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深入解析 onsemi NFAM2065L4BT 智能功率模塊

lhl545545 ? 2026-04-27 16:40 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi NFAM2065L4BT 智能功率模塊

引言

在電子工程領域,智能功率模塊(IPM)對于電機驅動等應用至關重要。onsemi 的 NFAM2065L4BT 是一款性能出色的 IPM,本文將對其進行詳細解析,幫助電子工程師更好地了解和應用這款產品。

文件下載:NFAM2065L4BT-D.PDF

產品概述

NFAM2065L4BT 是一款完全集成的逆變器功率模塊,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機、無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。它集成了獨立的高端柵極驅動器、LVIC、六個 IGBT 和一個溫度傳感器(VTS 或熱敏電阻 (T))。IGBT 采用三相橋配置,下橋臂具有獨立的發(fā)射極連接,為控制算法的選擇提供了最大的靈活性。

特點

  1. 三相 650V、20A IGBT 模塊:具備獨立驅動器和有源邏輯接口,能滿足多種電機驅動需求。
  2. 內置欠壓保護(UVP):增強了模塊的穩(wěn)定性和可靠性,防止因電壓異常導致的損壞。
  3. 集成自舉二極管和電阻:簡化了電路設計,減少了外部元件的使用。
  4. 獨立的下側 IGBT 發(fā)射極連接:可實現各相的獨立電流檢測,方便工程師進行精確控制。
  5. 溫度傳感器:提供溫度監(jiān)測功能,有助于及時發(fā)現模塊過熱等問題。
  6. UL1557 認證:符合相關安全標準,可應用于對安全性要求較高的場合。
  7. 無鉛器件:符合環(huán)保要求。

應用領域

該模塊適用于多種工業(yè)應用,如工業(yè)驅動器、工業(yè)泵、工業(yè)風扇和工業(yè)自動化等。

產品標記與訂購信息

標記圖

模塊的標記位于封裝頂部,包含特定設備代碼、組裝批次代碼、組裝位置、測試位置、年份和工作周等信息。

訂購信息

NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封裝,尺寸為 31.0x54.5(無鉛),每盒 90 個。

引腳功能描述

該模塊共有 39 個引腳,各引腳功能如下: 引腳 名稱 描述
1 VS(U) U 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓地
(2) - 虛設引腳,用于內部連接,應不連接
3 VB(U) U 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓
4 VDD(UH) U 相 IC 的高端偏置電壓
(5) - 虛設引腳
6 HIN(U) 高端 U 相的信號輸入
7 VS(V) V 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓地
(8) - 虛設引腳
9 VB(V) V 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓
10 VDD(VH) V 相 IC 的高端偏置電壓
(11) - 虛設引腳
12 HIN(V) 高端 V 相的信號輸入
13 VS(W) W 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓地
(14) - 虛設引腳
15 VB(W) W 相 IGBT 驅動的高端偏置電壓
16 VDD(WH) W 相 IC 的高端偏置電壓
(17) - 虛設引腳
18 HIN(W) 高端 W 相的信號輸入
(19) - 虛設引腳
20 VTS LVIC 溫度傳感單元的電壓輸出
21 LIN(U) 低端 U 相的信號輸入
22 LIN(V) 低端 V 相的信號輸入
23 LIN(W) 低端 W 相的信號輸入
24 VFO 故障輸出
25 CFOD 故障輸出持續(xù)時間選擇電容
26 CIN 電流保護輸入
27 VSS 低端公共電源
28 VDD(L) 用于 IC 和 IGBT 驅動的低端偏置電壓
(29) - 虛設引腳
(30) - 虛設引腳
31 NW U 相的負直流母線輸入
32 NV V 相的負直流母線輸入
33 NU W 相的負直流母線輸入
34 W U 相的輸出
35 V V 相的輸出
36 U W 相的輸出
37 P 正直流母線輸入
38 VTH 熱敏電阻偏置電壓 (T) / 不連接
39 RTH 熱敏電阻(溫度檢測)的串聯電阻(T 可選)

