近日，龍騰推出600V，80A，37mΩ N 溝道超結(jié)功率 MOSFET。產(chǎn)品依托先進超結(jié)技術(shù)與創(chuàng)新擴鉑工藝雙重加持，以超低損耗、優(yōu)異體二極管特性、工業(yè)級高可靠性、強場景適配性的核心優(yōu)勢，為大功率高效電源應(yīng)用帶來全新升級方案。

圖：龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品

01工藝亮點

擴鉑技術(shù)，全面提升動態(tài)性能：擴鉑工藝通過精確控制少子壽命，優(yōu)化器件內(nèi)部開關(guān)特性，實測收益如下：

降低反向恢復(fù)電荷（Qrr）：典型值僅 722nC，減小二極管反向恢復(fù)損耗。

縮短反向恢復(fù)時間（trr）：典型 128.6ns，提升系統(tǒng)開關(guān)頻率潛力。

平滑反向恢復(fù)電流峰值（Irm=9.05A）：改善EMI表現(xiàn)，減輕外圍濾波設(shè)計壓力。

02核心電氣性能

超低導(dǎo)通電阻：典型 RDS(on) 僅 31mΩ（最大37mΩ），導(dǎo)通損耗大幅降低。

極低柵極電荷：Qg 典型 116.8nC，支持快速開關(guān)，降低驅(qū)動損耗

高電流能力：連續(xù)漏極電流 80A（Tc=25℃），脈沖電流 240A。

100% UIS 測試：單脈沖雪崩能量 951mJ，確保惡劣工況下的魯棒性。

—龍騰: LSB60R037HP-IHN2703

—龍騰: LSB60R037HP-IHN2704

—競品: A

來源: 龍騰實驗室實測

03實測對比

經(jīng)同工況下開關(guān)波形實測對比，龍騰半導(dǎo)體超結(jié) MOSFET 開通速度更快，關(guān)斷時電流拖尾更短、VDS 尖峰與振蕩更小，米勒平臺更平緩，開通/關(guān)斷損耗顯著低于行業(yè)主流競品，可有效降低整機熱耗，提升高頻電源轉(zhuǎn)換效率與運行可靠性。

—龍騰: LSB60R037HP-IHN2703

—龍騰: LSB60R037HP-IHN2704

—競品: A

來源: 龍騰實驗室實測

經(jīng)同工況下二極管波形對比可見，龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET 由于采用了先進擴鉑工藝，在反向恢復(fù)過程中表現(xiàn)優(yōu)異，反向恢復(fù)時間更短，反向恢復(fù)過程更軟。這一特性有效降低了開關(guān)損耗與 EMI 干擾，提升了高頻工況下的系統(tǒng)穩(wěn)定性與散熱表現(xiàn)。

04典型應(yīng)用場景

化成電源

OBC（車載充電機）

通信電源

充電樁

大功率工業(yè)電源

礦機電源

05封裝與訂購信息

封裝形式：TO-247，散熱優(yōu)異，適合大電流走線。

產(chǎn)品型號：LSB60R037HP