SO16N封裝,采用卷帶包裝。
總結(jié)
VIPER26以其豐富的功能、卓越的性能和完善的保護(hù)機(jī)制,成為電子工程師在電源設(shè)計(jì)中的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體需求,合理選擇封裝形式、設(shè)置引腳參數(shù),并結(jié)合典型應(yīng)用電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。同時(shí),要充分考慮溫度、EMI等因素對(duì)芯片性能的影響,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。希望本文能為工程師們?cè)谑褂肰IPER26進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)提供有價(jià)值的參考。你在使用VIPER26的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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