在全球能源轉(zhuǎn)型浪潮的推動(dòng)下，可再生能源扮演的角色越來越重要，由此也拉動(dòng)著光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電樁等新興功率電子應(yīng)用的長足發(fā)展。

以全球太陽能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)市場為例，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的預(yù)測，該市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2024年的約14億美元，增長至2029年的約27億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)10.6%。

在這樣的大趨勢下，作為可再生能源支柱性要素的功率半導(dǎo)體技術(shù)，也迎來了新一輪的發(fā)展機(jī)遇。當(dāng)然，經(jīng)驗(yàn)告訴我們，想要抓住機(jī)遇，滿足行業(yè)所需，盡享市場紅利，功率半導(dǎo)體技術(shù)在演進(jìn)的過程中，也將面臨著多維度的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：

1更高的效率與更低的損耗

對(duì)高效率的追求，是貫穿功率電子發(fā)展的主線。隨著大量可再生能源設(shè)備的部署，效率提升的“一小步”將意味著可觀的經(jīng)濟(jì)回報(bào)。這也決定了功率半導(dǎo)體必須加緊工藝和材料方面的創(chuàng)新，千方百計(jì)降低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，不斷抬高效率的天花板。

2高功率密度與小型化設(shè)計(jì)

很多新興的可再生能源應(yīng)用，比如住宅光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)，對(duì)設(shè)備體積提出了越來越嚴(yán)格的限制，這也進(jìn)一步加速了功率半導(dǎo)體器件向小型化迭代的步伐，同時(shí)通過優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，令功率器件能夠在有限空間內(nèi)處理更高的功率。

3高可靠性與長效使用

可再生能源系統(tǒng)通常需要在戶外等嚴(yán)苛環(huán)境下長期運(yùn)行，面臨著溫度、濕度、電網(wǎng)波動(dòng)等多重應(yīng)力的考驗(yàn)，這無疑對(duì)功率器件的環(huán)境耐受性和長期可靠性提出了極高的要求。

4不斷增加的成本壓力

隨著規(guī)?；瘧?yīng)用以及市場競爭的加劇，成本的優(yōu)化也是可再生能源設(shè)備開發(fā)繞不開的課題。而且，隨著光伏、儲(chǔ)能等設(shè)備下沉到住宅和工商業(yè)等更多元化的市場，其核心功率半導(dǎo)體器件面臨的成本壓力也會(huì)持續(xù)增加。

高效率、小型化、高可靠、低成本……想要應(yīng)對(duì)來自可再生能源領(lǐng)域這些挑戰(zhàn)，功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展路徑離不開兩條主線：

一是持續(xù)挖掘傳統(tǒng)硅（Si）材料的性能極限，進(jìn)一步提升IGBT等關(guān)鍵功率器件的性能，快速響應(yīng)當(dāng)今及可預(yù)見未來主流市場的需求。

二是加速布局以碳化硅（SiC）為代表的下一代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，打造前瞻性的產(chǎn)品和方案，為可持續(xù)的發(fā)展打牢技術(shù)根基。

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頭部廠商，Infineon是這兩條技術(shù)路線的積極踐行者，并推出了一系列極具競爭力的產(chǎn)品，為可再生能源應(yīng)用提供了創(chuàng)新的解決方案。

推動(dòng)硅器件的深度進(jìn)化

盡管SiC等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展備受矚目，但硅基IGBT在今天的可再生能源領(lǐng)域依然扮演著不可替代的角色，這主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

性能與可靠性的均衡：經(jīng)過數(shù)十年的持續(xù)演進(jìn)，IGBT技術(shù)已臻成熟，在保持高可靠性的同時(shí)，不斷取得性能上的突破，在兩者之間保持著極優(yōu)的均衡。這無疑是規(guī)模化商用所看重的。

成本敏感應(yīng)用理想之選：住宅和工商業(yè)中的可再生能源應(yīng)用，對(duì)成本更為敏感，IGBT在系統(tǒng)級(jí)成本上的顯著優(yōu)勢，使其成為高性價(jià)比解決方案的更優(yōu)解。

