半導(dǎo)體濕制程工藝應(yīng)用場(chǎng)景多元，從晶圓制造、芯片封裝到新材料研發(fā)、科研中試，不同場(chǎng)景對(duì)設(shè)備的低氧性能、潔凈等級(jí)、安全標(biāo)準(zhǔn)有著嚴(yán)苛且差異化的要求。華林科納CSE智凈低氧濕法工作站，專為高風(fēng)險(xiǎn)、高潔凈、強(qiáng)腐蝕工藝量身打造，一機(jī)覆蓋全流程高端需求。

? 先進(jìn)晶圓濕法工藝
適配光刻清洗、RCA清洗、顆粒/有機(jī)物/金屬去除等核心工序，低氧密閉環(huán)境從源頭抑制晶圓表面氧化，顯著提升核心工藝良率。

? 高精度酸蝕與刻蝕
完美兼容硅基、SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料酸蝕、刻蝕后清洗、選擇性刻蝕工藝，耐強(qiáng)腐蝕、無交叉污染，精準(zhǔn)保障工藝精度。

? 先進(jìn)封裝濕制程
適配倒裝芯片、扇出型、2.5D/3D封裝清洗、去膠、微蝕工藝，滿足超高潔凈度與低氧雙重嚴(yán)苛要求。

? 第三代半導(dǎo)體研發(fā)量產(chǎn)
針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料提供專屬惰化保護(hù)，有效防止敏感材料氧化變質(zhì)，穩(wěn)定量產(chǎn)良率。

? 實(shí)驗(yàn)室研發(fā)與中試線
適配高校、科研院所、IDM企業(yè)小批量中試生產(chǎn)，設(shè)備合規(guī)達(dá)標(biāo)，運(yùn)行數(shù)據(jù)全留痕、可追溯，滿足科研審計(jì)要求。

? 高?；瘜W(xué)品安全操作
實(shí)現(xiàn)HF、HCl、H?SO?、H?O?等強(qiáng)腐蝕試劑調(diào)配、使用、暫存全流程安全閉環(huán)，最大程度降低操作風(fēng)險(xiǎn)。

設(shè)備采用標(biāo)準(zhǔn)化尺寸與模塊化工位設(shè)計(jì)，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格適配8/12寸小試/中試線，酸槽、水槽、工作臺(tái)面可靈活組合，快速匹配不同工藝定制需求，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)，提供一站式高端濕制程解決方案。

審核編輯 黃宇