安森美 NTJD4401N 和 NVJD4401N 雙 N 溝道小信號 MOSFET 深度解析
安森美 NTJD4401N 和 NVJD4401N 雙 N 溝道小信號 MOSFET 深度解析
在電子設(shè)備的設(shè)計中，MOSFET 是關(guān)鍵的基礎(chǔ)元件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。安森美（onsemi）推出的 NTJD4401N 和 NVJD4401N 雙 N 溝道小信號 MOSFET，憑借其出色的特性和廣泛的應(yīng)用場景，成為了眾多工程師的首選。下面，我們就來深入了解一下這兩款 MOSFET。
文件下載：NTJD4401N-D.PDF
產(chǎn)品概述
NTJD4401N 和 NVJD4401N 采用 SC - 88（SOT - 363）封裝，具有小尺寸（2 x 2 mm）的特點，能夠有效節(jié)省電路板空間。它們是 N 溝道器件，具備 ESD 保護功能，且柵極電荷低，有助于降低功耗和提高開關(guān)速度。其中，NVJD4401N 還通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，并具備 PPAP 能力，適用于汽車電子等對可靠性要求較高的領(lǐng)域。同時，這兩款器件均為無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 條件 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (T_{J}=25^{circ}C) | (V_{DSS}) | 20 | V |
| 柵源電壓 | (T_{J}=25^{circ}C) | (V_{GS}) | ±12 | V |
| 連續(xù)漏極電流（基于 (R_{BA})） | 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=25^{circ}C) | (I_{D}) | 0.63 | A |
| 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=85^{circ}C) | (I_{D}) | 0.46 | A | |
| 功耗（基于 (R_{JA})） | 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=25^{circ}C) | (P_{D}) | 0.27 | W |
| 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=85^{circ}C) | (P_{D}) | 0.14 | W | |
| 連續(xù)漏極電流（基于 (R_{BL})） | 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=25^{circ}C) | (I_{D}) | 0.91 | A |
| 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=85^{circ}C) | (I_{D}) | 0.65 | A | |
| 功耗（基于 (R_{JJL})） | 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=25^{circ}C) | (P_{D}) | 0.55 | W |
| 穩(wěn)態(tài)，(T_{A}=85^{circ}C) | (P_{D}) | 0.29 | W | |
| 脈沖漏極電流 | (tleq10 mu s) | (I_{DM}) | ±1.2 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度 | - | (T{J}, T{STG}) | -55 至 150 | (^{circ}C) |
| 連續(xù)源極電流（體二極管） | - | (I_{S}) | 0.63 | A |
| 焊接用引腳溫度（距外殼 1/8"，10 s） | - | (T_{L}) | 260 | (^{circ}C) |
電氣特性
關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓：(V{GS}=0 V)，(I{D}=250 mu A) 時，(V_{(BR)DSS}) 最小值為 20 V，典型值為 27 V。
- 零柵壓漏極電流：(V{GS}=0 V)，(V{DS}=16 V) 時，(I_{DSS}) 最大值為 1.0 (mu A)。
- 柵源泄漏電流：(V{DS}=0 V)，(V{GS}=±12 V) 時，(I_{GSS}) 最大值為 10 (mu A)。
導(dǎo)通特性
- 柵極閾值電壓：(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 mu A) 時，(V{GS(TH)}) 最小值為 0.6 V，典型值為 0.92 V，最大值為 1.5 V，且溫度系數(shù)為 -2.1 mV/ (^{circ}C)。
- 漏源導(dǎo)通電阻：(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=0.63 A) 時，(R{DS(on)}) 典型值為 0.29 (Omega)，最大值為 0.375 (Omega)；(V{GS}=2.5 V)，(I{D}=0.40 A) 時，(R{DS(on)}) 典型值為 0.36 (Omega)，最大值為 0.445 (Omega)。
- 正向跨導(dǎo)：(V{DS}=4.0 V)，(I{D}=0.63 A) 時，(g_{FS}) 典型值為 2.0 S。
電荷和電容特性
- 輸入電容：(V{GS}=0 V)，(f = 1.0 MHz)，(V{DS}=20 V) 時，(C_{ISS}) 典型值為 33 pF，最大值為 46 pF。
- 輸出電容：典型值為 13 pF，最大值為 22 pF。
- 反向傳輸電容：典型值為 2.8 pF，最大值為 5.0 pF。
- 總柵極電荷：(V{GS}=4.5 V)，(V{DS}=10 V)，(I{D}=0.63 A) 時，(Q{G(TOT)}) 典型值為 1.3 nC，最大值為 3.0 nC。
開關(guān)特性
在 (V{GS}=4.5 V)，(V{DD}=10 V)，(I{D}=0.5 A)，(R{G}=20 Omega) 的條件下，開啟延遲時間 (t{d(ON)}) 為 0.083 (mu s)，上升時間 (t{r}) 為 0.227 (mu s)，關(guān)斷延遲時間 (t{d(OFF)}) 為 0.786 (mu s)，下降時間 (t{f}) 為 0.506 (mu s)。
漏源二極管特性
- 正向二極管電壓：(V{GS}=0 V)，(I{S}=0.23 A)，(T{J}=25^{circ}C) 時，(V{SD}) 典型值為 0.76 V，最大值為 1.1 V；(T_{J}=125^{circ}C) 時，典型值為 0.63 V。
- 反向恢復(fù)時間：(V{GS}=0 V)，(dI{S}/dt = 100 A/mu s)，(I{S}=0.63 A) 時，(t{RR}) 為 0.410 (mu s)。
熱阻額定值
| 參數(shù) | 符號 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境熱阻（穩(wěn)態(tài)） | (R_{theta JA}) | 400 | 458 | (^{circ}C/W) |
| 結(jié)到引腳（漏極）熱阻（穩(wěn)態(tài)） | (R_{theta JL}) | 194 | 252 | (^{circ}C/W) |
應(yīng)用場景
這兩款 MOSFET 適用于多種應(yīng)用場景，如負(fù)載功率開關(guān)、鋰離子電池供電設(shè)備（如手機、媒體播放器、數(shù)碼相機、個人數(shù)字助理等）以及 DC - DC 轉(zhuǎn)換等。在這些應(yīng)用中，它們能夠憑借自身的低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和 ESD 保護等特性，為系統(tǒng)提供高效、穩(wěn)定的性能。
訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|
| NTJD4401NT1G | SC - 88（無鉛） | 3000 / 卷帶封裝 |
| NVJD4401NT1G | SC - 88（無鉛） | 3000 / 卷帶封裝 |
總結(jié)
安森美 NTJD4401N 和 NVJD4401N 雙 N 溝道小信號 MOSFET 以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用場景，為電子工程師提供了一個可靠的選擇。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇器件，并注意其最大額定值和電氣特性，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時，對于熱阻等參數(shù)也需要進(jìn)行充分的考慮，以避免因過熱導(dǎo)致器件性能下降或損壞。大家在使用這兩款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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