onsemi FDMC86139P P-Channel MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，其性能直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）推出的FDMC86139P P-Channel MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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產(chǎn)品概述

FDMC86139P采用了安森美先進(jìn)的POWERTRENCH技術(shù)，這種高密度工藝專為降低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化開關(guān)性能而設(shè)計。它適用于多種應(yīng)用場景，如主動鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān)等。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻

這款MOSFET的導(dǎo)通電阻非常低，在 (V{GS}=-10V)、(I{D}=-4.4A) 時，最大 (r{DS(on)}) 僅為 (67mOmega)；在 (V{GS}=-6V)、(I{D}=-3.6A) 時，最大 (r{DS(on)}) 為 (89mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功耗更低，能夠有效提高電路的效率。

優(yōu)化的開關(guān)性能

該產(chǎn)品針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具備較低的柵極電荷 (Q_{g})，這使得它在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)，減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。

高可靠性

FDMC86139P經(jīng)過了100%的UIL（非鉗位電感開關(guān)）測試，確保了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。同時，該器件符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能出色。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

• 關(guān)斷特性：
  • 漏源擊穿電壓 (B{VDS})：在 (I{D}=-250mu A)、(V_{GS}=0V) 時為 -100V。
  • 擊穿電壓溫度系數(shù) (B_{VDS TJ})：-63mV/°C。
  • 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=-80V)、(V_{GS}=0V) 時小于 -1μA。
  • 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS}=±25V)、(V_{DS}=0V) 時為 ±100nA。
• 導(dǎo)通特性：
  • 柵源閾值電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=-250mu A) 時為 -2 至 -4V。
  • 柵源閾值電壓溫度系數(shù) (V_{GS(th) TJ})：7mV/°C。
  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 條件下有不同的值，如 (V{GS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 56 - 67mΩ。
  • 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 12S。
• 動態(tài)特性：
  • 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS}=-50V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1MHz) 時為 1001 - 1335pF。
  • 輸出電容 (C_{oss})：178 - 240pF。
  • 反向傳輸電容 (C_{rss})：10 - 15pF。
  • 柵極電阻 (R_{g})：0.1 - 3.2Ω。
• 開關(guān)特性：
  • 導(dǎo)通延遲時間 (t{d(on)})：在 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V{GS}=-10V)、(R_{GEN}=6Omega) 時為 11 - 20ns。
  • 上升時間 (t_{r})：2.5 - 10ns。
  • 關(guān)斷延遲時間 (t_{d(off)})：17 - 30ns。
  • 下降時間 (t_{f})：4 - 10ns。
  • 總柵極電荷 (Q{g(TOT)})：在不同的 (V{GS}) 條件下有不同的值，如 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V_{GS}=0V) 至 -10V 時為 16 - 22nC。
  • 柵源總電荷 (Q{gs})：在 (V{DD}=-50V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 4.5nC。
  • 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：3.2nC。
• 漏源二極管特性：
  • 源漏二極管正向電壓 (V{SD})：在不同的 (I{S}) 條件下有不同的值，如 (V{GS}=0V)、(I{S}=-4.4A) 時為 -0.84 至 -1.3V。
  • 反向恢復(fù)時間 (t{rr})：在 (I{F}=-4.4A)、(di/dt = 100A/mu s) 時為 70 - 112ns。
  • 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：141 - 225nC。

典型特性

通過一系列的典型特性曲線，我們可以更直觀地了解FDMC86139P的性能表現(xiàn)。例如，導(dǎo)通電阻與漏極電流、柵源電壓以及結(jié)溫的關(guān)系曲線，能夠幫助我們在不同的工作條件下選擇合適的參數(shù)；柵極電荷特性曲線則展示了器件在開關(guān)過程中的電荷變化情況。

封裝與訂購信息

FDMC86139P采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封裝，這種封裝具有良好的散熱性能和較小的尺寸，適合在高密度的電路板上使用。訂購時，其卷盤尺寸為13”，膠帶寬度為12mm，每卷數(shù)量為3000個。

總結(jié)

onsemi的FDMC86139P P-Channel MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、優(yōu)化的開關(guān)性能和高可靠性，成為了電子工程師在設(shè)計主動鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用時的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，我們可以根據(jù)具體的電路要求，合理選擇器件的工作參數(shù)，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。你在使用MOSFET時，有沒有遇到過一些特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。