絕對最大額定值

在使用該模塊時,需要注意其絕對最大額定值,超過這些值可能會損壞設備。以下是部分重要的額定值: 額定值 符號 條件 單位
電源電壓 VPN P - NU, NV, NW 450 V
電源電壓(浪涌) VPN(Surge) P - NU, NV, NW 550 V
自保護電源電壓限制(短路保護能力) VPN(PROT) VDD = VBS = 13.5 V ~ 16.5 V, Tj = 150 °C, Vces < 650 V, 非重復,< 2 us 400 V
集電極 - 發(fā)射極電壓 Vces - 650 V
最大重復反向電壓 VRRM - 650 V
每個 IGBT 集電極電流 ± Ic - ± 20 A
每個 IGBT 集電極電流(峰值) ± Icp 1 ms 脈沖寬度下 ± 40 A
控制電源電壓 VDD VDD(UH,VH,WH), VDD(L) - VSS -0.3 至 20 V
高端控制偏置電壓 VBS VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W) -0.3 至 20 V
輸入信號電壓 VIN HIN(U), HIN(V), HIN(W), LIN(U), LIN(V), LIN(W) - VSS -0.3 至 VDD V
故障輸出電源電壓 VFO VFO - VSS -0.3 至 VDD V
故障輸出電流 IFO VFO 引腳的灌電流 2 mA
電流傳感輸入電壓 VCIN CIN - VSS -0.3 至 VDD V
集電極耗散功率 Pc 每芯片 96 W
工作結溫 Tj - -40 至 +150 °C
存儲溫度 Tstg - -40 至 +125 °C
模塊外殼工作溫度 Tc - -40 至 +125 °C
隔離電壓 Viso 60 Hz,正弦波,交流 1 分鐘,連接引腳到散熱板 2500 V rms

熱特性

模塊的熱特性對于其性能和可靠性至關重要。以下是相關熱阻參數: 額定值 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
結到外殼熱阻(逆變器 IGBT 部分,每 1/6 模塊) Rth(j - c)Q - - - 1.3 °C/W
結到外殼熱阻(逆變器 FWDi 部分,每 1/6 模塊) Rth(j - c)F - - - 2.4 °C/W

推薦工作范圍

為了確保模塊的正常工作和可靠性,建議在以下范圍內使用: 額定值 條件 最小值 典型值 最大值 單位
電源電壓 VPN - 300 400 V
VDD VDD(UH,VH,WH),VDD(L) - VSS 13.5 - - V
VBS - 15 18.5 - V
PWM 頻率 - 1 - 20 kHz
DT - 1.5 - - us
允許的均方根電流 lo P.F. = 0.8, fPWM = 15 kHz 1 15.4 - A

電氣特性

驅動部分

參數 測試條件 符號 最小值 典型值 最大值 單位
靜態(tài) VDD 電源電流 VDD(UH,VH,WH) = 15 V, HIN(U,V,W) = 0 V IQDDH - - 0.30 mA
VDD(L) = 15 V, LIN(U, V, W) = 0 V IQDDL - - 3.50 mA
工作 VDD 電源電流 VDD(UH, VH, WH) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 應用于高端一個 PWM 信號輸入 IPDDH - - 0.40 mA
VDD(L) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 應用于低端一個 PWM 信號輸入 IPDDL - - 6.00 mA
靜態(tài) VBS 電源電流 VBS = 15 V, HIN(U, V, W) = 0 V IQBS - - 0.30 mA
工作 VBS 電源電流 VDD = VBS = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 應用于高端一個 PWM 信號輸入 IPBS - - 5.00 mA
導通閾值電壓 HIN(U, V, W) - VSS, LIN(U, V, W) - VSS VIN(ON) 2.6 - - V
關斷閾值電壓 - VIN(OF) 0.8 - - V
短路跳閘電平 VDD = 15 V, CIN - VSS VCIN(ref) 0.46 0.48 0.50 V
電源電路欠壓保護檢測電平 - UVDDD 10.3 - 12.5 V
復位電平 - UVDDR 10.8 - 13.0 V
檢測電平 - UVBSD 10.0 - 12.0 V
復位電平 - UVBSR 10.5 - 12.5 V
LVIC 溫度傳感單元的電壓輸出 VTS - VSS = 10 nF, 溫度 = 25°C VTS 0.905 1.030 1.155 V
故障輸出電壓 VDD = 0 V, CIN = 0 V, VFO 電路:10 k 上拉至 5 V VFOH 4.9 - - V
VDD = 0 V, CIN = 1 V, VFO 電路:10 k 上拉至 5 V VFOL - - 0.95 V
故障輸出脈沖寬度 CFOD = 22 nF tFOD 1.6 2.4 - ms

自舉部分

參數 測試條件 符號 最小值 典型值 最大值 單位
自舉二極管正向電壓 If = 0.1 A VF 3.4 4.6 5.8 V
內置限流電阻 - RBOOT 30 38 46 Ω

熱敏電阻特性

參數 條件 最小值 典型值 最大值 單位
電阻 Tc = 25°C 46.530 - -
- 1.344 1.406 1.471 -
B 常數(25 - 50°C) - 4009.5 4050 4090.5 K

機械尺寸

NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封裝,尺寸為 54.50x31.00x5.60,引腳間距為 1.78P。具體尺寸參數可參考文檔中的機械尺寸圖。

總結

onsemi 的 NFAM2065L4BT 智能功率模塊具有集成度高、性能可靠、應用范圍廣等優(yōu)點。電子工程師在設計電機驅動等相關電路時,可以充分利用其特點,提高設計的效率和質量。但在使用過程中,務必注意其絕對最大額定值和推薦工作范圍,以確保模塊的正常運行和長期可靠性。你在實際應用中是否遇到過類似模塊的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗。

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