隨著Chiplet、車規(guī)級(jí)芯片與高性能計(jì)算芯片滲透率持續(xù)提升，半導(dǎo)體測(cè)試需求迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。老化測(cè)試作為篩除早期失效、保障芯片長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)設(shè)備供電系統(tǒng)提出嚴(yán)苛要求：不僅要確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，還需應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)負(fù)載、高溫環(huán)境等復(fù)雜挑戰(zhàn)。面對(duì)長(zhǎng)達(dá)1-7天的測(cè)試周期，如何在單位時(shí)間內(nèi)完成更多測(cè)試任務(wù)，直接決定產(chǎn)線效率與測(cè)試成本。

金升陽(yáng)POL電源系列始于2018年，緊貼DOSA/POLA標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，融合數(shù)字電源技術(shù)，以其高精度、高密度、高效率的特性，成為低壓大電流應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)可靠之選。

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

01寬壓可調(diào)，降本提效

寬范圍輸入電壓：4.5-14.4 VDC，輸出電壓可調(diào)：0.6-4.5 VDC。通過(guò)上位機(jī)快速調(diào)節(jié)輸出，以滿足各類低壓DUT的測(cè)試需求，提升測(cè)試設(shè)備歸一化程度，降低設(shè)備購(gòu)置成本。

02大電流輸出，滿足并行需求

產(chǎn)品系列覆蓋6-100A電流范圍，滿足多模塊并行老化的應(yīng)用需求。以KD12T-60A為例，若單個(gè)DUT負(fù)載為0.8-1A，可同時(shí)老化>60pcs DUT，測(cè)試效率大幅提升。

03超小體積，適配緊湊空間

體積低至12.20*12.20*8.6mm，完美適配老化測(cè)試夾具的極致空間需求。

04輸出穩(wěn)定，保障測(cè)試一致性

老化測(cè)試周期較長(zhǎng)，對(duì)電源長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行要求嚴(yán)苛。本系列產(chǎn)品輸出精度低至2mV，輸出穩(wěn)定可靠;在健全的質(zhì)量管理體系下，產(chǎn)品通過(guò)高溫老化、高低溫工作(-40℃ / 85℃帶電工作)、溫度循環(huán)、溫度沖擊、絕緣耐壓等長(zhǎng)期可靠性測(cè)試，可為DUT提供穩(wěn)定、一致性更高的測(cè)試條件。

05狀態(tài)全周期監(jiān)控，異常早發(fā)現(xiàn)

具備Power Good功能，主控設(shè)備可全周期監(jiān)控電源狀態(tài)，異常即刻反饋，有效避免因供電異常導(dǎo)致的測(cè)試失效。

二、產(chǎn)品應(yīng)用