持續(xù)11個月的DRAM漲價潮在2026年3月正式按下暫停鍵，與之形成鮮明對比的是，NAND閃存價格迎來瘋狂飆升，單月漲幅逼近40%，呈現(xiàn)“一穩(wěn)一瘋”的極端分化態(tài)勢。根據(jù)相關機構數(shù)據(jù)，3月份PC DRAM標準產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易價格為13美元，與上月持平，標志著自2025年4月開啟的連續(xù)漲價周期正式終結。機構分析指出，這一變化源于主要DRAM供應商與PC制造商在今年1-2月已敲定一季度合約價格，3月市場聚焦二季度供需談判，交易零散導致價格趨于穩(wěn)定。NAND市場則延續(xù)暴漲態(tài)勢，3月份用于存儲卡和USB驅動器的NAND標準產(chǎn)品（128Gb 16x8 MLC）平均價格達17.73美元，環(huán)比漲幅39.95%，累計漲價周期已達15個月。核心原因在于制造商加速向高層3D NAND轉型，老舊工藝產(chǎn)品供應短缺，推動價格持續(xù)創(chuàng)下歷史新高。

與此同時，中國深圳華強北電子市場傳出DDR5內存條現(xiàn)貨價格“斷崖式下跌”的消息，上周售價約3000元的32GB DDR5內存，本周降幅達500-1050元，部分商戶拋售價低至1950元。有商戶透露，因前期價格過高導致“有價無市”，商家為緩解資金周轉壓力被迫降價套現(xiàn)。但供應鏈人士澄清，此次跌價的主要是服務器退役的拆機舊產(chǎn)品，原裝DDR5價格并未波動。業(yè)界預期，主流廠商1Gb DDR5顆粒價格仍維持在5-7.5美元區(qū)間，多數(shù)觀點認為，上游價格支撐下，此輪降價難以長期持續(xù)，存儲器產(chǎn)業(yè)長期上行趨勢未變。機構預測，2026年二季度一般型DRAM合約價格仍將季增58%-63%，NAND合約價格季增70%-75%。巨頭博弈：三星SK海力士爭雄HBM，韓國半導體出口創(chuàng)新高。

三星HBM營收暴增3倍，沖擊歷史最高利潤
2026年第一季度，三星電子HBM（高帶寬存儲器）營收迎來爆發(fā)式增長，同比增幅超300%，核心得益于向英偉達供應的HBM3E以及2月率先量產(chǎn)的HBM4出貨量激增。作為AI芯片核心供應商，英偉達的HBM需求持續(xù)旺盛，直接帶動三星相關業(yè)務增長，而SK海力士也拿下英偉達Vera Rubin平臺約七成HBM4訂單，兩家企業(yè)的競爭愈發(fā)激烈。外界預測，三星一季度營收有望突破120萬億韓元，營業(yè)利潤超40萬億韓元（約合261億美元），創(chuàng)下韓國企業(yè)單季利潤新紀錄。其中，DRAM業(yè)務營收預計超45萬億韓元，僅HBM營收就有望突破3萬億韓元，較2025年同期增長3倍以上。隨著二季度HBM4大規(guī)模出貨，三星HBM營收有望進一步攀升，同時計劃擴大1c DRAM產(chǎn)能，鞏固AI存儲器市場主導地位。

SK海力士加碼資本支出，誓要奪回HBM領先地位
面對三星的強勢沖擊，SK海力士選擇以巨額資本支出反擊，全力爭奪HBM市場領導權。2025年，SK海力士全年資本支出達30.173萬億韓元，較2024年增長68.0%，占當年年收入的31.1%。此前，SK海力士憑借HBM3E占據(jù)英偉達獨家供應商主導地位，但2025年下半年開始，三星加速向英偉達出貨，且率先批量生產(chǎn)HBM4，美光也同步宣布量產(chǎn)HBM4，SK海力士的領先地位岌岌可危。目前SK海力士已建立HBM4量產(chǎn)體系，其供應份額遠超市場預期，彰顯了與英偉達長期合作的深厚基礎。為應對競爭，SK海力士持續(xù)擴大投資，批準引進荷蘭阿斯麥EUV掃描設備，計劃持續(xù)至2027年12月；額外投資建設龍仁半導體集群一期晶圓廠，總投資額達31萬億韓元；同時推進ADR上市，計劃今年下半年上市以補充資金，2026年資本支出有望較去年翻倍。