穩(wěn)固的應(yīng)用市場基本盤：目前光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的工作頻率通常集中在4-20kHz中等開關(guān)頻率區(qū)間，而這正是IGBT器件的優(yōu)勢所在，能夠在這一頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的良好平衡。這也為IGBT提供了一個(gè)穩(wěn)固的市場基礎(chǔ)。

持續(xù)進(jìn)化的技術(shù)潛力：盡管從理論上講，硅基功率器件已經(jīng)越來越接近性能的天花板，但事實(shí)證明，通過技術(shù)創(chuàng)新，這一“天花板”還在被不斷地抬升，進(jìn)而拓展IGBT在可再生能源領(lǐng)域的市場空間，使其具有更長久的生命力。

在持續(xù)挖掘IGBT的技術(shù)潛力方面，Infineon的TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)就是一個(gè)很成功的案例。作為Infineon第七代1200V IGBT技術(shù)，IGBT7基于先進(jìn)的微溝槽技術(shù)，與上一代IGBT4相比，實(shí)現(xiàn)了重大性能躍升：

更低的導(dǎo)通電壓

IGBT 7采用全新的微溝槽柵結(jié)構(gòu)，通過更窄的臺(tái)面間距增強(qiáng)了載流子存儲(chǔ)效應(yīng)，這使其在保持與IGBT4幾乎相同的關(guān)斷損耗前提下，可將導(dǎo)通電壓 VCE(sat)降低約20%，進(jìn)而顯著減少系統(tǒng)整體功耗。

優(yōu)化的開關(guān)特性

IGBT 7提供了高水平的dv/dt可控性，允許設(shè)計(jì)者通過調(diào)整柵極電阻 (RG) 靈活地控制電壓斜率，同時(shí)開關(guān)波形更平滑，減少了電壓過沖和振蕩，進(jìn)一步優(yōu)化EMI性能。

增強(qiáng)的耐高溫特性

IGBT 7允許在過載條件下短時(shí)間內(nèi)將結(jié)溫提升至175°C，顯著提升了輸出功率能力，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更充足的可靠性和安全裕量。

更高的功率密度

在相同外殼和系統(tǒng)冷卻條件下，IGBT7可承載電流能夠提升30%；使用更小的封裝，可實(shí)現(xiàn)11%的輸出功率提升；在相同輸出功率下，可降低40%的散熱器性能要求。

圖1：TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)關(guān)鍵優(yōu)勢

（圖源：Infineon）

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7分立式晶體管，顧名思義，就是基于IGBT7技術(shù)的產(chǎn)品，其具有高度的可控性、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗的特點(diǎn)，以及優(yōu)化的EMI性能及惡劣環(huán)境耐受性，支持低至5Ω的柵極電阻，是光伏系統(tǒng)、快速充電樁等應(yīng)用的理想選擇。

圖2：1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7分立式晶體管（圖源：Infineon）

加速SiC產(chǎn)品布局

如果說IGBT7代表了硅材料的深度進(jìn)化，那么SiC器件則將開啟功率半導(dǎo)體的全新可能。

大家知道，與傳統(tǒng)的硅材料相比，SiC材料具有更寬的禁帶寬度、更高的臨界擊穿場強(qiáng)和更高的熱導(dǎo)率，這使得基于SiC的功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更低的開關(guān)損耗、更高的工作頻率、更小的系統(tǒng)尺寸、更高的耐壓能力和更出色的耐高溫能力，這些優(yōu)勢對(duì)于快速發(fā)展中的可再生能源系統(tǒng)至關(guān)重要。

正是因?yàn)镾iC代表著功率電子發(fā)展的大趨勢，所以Infineon在SiC技術(shù)探索和產(chǎn)品開發(fā)上也早有布局，并深耕多年，CoolSiC MOSFET就是這一策略重要的成果之一，今天已經(jīng)進(jìn)化到了第二代G2技術(shù)。

