深入解析 onsemi FGH60T65SHD IGBT：性能、特性與應用

在電子工程領域，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是功率電子應用中的關鍵組件。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FGH60T65SHD IGBT，它采用了新穎的場截止技術，為太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS 和 PFC 等應用提供了出色的性能。

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產品概述

FGH60T65SHD 是 onsemi 第三代場截止 IGBT 系列的一員，專為需要低導通和開關損耗的應用而設計。這款 IGBT 具有以下特點：

• 高結溫能力：最大結溫可達 175°C，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
• 正溫度系數(shù)：便于并聯(lián)操作，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
• 高電流能力：能夠承受高電流，滿足高功率應用的需求。
• 低飽和電壓：典型飽和電壓為 1.6V（@IC = 60A），降低了導通損耗。
• 高輸入阻抗：減少了驅動電路的功耗。
• 快速開關：縮短了開關時間，降低了開關損耗。
• 參數(shù)分布緊密：確保了產品的一致性和可靠性。
• 無鉛環(huán)保：符合 RoHS 標準，環(huán)保友好。

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞設備，影響其功能和可靠性。

熱特性

了解熱特性有助于設計合適的散熱系統(tǒng)，確保 IGBT 在工作過程中保持在安全的溫度范圍內。

電氣特性

IGBT 電氣特性

在室溫（TC = 25°C）下，F(xiàn)GH60T65SHD 的 IGBT 電氣特性如下：

• 關斷特性：擊穿電壓 BVCES 為 650V，擊穿電壓溫度系數(shù)為 0.6V/°C，集電極 - 發(fā)射極漏電流最大為 250μA，柵極 - 發(fā)射極漏電流最大為 ±400nA。
• 導通特性：柵極 - 發(fā)射極閾值電壓 VGE(th) 在 4.0 - 7.5V 之間，集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat) 典型值為 1.6V（@IC = 60A，VGE = 15V）。
• 動態(tài)特性：輸入電容 Cies 為 2980pF，輸出電容 Coes 為 110pF。
• 開關特性：開啟延遲時間 td(on) 為 25ns，上升時間 tr 為 60ns，關斷延遲時間 td(off) 為 72ns，下降時間 tf 為 47ns，開啟開關損耗為 2.54mJ，關斷開關損耗為 Eoff，總開關損耗為 3.58mJ，總柵極電荷 Qg 為 18.4nC，柵極 - 集電極電荷 Qgc 為 37.5nC。

二極管電氣特性

二極管的電氣特性包括正向電壓、反向恢復能量、反向恢復時間和反向恢復電荷等。在室溫下，二極管正向電壓典型值為 2.3V（IF = 30A），反向恢復能量在 TC = 175°C 時為 50μJ，反向恢復時間在 TC = 25°C 時為 34.6ns，在 TC = 175°C 時為 197ns，反向恢復電荷在 TC = 25°C 時為 58.6nC，在 TC = 175°C 時為 810nC。

典型性能特性

文檔中還提供了一系列典型性能特性圖表，包括輸出特性、飽和電壓特性、電容特性、柵極電荷特性、開關特性等。這些圖表有助于工程師更好地了解 FGH60T65SHD 在不同條件下的性能表現(xiàn)，為電路設計提供參考。

封裝標記和訂購信息

FGH60T65SHD 采用 TO - 247 - 3LD 封裝，標記為 FGH60T65SHD，包裝方式為管裝，每管數(shù)量為 30 個。具體的訂購和發(fā)貨信息可在數(shù)據手冊第 2 頁的封裝尺寸部分查看。

機械尺寸

文檔提供了 TO - 247 - 3LD 封裝的機械尺寸圖和詳細的尺寸數(shù)據，包括長度、寬度、高度、引腳間距等。在設計電路板時，需要根據這些尺寸進行合理布局，確保 IGBT 能夠正確安裝和使用。

總結

FGH60T65SHD 是一款性能出色的 IGBT，具有高結溫、低損耗、快速開關等優(yōu)點，適用于多種功率電子應用。工程師在使用這款 IGBT 時，需要注意其絕對最大額定值、熱特性和電氣特性，合理設計電路和散熱系統(tǒng)，以確保設備的可靠性和穩(wěn)定性。同時，參考典型性能特性圖表可以更好地優(yōu)化電路設計，提高系統(tǒng)性能。你在實際應用中是否遇到過類似 IGBT 的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經驗和見解。