安世半導(dǎo)體中國近日全新發(fā)布雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器NGD31251，并同步推出符合車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)的NGD31251-Q100版本。

新品聚焦低側(cè)柵極驅(qū)動器在實(shí)際應(yīng)用中的核心痛點(diǎn)，從芯片魯棒性、傳輸延時(shí)、驅(qū)動能力三大維度完成性能優(yōu)化，有效提升系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定性與轉(zhuǎn)換效率。

憑借優(yōu)異的綜合表現(xiàn)，該系列驅(qū)動器可廣泛適配充電樁、通信電源、服務(wù)器電源、車載充電機(jī)與直直轉(zhuǎn)換器、電動汽車加熱器等多元應(yīng)用場景，為工業(yè)及車載電源類方案提供可靠的驅(qū)動支撐。

產(chǎn)品特點(diǎn)

VDD最大耐壓28V

輸入引腳最大耐壓-10V至28V

驅(qū)動電流典型值±5A

最大工作頻率至1MHz

VDD欠壓保護(hù)4.2V

-40℃至140℃工作結(jié)溫

產(chǎn)品優(yōu)勢

更強(qiáng)魯棒性，運(yùn)行更可靠

NGD31251對關(guān)鍵引腳的最大耐壓能力進(jìn)行了針對性提升。

為有效抵御變壓器干擾與地線噪聲，其輸入引腳支持-10V至28V寬耐壓范圍，抗干擾能力顯著增強(qiáng)。

同時(shí)，針對應(yīng)用場景中雷擊浪涌、電源尖峰等惡劣工況，NGD31251/Q100將VDD與OUT引腳耐壓提升至28V，大幅降低芯片被瞬時(shí)過壓擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)一步保障電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運(yùn)行。

超低開關(guān)延時(shí)，提升電源效率

NGD31251/Q100具備出色的時(shí)序性能，開通延時(shí)典型值低至11ns，關(guān)斷延時(shí)僅13ns。

更短的傳輸延時(shí)有助于客戶優(yōu)化系統(tǒng)死區(qū)設(shè)置，有效提升電源轉(zhuǎn)換效率，實(shí)現(xiàn)更高能效表現(xiàn)。

典型應(yīng)用

充電樁

充電樁電源模塊前級通常采用Vienna PFC拓?fù)?，NGD31251雙通道延時(shí)匹配小于2ns，可嚴(yán)格保證PFC雙MOSFET管同時(shí)可靠開通與關(guān)斷，保障前級穩(wěn)定運(yùn)行。

模塊后級采用3-Level LLC拓?fù)?，NGD31251搭配隔離信號變壓器即可直接驅(qū)動LLC的MOSFET，無需隔離驅(qū)動芯片，有效降低整體驅(qū)動成本。

△ 圖1：充電樁充電模塊應(yīng)用

磚塊電源

磚塊電源輸出側(cè)通常采用全波整流拓?fù)洌瑥纳岷徒?jīng)濟(jì)性的角度考慮，業(yè)界通常使用多個MOS并聯(lián)。NGD31251單通道驅(qū)動能力5A，可支持多MOS并聯(lián)同時(shí)開通和關(guān)斷，非常適合驅(qū)動多個并聯(lián)的MOSFET。如搭配安世半導(dǎo)體PXN2R9-100RS或PSMNS1R4-40MYX8等MOSFET，即可一站式搭建出可靠的磚塊電源方案。

△ 圖2：通訊基站5G磚塊電源應(yīng)用

服務(wù)器電源

3KW服務(wù)器電源的常用電路拓?fù)錇镮nterleaved PFC+LLC架構(gòu)。

NGD31251憑借雙通道低延時(shí)驅(qū)動性能，非常適合驅(qū)動前級相位相差180°的Interleaved PFC MOSFET；同時(shí)其高達(dá)5A的驅(qū)動能力，可精準(zhǔn)驅(qū)動LLC整流MOSFET實(shí)現(xiàn)并聯(lián)狀態(tài)下的同步開通與關(guān)斷。搭配安世半導(dǎo)體PSMNS1R4-40MYX8等MOSFET，即可一站式搭建出可靠的12V服務(wù)器電源方案。

△ 圖3：服務(wù)器電源應(yīng)用

車載充電機(jī)與直直轉(zhuǎn)換器（OBC/DCDC）

車載DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出側(cè)，通常采用多MOSFET并聯(lián)的全波整流拓?fù)?。NGD31251-Q100嚴(yán)格遵循AEC-Q100等車規(guī)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，在高低溫循環(huán)、濕熱老化、電氣應(yīng)力沖擊等測試中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠確保車載電源系統(tǒng)長期穩(wěn)定運(yùn)行，良好適配新能源汽車等車規(guī)應(yīng)用場景的高可靠性需求，搭配安世半導(dǎo)體BUK7J1R0-40H/Q100等MOSFET，可一站式搭建出后級全波整流電路。

△ 圖4：電動汽車DCDC電源

電動汽車加熱器（PTC Heater）

電動汽車加熱器通常采用IGBT等功率開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制，NGD31251-Q100支持最高10A的驅(qū)動電流，能夠穩(wěn)定驅(qū)動各類大功率開關(guān)器件，適配電動汽車加熱器的功率控制需求。

△ 圖5：電動汽車加熱器

產(chǎn)品選型

安世半導(dǎo)體中國已實(shí)現(xiàn)NGD31251與NGD31251-Q100的穩(wěn)定量產(chǎn)，客戶可根據(jù)自身項(xiàng)目需求，靈活選用適配的芯片完成系統(tǒng)設(shè)計(jì)，亦可通過安世官方商城進(jìn)行樣品申請或購買，詳情請點(diǎn)擊「閱讀原文」?。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費(fèi)等多個應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia：效率致勝。