CoolSiC MOSFET G2與前代G1產(chǎn)品相比，在高可靠性的基礎(chǔ)上，綜合實(shí)力實(shí)現(xiàn)了全面地提升。

在性能方面，通過優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，CoolSiC MOSFET G2與上一代G1相比，在典型負(fù)載條件下可降低5-20%的總功耗，關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)（FOM，如RDS(on)× QGD）也有大幅改善，這意味著其在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲卸寄軐?shí)現(xiàn)更高的效率。

在熱管理和可靠性方面，通過采用改進(jìn)的.XT擴(kuò)散焊接技術(shù)，CoolSiC MOSFET G2熱阻相比G1降低12%以上，使其能夠耗散更多熱量；而且其在短時(shí)間內(nèi)可承受高達(dá)200°C的過載工作結(jié)溫，極大地簡化了應(yīng)對(duì)過流事件的熱設(shè)計(jì)與系統(tǒng)保護(hù)方案。

同時(shí)，CoolSiC MOSFET G2還引入了Q-DPAK頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)了器件頂部與散熱器之間的直接熱傳導(dǎo)，熱傳導(dǎo)效率相比傳統(tǒng)底部散熱封裝顯著提升。這種封裝還大大降低了寄生電感，有利于提高開關(guān)速度并減少電壓過沖風(fēng)險(xiǎn)。

圖3：CoolSiC MOSFET G2的優(yōu)勢特性

（圖源：Infineon）

目前，隨著CoolSiC MOSFET G2技術(shù)的成熟，Infineon可以提供豐富的封裝選擇和精細(xì)化的產(chǎn)品組合，覆蓋從650V到1200V各個(gè)電壓等級(jí)，具有4mΩ至260mΩ的導(dǎo)通電阻范圍，能夠匹配可再生能源領(lǐng)域不同功率、多樣化應(yīng)用場景的需求。

圖4：1200V CoolSiC MOSFET G2產(chǎn)品組合（圖源：Infineon）

值得一提的是，除了純SiC MOSFET器件，Infineon還探索出了一條獨(dú)特的創(chuàng)新路徑——將SiC MOSFET與其他器件整合在一起，形成CoolSiC Hybrid集成式解決方案。

IMY120R系列就是CoolSiC Hybrid 混合分立器件中的代表產(chǎn)品，其在一個(gè)封裝內(nèi)創(chuàng)新性地集成了一個(gè)CoolSiC MOSFET G2和一個(gè)反并聯(lián)的EC7快速硅二極管。這種“混合”設(shè)計(jì)思路有利于在特定拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)性能與可靠性的平衡。

例如，在電流連續(xù)模式 (CCM) 的圖騰柱PFC電路中，高頻橋臂的MOSFET需要承受硬換流的反向恢復(fù)應(yīng)力，而IMY120R中由于集成了EC7二極管，可由它來專門承擔(dān)這部分工作，其軟恢復(fù)特性有助于降低電壓過沖和電磁干擾，提高了系統(tǒng)可靠性。同時(shí)，相較于外部分立的二極管方案，這種二合一的“混合”方案更為簡化，可更大限度地節(jié)省系統(tǒng)空間。

圖5：IMY120R系列CoolSiC Hybrid分立器件（圖源：Infineon）

本文小結(jié)

綜上所述，從深挖硅基器件潛能的TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)，到代表功率半導(dǎo)體新趨勢的CoolSiC MOSFET G2產(chǎn)品，再到面向特定應(yīng)用而優(yōu)化的CoolSiC Hybrid混合器件，Infineon展示了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域清晰的戰(zhàn)略布局和過人的技術(shù)實(shí)力。

這些創(chuàng)新的產(chǎn)品，不僅精準(zhǔn)回應(yīng)了可再生能源市場在效率、功率密度、可靠性和成本等方面多維度的訴求，為工程師提供豐富的技術(shù)工具箱，也為我們揭示了能源行業(yè)轉(zhuǎn)型浪潮下，功率半導(dǎo)體正確的進(jìn)化方向。

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