韓國半導體出口破800億美元，中東戰(zhàn)火引供應鏈隱憂
2026年3月，韓國出口額首次突破800億美元，達861.3億美元，同比增長48.3%，貿易順差達257.4億美元，均創(chuàng)下歷史新高。其中，半導體出口成為核心驅動力，同比增長151.4%，達328.3億美元，主要受益于AI服務器投資擴大、服務器需求回升以及內存價格飆升。除半導體外，汽車、次級電池、電腦等產(chǎn)品也實現(xiàn)均衡增長，但中東戰(zhàn)火對韓國出口造成明顯沖擊，中東地區(qū)出口因物流中斷暴跌49%，能源和石化行業(yè)受影響顯著。更嚴峻的是，中東戰(zhàn)火波及全球氦氣供應——卡塔爾作為全球第二大氦氣供應國，其生產(chǎn)設施因攻擊停擺，而氦氣是半導體制造的關鍵材料。三星與SK海力士目前備有4-6個月的氦氣庫存，正不惜支付高額溢價向美國搶貨，若沖突持續(xù)，關鍵材料可能面臨斷鏈風險。

產(chǎn)業(yè)變革：鎧俠停產(chǎn)退出，舊世代NAND缺口達40%鎧俠全面退出2D NAND，臺廠迎來轉單商機
2026年3月31日，存儲芯片大廠鎧俠發(fā)布停產(chǎn)通知，宣布逐步退出部分傳統(tǒng)浮柵式2D NAND及第三代BiCS FLASH產(chǎn)品，涵蓋32nm、24nm、15nm制程，包含多種產(chǎn)品形態(tài)。此次停產(chǎn)品項最后購買預測截止日為2026年9月30日，最終出貨截止日為2028年12月31日，意味著2029年鎧俠將正式退出2D NAND市場。業(yè)內分析，鎧俠停產(chǎn)主要因NAND技術快速演進，MLC單位產(chǎn)值低于TLC、QLC，廠商正集中資源于高端產(chǎn)品。此次停產(chǎn)對普通消費市場影響有限，但工業(yè)級客戶需提前備貨，中國臺灣相關供應鏈迎來轉單商機，旺宏、慧榮等企業(yè)有望承接相關需求。

舊世代NAND缺口40%，價格漲幅或超200%
摩根士丹利（大摩）在最新報告中指出，2026年下半年，舊世代MLC與TLC NAND將面臨約40%的供給缺口，核心原因是全球主要供應商持續(xù)縮減成熟制程產(chǎn)能。價格方面，大摩預測2026年全年MLC及成熟制程TLC價格漲幅可能超200%，主要支撐在于MLC更高的耐用性及工業(yè)、企業(yè)級應用的需求韌性。相比之下，DDR4價格漲勢在3月后出現(xiàn)反彈，后續(xù)上漲空間有限，且DDR4無法適配AI應用，難以享受AI算力擴張紅利。

國產(chǎn)突圍：CJCC逼近全球前三，產(chǎn)業(yè)鏈鎖定上游產(chǎn)能CJCC武漢3號線量產(chǎn)，有望超越SK海力士、美光
中國代表性NAND制造商CJCC正加速崛起，其武漢3號線工廠處于關鍵設備建設最后階段，預計2026年下半年全面量產(chǎn)高端高層NAND產(chǎn)品，武漢1號線、2號線已接近最大產(chǎn)能。過去兩年，CJCC產(chǎn)能快速擴張，年產(chǎn)量從2024年的129萬片增至2025年的177萬片，2026年預計接近200萬片。武漢3號線投產(chǎn)后，CJCC NAND出貨量將超越SK海力士、美光，躍居全球第三，目前正穩(wěn)步提升200層產(chǎn)品份額，300層產(chǎn)品良率預計2026年趨于穩(wěn)定。更值得關注的是，CJCC正突破海外市場壁壘，據(jù)路透社報道，蘋果因擔心NAND價格上漲影響iPhone利潤率，正考慮將CJCC作為替代供應商，若達成合作，將標志著CJCC正式進入全球頂級設備制造商供應鏈。

產(chǎn)業(yè)鏈鎖單備戰(zhàn)，國產(chǎn)廠商加速布局
隨著AI技術發(fā)展，全球存儲器產(chǎn)業(yè)進入上行周期，兆易創(chuàng)新、CXCC、佰維存儲等國產(chǎn)企業(yè)紛紛通過長期合約鎖定上游晶圓供應，應對供需緊張與價格波動。兆易創(chuàng)新2025年存儲器業(yè)務表現(xiàn)亮眼，截至2025年底，未履行合約金額達55.71億元，2026年計劃向CXCC采購57.11億元DRAM產(chǎn)品，應對全球供給偏緊局面。佰維存儲與上游原廠簽訂為期24個月、總金額15億美元的晶圓采購合約，同時積極切入高端產(chǎn)品領域，推進自研主控芯片，已進入20余家車廠及Tier 1供應鏈。業(yè)內表示，產(chǎn)業(yè)鏈“長約鎖單”反映產(chǎn)業(yè)向穩(wěn)定長期合作轉型，但也存在景氣反轉的成本風險，目前國產(chǎn)存儲器在先進制程與高端產(chǎn)品上與國際大廠仍有提升空間。

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審核編輯 黃宇